图像传感芯片集成结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种图像传感芯片集成结构及其制造方法，包括：图像传感器背面照度芯片，具有贯穿图像传感器背面照度芯片顶面和底面的一个或多个第一通孔；图像信号处理器芯片，布置于所述图像传感器背面照度芯片的底面；随机存储器芯片，布置于所述图像传感器背面照度芯片的底面；所述图像信号处理器芯片及所述随机存储器芯片与所述图像传感器背面照度芯片之间通过所述第一通孔电性连接。

【技术实现步骤摘要】
图像传感芯片集成结构及其制造方法
本专利技术涉及图像传感器
，特别涉及一种图像传感芯片集成结构及其制造方法。
技术介绍
与图像传感技术相关的芯片包括：CMOS芯片(CMOS根据其中感光区与电路区的上下位置分为图像传感器背面照度芯片BSI和图像传感器前面照度芯片FSI)、图像信号处理器芯片(ISP)和双倍数据率的同步动态随机存储器芯片(DDR)。目前，图像传感器封装是将CMOS芯片，ISP芯片和DDR芯片平放在基板上，上述封装方式中通过打线方式将信号引出；然而，该传统的图像传感器的封装方式存在封装体积大且封装厚度厚的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种图像传感芯片集成结构及其制造方法，以解决现有的图像传感器的封装体积大且封装厚度厚的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种图像传感芯片集成结构，包括：图像传感器背面照度芯片，具有贯穿图像传感器背面照度芯片顶面和底面的一个或多个第一通孔；图像信号处理器芯片，布置于所述图像传感器背面照度芯片的底面；随机存储器芯片，布置于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感芯片集成结构，其特征在于，包括：/n图像传感器背面照度芯片，具有贯穿图像传感器背面照度芯片顶面和底面的一个或多个第一通孔；/n图像信号处理器芯片，布置于所述图像传感器背面照度芯片的底面；/n随机存储器芯片，布置于所述图像传感器背面照度芯片的底面；/n所述图像信号处理器芯片及所述随机存储器芯片与所述图像传感器背面照度芯片之间通过所述第一通孔电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种图像传感芯片集成结构，其特征在于，包括：
图像传感器背面照度芯片，具有贯穿图像传感器背面照度芯片顶面和底面的一个或多个第一通孔；
图像信号处理器芯片，布置于所述图像传感器背面照度芯片的底面；
随机存储器芯片，布置于所述图像传感器背面照度芯片的底面；
所述图像信号处理器芯片及所述随机存储器芯片与所述图像传感器背面照度芯片之间通过所述第一通孔电性连接。


2.如权利要求1所述的图像传感芯片集成结构，其特征在于，所述图像信号处理器芯片及所述随机存储器芯片均倒装的方式布置于所述图像传感器背面照度芯片上；
所述图像信号处理器芯片与所述图像传感器背面照度芯片之间，以及所述随机存储器芯片与所述图像传感器背面照度芯片之间还具有第一金属层；
所述图像信号处理器芯片及所述随机存储器芯片与所述第一通孔之间通过所述第一金属层电性连接。


3.如权利要求2所述的图像传感芯片集成结构，其特征在于，还包括支撑结构，所述支撑结构包裹所述图像信号处理器芯片及所述随机存储器芯片；
所述支撑结构由硅衬底或塑封材料构成，所述支撑结构还包裹dummy贴片。


4.如权利要求3所述的图像传感芯片集成结构，其特征在于，还包括具有贯穿所述支撑结构顶面和底面的一个或多个第二通孔；
所述第一金属层与所述第二通孔电性连接；
所述第二通孔将所述第一金属层的电性引出至所述支撑结构的顶面。


5.如权利要求1所述的图像传感芯片集成结构，其特征在于，所述图像传感器背面照度芯片包括玻璃、透明键合胶及图像传感器背面照度晶圆。


6.一种如权利要求1所述的图像传感芯片集成结构的制造方法，其特征在于，包括：
制作图像传感器背面照度芯片；
在所述图像传感器背面照度芯片的底面上形成第一通孔，所述第一通孔具有贯穿图像传感器背面照度芯片顶面和底面；
在所述图像传感器背面照度芯片的底面上固定图像信号处理器芯片及随机存储器芯片，并使所述图像信号处理器芯片及所述随机存储器芯片与所述图像传感器背面照度芯片之间通过所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国军，曹立强，严阳阳，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31