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本发明提供的一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的底电极、本征材料层、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和顶电极。第二器件结构包括衬底，位于衬底上的鳍部，覆盖于鳍部的铁电层，铁电层上的栅极层，栅极层两侧露出的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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