【技术实现步骤摘要】
图像感测装置
本专利文件中公开的技术和实现方式涉及一种图像感测装置。
技术介绍
图像感测装置是用于将光学图像转换成电信号的半导体装置。图像感测装置可以被分类为基于CCD(电荷耦合器件)的图像感测装置和基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的图像感测装置。近年来，随着CMOS图像传感器的不断发展，各种电子设备(例如，智能电话、数码相机等)对高质量和高性能CMOS图像传感器的需求迅速增加。CMOS图像传感器包括用于根据从外部接收的入射光而产生电荷的光电转换元件，以及用于处理与所产生的电荷相对应的电信号的一个或更多个电路。
技术实现思路
本公开的技术的各种实施方式涉及一种图像感测装置，除其它特征和益处之外，其能够改进形成于像素中的元件之间的隔离结构，并且改进图像感测装置的操作特性。根据本公开的技术的实施方式，一种图像感测装置可以包括：基板，其被配置为提供通过第一隔离结构彼此分开的像素区域；光电转换元件，其在像素区域中的每一个中设置在基板的下部区域中；浮置扩散(FD)区和第一晶体管，浮置扩散(FD)区和第一...
【技术保护点】
1.一种图像感测装置，所述图像感测装置包括：/n基板，所述基板被配置为提供像素区域，所述像素区域通过第一隔离结构而彼此分开；/n光电转换元件，所述光电转换元件在每个所述像素区域中设置在所述基板的下部区域中；/n浮置扩散区和第一晶体管，所述浮置扩散区和所述第一晶体管在每个所述像素区域中设置在第一有源区处，所述第一有源区位于所述基板的上部区域中；以及/n第二晶体管，所述第二晶体管在每个所述像素区域中设置在第二有源区处，所述第二有源区位于所述基板的所述上部区域中并且通过第二隔离结构而与所述第一有源区分开，/n其中，所述第二隔离结构设置成与所述基板的顶表面接触，并且包括在距所述基板...
【技术特征摘要】
20190705 KR 10-2019-00812501.一种图像感测装置，所述图像感测装置包括：
基板，所述基板被配置为提供像素区域，所述像素区域通过第一隔离结构而彼此分开；
光电转换元件，所述光电转换元件在每个所述像素区域中设置在所述基板的下部区域中；
浮置扩散区和第一晶体管，所述浮置扩散区和所述第一晶体管在每个所述像素区域中设置在第一有源区处，所述第一有源区位于所述基板的上部区域中；以及
第二晶体管，所述第二晶体管在每个所述像素区域中设置在第二有源区处，所述第二有源区位于所述基板的所述上部区域中并且通过第二隔离结构而与所述第一有源区分开，
其中，所述第二隔离结构设置成与所述基板的顶表面接触，并且包括在距所述基板的所述顶表面的预定深度内的杂质区。
2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一隔离结构包括沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构在通过蚀刻所述基板而形成的沟槽中包括绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一隔离结构穿过所述基板，并且具有围绕每个所述像素区域的形状。
4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二隔离结构包括P型杂质。
5.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一晶体管包括：
传输晶体管，所述传输晶体管被配置为将由所述光电转换元件产生的光电荷传输到所述浮置扩散区。
6.根据权利要求5所述的图像感测装置，其中，所述第二晶体管包括以下各项中的至少一个：
复位晶体管，所述复位晶体管被配置为响应于复位信号而初始化所述浮置扩散区；
源极跟随器晶体管，所述源极跟随器晶体管被配置为产生与被存储在所述浮置扩散区中的光电荷相对应的像素信号；或者
选择晶体管，所述选择晶体管被配置为响应于选择信号而将所述像素信号输出到列线。
7.根据权利要求1所述的图像感测装置，所述图像感测装置还包括：
分接头区，所述分接头区设置在每个所述像素区域中，并且被配置为通过所述第二隔离结构而与所述第一有源区和所述第二有源区隔离。
8.根据权利要求7所述的图像感测装置，其中：
所述分接头区设置成在第一方向上与所述第一有源区相邻；并且
所述第二有源区设置成在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一有源区相邻。
9.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述像素区域包括第一单位像素至第六单位像素，所述第一单位像素至第六单位像素被布置成包括3行和2列的矩阵结构以形成像素组，
其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭坪水，史昇训，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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