一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器，梳状硅像素探测器为采用梳状硅像素探测单元组成的梳状硅像素探测单元阵列。梳状硅像素探测单元包括硅基体，硅基体顶面生成有二氧化硅层，二氧化硅层内刻蚀有P+阴极，硅基体的底面刻蚀有n+阳极；P+阴极由第一梳状阴极和第二梳状阴极组成，第一梳状阴极和第二梳状阴极由一个L型阴极以及位于L型阴极内并与其连接的多个条型阴极组成，两者的L型阴极相距一定距离相对设置，两者的多个条型阴极相互平行交叉设置，且第一梳状阴极的L型阴极不与第二梳状阴极的条型阴极连接，其条型阴极不与第二梳状阴极的L型阴极连接。实现了硅像素探测器的空间二维位置分辨，分辨率高、工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器
本技术属于硅探测器
，涉及一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器。
技术介绍
硅像素探测器在很早之前就已经被技术，为达到具有空间分辨力的特性，传统的硅像素探测器在硅晶圆的上下面都进行了像素的设计与制作，在硅晶圆一个面上设计像素单元阵列，在另一个面上设计一条阳极以及像素单元阵列，且该面上的像素单元阵列与阳极条平行(阳极条一般靠近像素单元阵列的最边沿)。通过上下两面像素单元阵列的设计，使硅像素探测器获得了二维的空间分辨力，然而空间分辨率相对较低，且应用双面半导体工艺技术制作，制备工艺难度较大。现有的硅像素探测器已经从双面设计理念和工艺技术提高到了单面设计和工艺。像素单元阵列在硅晶圆的一个面，阳极在另一整个面，工艺难度降低了很多，然而没有空间二维分辨的能力，完全只是一个pn结结构。
技术实现思路
本技术实施例的目的在于提供一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器，以解决现有像素单元阵列和阳极分开设计的硅像素探测器无空间二维位置分辨能力的问题，以及现有具备二维空间分辨能力的硅像素探测器空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种梳状硅像素探测单元，其特征在于，包括硅基体(5)，硅基体(5)顶面生成有二氧化硅层(6)，二氧化硅层(6)内刻蚀有P+阴极，硅基体(5)的底面刻蚀有n+阳极(4)；/n所述P+阴极由第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)组成，第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)相对交叉设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种梳状硅像素探测单元，其特征在于，包括硅基体(5)，硅基体(5)顶面生成有二氧化硅层(6)，二氧化硅层(6)内刻蚀有P+阴极，硅基体(5)的底面刻蚀有n+阳极(4)；
所述P+阴极由第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)组成，第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)相对交叉设置。


2.根据权利要求1所述的一种梳状硅像素探测单元，其特征在于，所述第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)均由一个L型阴极(7)以及位于L型阴极(7)内部并与其连接的多个条型阴极(8)组成，第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)的L型阴极(7)相距一定距离相对设置，第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)的多个条型阴极(8)相互平行交叉设置。


3.根据权利要求2所述的一种梳状硅像素探测单元，其特征在于，所述第一梳状阴极(2)的L型阴极(7)不与第二梳状阴极(3)的条型阴极(8)连接，第一梳状阴极(2)的条型阴极(8)不与第二梳状阴极(3)的L型阴极(7)连接。


4.根据权利要求2所述的一种梳状硅像素探测单元，其特征在于，每个所述L型阴极(7)内的多个条型阴极(8)相隔一定间隙平行设置并朝向L型阴极(7)的开口处倾斜，且多个条型阴极(8)以与其连接的L型阴极(7)的角平分线为对称轴对称设置。


5.根据权利要求2～4任一项所述的一种梳状硅像素探测单元，其特征在于，所述第一梳状阴极(2)和第二梳状阴极(3)的多个条型阴极(8)的长度均从与其连接的L型阴极(7)的内部中心向两侧依次递减，所有条型阴极(8)的宽度相等，且L型阴极(7)和条型...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正，李玉云，
申请(专利权)人：湖南正芯微电子探测器有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43