BSI工艺深沟槽隔离制造方法技术

本发明专利技术公开了一种BSI工艺深沟槽隔离制造方法，包括以下步骤：刻蚀形成深沟槽隔离后淀积第一预设厚度的金属，将深沟槽隔离填充满并在深沟槽隔离表面及两侧形成覆盖层；采用研磨去除第二预设厚度的部分覆盖层；采用晶圆面内刻蚀速率能调节刻蚀工艺，刻蚀去除剩余的覆盖层，仅保留深沟槽隔离中的金属填充。本发明专利技术可改善晶圆面内均匀性，解决晶圆边缘窗口不足的问题；采用两步移除深沟槽隔离表面金属还可以调节深沟槽隔离顶部金属尺寸，降低天线效应，降低RTS。

【技术实现步骤摘要】
BSI工艺深沟槽隔离制造方法
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种用于BSI工艺的深沟槽隔离制造方法。
技术介绍
BSI(backsideilluminatedCIS)：是将硅片减薄后，在photodiode背面搭建CF及MicroLens，光线由背面射入，增大了光电元件感光面积，减少了光线经过布线时的损失，可以大幅提高CIS在弱光环境下的感光能力；BSI技术将CMOS成像的灵敏度提升到了一个新的水平。透镜排列在传感器后方的硅衬底上，而不是前方，前方的配线会限制光的吸收。相比旧的技术，这技术下的感光度和光吸收量提高了40％，而且还能形成更细的像素。随机电报噪声(RTS)：是表征CIS性能的一个重要参数,它是一个随机过程，在互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS，CMOSImageSensor)中，随机电报噪声会在本该是黑色的地方产生错误的白点，严重影响成像质量。现有BSI工艺中深沟槽隔离表面金属去除存在以下缺陷；1、造成很大的等离子损伤，增大暗电流及白点像素等缺陷，RTS性能也很差。2、深沟槽隔离金属填充的关键尺寸较大，引起天线效应，使随机电报噪声增大。天线效应：暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体,就像是一根根天线,会收集电荷(如等离子刻蚀产生的带电粒子)导致电位升高天线越长,收集的电荷也就越多,电压就越高，会引起阈值电压波动，引起噪声。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术要解决的技术问题是提供一种能降低随机电报噪声的BSI工艺深沟槽隔离制造方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种BSI工艺深沟槽隔离制造方法，包括以下步骤：S1，刻蚀形成深沟槽隔离后淀积第一预设厚度的金属，将深沟槽隔离填充满并在深沟槽隔离表面及两侧形成覆盖层；S2，采用研磨去除第二预设厚度的部分覆盖层；S3，刻蚀去除剩余的覆盖层，仅保留深沟槽隔离中的金属填充；其中，实施步骤S3时，晶圆面内刻蚀速率能调节。可选择的，进一步改进所述的BSI工艺深沟槽隔离制造方法，实施步骤S1时，采用PVD工艺淀积第一预设厚度金属。可选择的，进一步改进所述的BSI工艺深沟槽隔离制造方法，第一预设厚度范围是2000埃-4000埃。可选择的，进一步改进所述的BSI工艺深沟槽隔离制造方法，所述金属是钨。可选择的，进一步改进所述的BSI工艺深沟槽隔离制造方法，实施步骤S2时，采用化学机械研磨工艺去除第二预设厚度的部分覆盖层。可选择的，进一步改进所述的BSI工艺深沟槽隔离制造方法，第二预设厚度范围是500埃-2500埃。可选择的，进一步改进所述的BSI工艺深沟槽隔离制造方法，实施步骤S3时，采用等离子刻蚀工艺去除剩余的覆盖层。可选择的，进一步改进所述的BSI工艺深沟槽隔离制造方法，其能应用于55nm的BSI工艺中。本专利技术的原理如下：经过研究发现BSI现有的深沟槽隔离表面金属钨去除工艺为化学机械研磨或者等离子刻蚀。采用等离子刻蚀去除深沟槽隔离表面金属钨，经过测试发现会造成很大的等离子损伤，增大暗电流及白点像素等缺陷，RTS性能也很差。采用化学机械研磨去除深沟槽隔离表面金属钨，虽然深沟槽隔离表面损伤小，深沟槽隔离金属钨的关键尺寸较大，经过测试发现会引起天线效应，使随机电报噪声增大。为了提高BSI芯片性能，降低RTS噪声水平，本专利技术将化学机械研磨和等离子刻蚀结合应用于深沟槽隔离制造，分两步移除深沟槽隔离表面的金属钨,即先采用化学机械研磨移除第一预设厚度的金属钨,然后采用等离子刻蚀去除深沟槽隔离表面剩余的金属钨,采用分两步移除金属钨，能显著降低对硅衬底的等离子损。并且，由于化学机械研磨速率一般是晶圆中间慢，晶圆边缘快，而等离子刻蚀可调节晶圆面内刻蚀速率。