一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板技术

本发明专利技术提供一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板，该传感器组件包括：基板、栅极层、第一半导体层、第一源漏电极层和薄膜晶体管。栅极层包括第一部分和第二部分，第一部分包括连接部和两个以上子栅极层，子栅极层之间具有间隙，子栅极层的一端部通过连接部连接。第一半导体层设置在第一部分远离第一面的一侧且嵌入间隙。第一源漏电极层设置在第一半导体层远离栅极层的一侧。其中，第一部分、第一半导体层及第一源漏电极层形成光感PN结。通过集成光感PN结和底栅结构的薄膜晶体管，避免了顶栅结构薄膜晶体管光敏传感器在集成时存在的局限性，解决了底面照光的光敏传感器与显示面板集成时增加模组厚度和开发成本的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板。
技术介绍
在弱光条件下，顶栅结构薄膜晶体管光敏传感器(Top-gateTFTsensor)在关态电流(Ioff)段的光敏性能要明显优于顶部照光的常规反向通道蚀刻(BCE,BackChannelEtch)薄膜晶体管光敏传感器。这主要得益于有源层受光照面积的提升，但是底面照光的Sensor在与显示面板(Display)集成时存在一定的局限性，只能集成于液晶显示器(LCD,LiquidCrystalDisplay)的彩膜(CF,colorfilter)基板或者集成于主动显示的盖板，不仅增加了模组的厚度，还增加了开发的成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种传感器组件、传感器组件制程方法及显示面板，通过与底栅结构薄膜晶体管集成，避免增加显示面板的厚度，降低了开发成本。本专利技术提供一种传感器组件，包括：基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；栅极层，所述栅极层部分覆盖所述第一面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感器组件，其特征在于，包括：/n基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；/n栅极层，所述栅极层部分覆盖所述第一面，所述栅极层包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括连接部和两个以上子栅极层，所述子栅极层之间具有间隙，所述子栅极层的一端部通过所述连接部连接；/n第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述第一部分远离所述第一面的一侧且嵌入所述间隙；/n第一源漏电极层，所述第一源漏电极层设置在所述第一半导体层远离所述栅极层的一侧；其中，所述第一部分、所述第一半导体层及所述第一源漏电极层形成光感PN结；/n薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光感PN结相邻设置在所述第一面上，所述第二部分为所述...

【技术特征摘要】
1.一种传感器组件，其特征在于，包括：
基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；
栅极层，所述栅极层部分覆盖所述第一面，所述栅极层包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括连接部和两个以上子栅极层，所述子栅极层之间具有间隙，所述子栅极层的一端部通过所述连接部连接；
第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述第一部分远离所述第一面的一侧且嵌入所述间隙；
第一源漏电极层，所述第一源漏电极层设置在所述第一半导体层远离所述栅极层的一侧；其中，所述第一部分、所述第一半导体层及所述第一源漏电极层形成光感PN结；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光感PN结相邻设置在所述第一面上，所述第二部分为所述薄膜晶体管的栅极。


2.根据权利要求1所述的传感器组件，其特征在于，所述第一源漏电极层包括第一P型材料层和第一电极材料层，所述第一P型材料层设置在靠近所述第一半导体层的一侧，所述第一电极材料层设置在远离所述第一半导体层的一侧；其中，所述第一P型材料层采用的材料为钼氧化合物、锡氧化合物或以上材料的组合，所述第一电极材料层采用的材料为金属或金属氧化物。


3.根据权利要求2所述的传感器组件，其特征在于，所述第一源漏电极层的厚度为至


4.根据权利要求1所述的传感器组件，其特征在于，所述第一源漏电极层设置在所述第一半导体层的正投影区域内，且所述第一源漏电极层的覆盖面积小于所述第一半导体层的覆盖面积。


5.根据权利要求1所述的传感器组件，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、第二半导体层以及第二源漏电极层，所述栅极绝缘层设置在所述第二部分远离所述第一面的一侧并延伸至所述第一面，所述第二半导体层部分覆盖所述栅极绝缘层远离所述第二部分的一侧，所述第二源漏电极层部分覆盖所述第二半导体层远离所述栅极绝缘层的一侧，并延伸至所述栅极绝缘层，所述第二源漏电极层覆盖所述第二半导体层的部分设置有第一通孔。


6.根据权利要求5所述的传感器组件，其特征在于，还包括钝化层和像素电极层，所述钝化层覆盖所述光感PN结和所述薄膜晶体管，并延伸至所述第一面，所述钝化层通过所述第一通孔与所述第二半导体层连接，所述钝化层上设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：李金明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44