一种存储器件制造技术

本发明专利技术提供的一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的底电极、本征材料层、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和顶电极。第二器件结构包括衬底，位于衬底上的鳍部，覆盖于鳍部的铁电层，铁电层上的栅极层，栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极。底电极与源极连接，顶电极与漏极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构中，第二器件结构中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器件
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种存储器件。
技术介绍
图像识别是人工智能的一个重要领域，图像识别是指利用计算机对图像进行处理、分析和理解，以识别各种不同模式的目标和对象的技术。目前人工智能图像识别主要是采用CMOS图像传感器的摄像头采集图像，图像以数字信号的形式传输至计算机的内存储器中，而后计算机的处理器将传输的图像信息与内存储器中预先存储的图像信息进行匹配，识别传输的图像信息。但是，人工智能图像识别的过程需要外接电源才能实现，能耗较高，并且不适合应用于野外极端条件等特殊环境，具有较大的局限性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种存储器件，突破目前图像识别的局限性。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构；所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的底电极、第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和顶电极；所述第二器件结构包括衬底，位于所述衬底上的鳍部，以及覆盖于所述鳍部的铁电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器件，其特征在于，包括：/n第一器件结构和第二器件结构；/n所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的底电极、第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和顶电极；/n所述第二器件结构包括衬底，位于所述衬底上的鳍部，以及覆盖于所述鳍部的铁电层，所述铁电层上的栅极层，所述栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极；/n所述底电极与所述源极连接，所述顶电极与所述漏极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，其特征在于，包括：
第一器件结构和第二器件结构；
所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的底电极、第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和顶电极；
所述第二器件结构包括衬底，位于所述衬底上的鳍部，以及覆盖于所述鳍部的铁电层，所述铁电层上的栅极层，所述栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极；
所述底电极与所述源极连接，所述顶电极与所述漏极连接。


2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述鳍部和所述铁电层之间还形成有绝缘层。


3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述底电极与所述源极之间形成有第一开关，所述顶电极和所述漏极之间形成有第二开关。


4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述底电极与所述源极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述顶电极与所述漏极通过第二金属线或第二硅通孔连接。


5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一器件结构为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨美音，崔岩，罗军，许静，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11