因此，采用两者结合的工艺可改善面内均匀性，解决晶圆边缘窗口不足的问题；同时，采用分两步移除金属钨还可以调节深沟槽隔离顶部金属钨关键尺寸，降低天线效应，降低RTS。附图说明本专利技术附图旨在示出根据本专利技术的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本专利技术附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本专利技术附图不应当被解释为限定或限制由根据本专利技术的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是本专利技术流程示意图。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本专利技术的其他优点与技术效果。本专利技术还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离专利技术总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本专利技术下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本专利技术的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。第一实施例，如图1所示，本专利技术提供一种BSI工艺深沟槽隔离制造方法，其能应用于55nm的BSI工艺中，包括以下步骤：S1，刻蚀形成深沟槽隔离后采用PVD工艺淀积第一预设厚度的金属，将深沟槽隔离填充满并在深沟槽隔离表面及两侧形成覆盖层；S2，采用研磨去除第二预设厚度的部分覆盖层；S3，刻蚀去除剩余的覆盖层，仅保留深沟槽隔离中的金属填充；其中，实施步骤S3时，晶圆面内刻蚀速率能调节。第二实施例，本专利技术提供一种BSI工艺深沟槽隔离制造方法，其能应用于55nm的BSI工艺中，包括以下步骤：S1，刻蚀形成深沟槽隔离后采用PVD工艺淀积第一预设厚度的金属钨，将深沟槽隔离填充满并在深沟槽隔离表面及两侧形成覆盖层；S2，采用化学机械研磨去除第二预设厚度的部分覆盖层；S3，采用等离子刻蚀去除剩余的覆盖层，仅保留深沟槽隔离中的金属填充。第三实施例，本专利技术提供一种BSI工艺深沟槽隔离制造方法，其能应用于55nm的BSI工艺中，包括以下步骤：S1，刻蚀形成深沟槽隔离后采用PVD工艺淀积2000埃-4000埃厚度的金属钨，将深沟槽隔离填充满并在深沟槽隔离表面及两侧形成覆盖层；S2，采用化学机械研磨去除500埃-2500埃厚度的部分覆盖层；S3，采用等离子刻蚀去除剩余的覆盖层，仅保留深沟槽隔离中的金属填。进一步改进上述第三实施例，步骤S1中，刻蚀形成深沟槽隔离后采用PVD工艺淀积金属钨的优选厚度为2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种BSI工艺深沟槽隔离制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，刻蚀形成深沟槽隔离后淀积第一预设厚度的金属，将深沟槽隔离填充满并在深沟槽隔离表面及两侧形成覆盖层；/nS2，采用研磨去除第二预设厚度的部分覆盖层；/nS3，刻蚀去除剩余的覆盖层，仅保留深沟槽隔离中的金属填充；/n其中，实施步骤S3时，晶圆面内刻蚀速率能调节。/n

【技术特征摘要】
1.一种BSI工艺深沟槽隔离制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，刻蚀形成深沟槽隔离后淀积第一预设厚度的金属，将深沟槽隔离填充满并在深沟槽隔离表面及两侧形成覆盖层；
S2，采用研磨去除第二预设厚度的部分覆盖层；
S3，刻蚀去除剩余的覆盖层，仅保留深沟槽隔离中的金属填充；
其中，实施步骤S3时，晶圆面内刻蚀速率能调节。


2.如权利要求1所述的BSI工艺深沟槽隔离制造方法，其特征在于：
实施步骤S1时，采用PVD工艺淀积第一预设厚度金属。


3.如权利要求1所述BSI工艺深沟槽隔离制造方法，其特征在于：第一预设厚度范围是2000埃-4000埃。

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【专利技术属性】
技术研发人员：赵春山，康柏，张武志，曹亚民，周维，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31