一种存储器件制造技术

本发明专利技术提供的一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的底电极、本征材料层、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和顶电极。第二器件结构包括衬底，位于衬底上的鳍部，覆盖于鳍部的铁电层，铁电层上的栅极层，栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极。底电极与源极连接，顶电极与漏极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构中，第二器件结构中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器件
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种存储器件。
技术介绍
图像识别是人工智能的一个重要领域，图像识别是指利用计算机对图像进行处理、分析和理解，以识别各种不同模式的目标和对象的技术。目前人工智能图像识别主要是采用CMOS图像传感器的摄像头采集图像，图像以数字信号的形式传输至计算机的内存储器中，而后计算机的处理器将传输的图像信息与内存储器中预先存储的图像信息进行匹配，识别传输的图像信息。但是，人工智能图像识别的过程需要外接电源才能实现，能耗较高，并且不适合应用于野外极端条件等特殊环境，具有较大的局限性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种存储器件，突破目前图像识别的局限性。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构；所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的底电极、第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和顶电极；所述第二器件结构包括衬底，位于所述衬底上的鳍部，以及覆盖于所述鳍部的铁电层，所述铁电层上的栅极层，所述栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极；所述底电极与所述源极连接，所述顶电极与所述漏极连接。可选的，所述鳍部和所述铁电层之间还形成有绝缘层。可选的，所述底电极与所述源极之间形成有第一开关，所述顶电极和所述漏极之间形成有第二开关。可选的，所述底电极与所述源极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述顶电极与所述漏极通过第二金属线或第二硅通孔连接。可选的，所述第一器件结构为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构；所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的底电极、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和顶电极；所述第二器件结构包括衬底，位于所述衬底上的鳍部，以及覆盖于所述鳍部的铁电层，所述铁电层上的栅极层，所述栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极；所述底电极与所述源极连接，所述顶电极与所述漏极连接。可选的，所述鳍部和所述铁电层之间还形成有绝缘层。可选的，所述底电极与所述源极之间形成有第一开关，所述顶电极和所述漏极之间形成有第二开关。可选的，所述底电极与所述源极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述顶电极与所述漏极通过第二金属线或第二硅通孔连接。可选的，所述第一器件结构为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。本专利技术实施例提供的存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的底电极、本征材料层、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和顶电极。第二器件结构包括衬底，位于衬底上的鳍部，覆盖于鳍部的铁电层，铁电层上的栅极层，栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极。底电极与源极连接，顶电极与漏极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构中，第二器件结构中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1和2示出了根据本专利技术实施例的一种存储器件的立体结构示意图；图3示出了根据本专利技术实施例的另一种存储器件的立体结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。正如
技术介绍
中的描述，人工智能图像识别的过程需要外接电源才能实现，能耗较高，并且不适合应用于野外极端条件等特殊环境，具有较大的局限性。为此，本申请提出了一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的底电极、本征材料层、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和顶电极。第二器件结构包括衬底，位于衬底上的鳍部，覆盖于鳍部的铁电层，铁电层上的栅极层，栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极。底电极与源极连接，顶电极与漏极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构中，第二器件结构中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。为了便于理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的说明。参考图1和图2所示，存储器件包括：第一器件结构10和第二器件结构20；第一器件结构10包括由下至上依次层叠的底电极102、第一掺杂材料层104、本征材料层110、第二掺杂材料层106和顶电极108；第二器件结构20包括衬底201，位于衬底201上的鳍部，以及覆盖于鳍部上的铁电层208，铁电层208上的栅极层，栅极层两侧露出的鳍部分别为源极202和漏极204；底电极102与源极202连接，顶电极108与漏极204连接。本申请实施例中，第一器件结构10可以为PIN光电二极管，包括第一掺杂材料层104、本征材料层110和第二掺杂材料层106，第一掺杂材料层104和第二掺杂材料层106具有相反的掺杂类型，第一掺杂材料层104为p型半导体材料层，则第二掺杂材料层106为n型半导体材料层；第一掺杂材料层104为n型半导体材料层，则第二掺杂材料层106为p型半导体材料层。第一掺杂材料层104和第二掺杂材料层106可以为半导体材料或半导体化合物材料，例如可以为硅、锗或砷化铟镓等材料。第一掺杂材料层104和第二掺杂材料层106之间的本征材料层110可以为掺杂浓度很低的材料层，由于在第一掺杂材料层104和第二掺杂材料层106之间掺入本征材料层110，可以增大耗尽区的宽度，提高响应速度。本征材料层110的厚度可以大于第一掺杂材料层104的厚度和第二掺杂材料层106的厚度。本实施例中，第一器件结构10可以为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。本实施例中，底电极102和顶电极108可以由导电材料形成，例如可以为金(A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器件，其特征在于，包括：/n第一器件结构和第二器件结构；/n所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的底电极、第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和顶电极；/n所述第二器件结构包括衬底，位于所述衬底上的鳍部，以及覆盖于所述鳍部的铁电层，所述铁电层上的栅极层，所述栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极；/n所述底电极与所述源极连接，所述顶电极与所述漏极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，其特征在于，包括：
第一器件结构和第二器件结构；
所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的底电极、第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和顶电极；
所述第二器件结构包括衬底，位于所述衬底上的鳍部，以及覆盖于所述鳍部的铁电层，所述铁电层上的栅极层，所述栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极；
所述底电极与所述源极连接，所述顶电极与所述漏极连接。


2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述鳍部和所述铁电层之间还形成有绝缘层。


3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述底电极与所述源极之间形成有第一开关，所述顶电极和所述漏极之间形成有第二开关。


4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述底电极与所述源极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述顶电极与所述漏极通过第二金属线或第二硅通孔连接。


5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一器件结构为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨美音，崔岩，罗军，许静，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11