图像传感器及其像素单元制造技术

本实用新型专利技术公开了图像传感器及其像素单元，包括：P型衬底；所述P型衬底上设有P型外延层；所述P型外延层上设有第一P阱，所述第一P阱上设有若干个N型有源区；所述P型外延层上设有N阱，所述N阱上设有N型有源区；所述P型外延层上设有第二P阱，所述第二P阱上设有P型有源区；所述第一P阱与N阱连接，所述N阱与第二P阱连接；所述P型外延层的厚度为15微米至30微米。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其像素单元
本技术涉及集成电路领域，特别是涉及图像传感器及其像素单元。
技术介绍
本部分的陈述仅仅是提到了与本技术相关的
技术介绍
，并不必然构成现有技术。现有X射线探测一般采用间接探测的形式，通过前端闪烁体将X射线转换为可见光子，然后由图像传感器进行探测。由于前端闪烁体的转换效率约为80％，这种间接探测方式会损失一部分X射线，导致探测效率较低，探测器的灵敏度降低。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足，本技术提供了图像传感器及其像素单元；第一方面，本技术提供了图像传感器的像素单元；图像传感器的像素单元，包括：P型衬底；所述P型衬底上设有P型外延层；所述P型外延层上设有第一P阱，所述第一P阱上设有若干个N型有源区；所述P型外延层上设有N阱，所述N阱上设有N型有源区；所述P型外延层上设有第二P阱，所述第二P阱上设有P型有源区；所述第一P阱与N阱连接，所述N阱与第二P阱连接；所述P型外延层的厚度为15微米至30微米。第二方面，本技术提供了图像传感器；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.图像传感器的像素单元，其特征是，包括：P型衬底；/n所述P型衬底上设有P型外延层；/n所述P型外延层上设有第一P阱，所述第一P阱上设有若干个N型有源区；/n所述P型外延层上设有N阱，所述N阱上设有N型有源区；/n所述P型外延层上设有第二P阱，所述第二P阱上设有P型有源区；/n所述第一P阱与N阱连接，所述N阱与第二P阱连接；/n所述P型外延层的厚度为15微米至30微米。/n

【技术特征摘要】
1.图像传感器的像素单元，其特征是，包括：P型衬底；
所述P型衬底上设有P型外延层；
所述P型外延层上设有第一P阱，所述第一P阱上设有若干个N型有源区；
所述P型外延层上设有N阱，所述N阱上设有N型有源区；
所述P型外延层上设有第二P阱，所述第二P阱上设有P型有源区；
所述第一P阱与N阱连接，所述N阱与第二P阱连接；
所述P型外延层的厚度为15微米至30微米。


2.如权利要求1所述的像素单元，其特征是，所述P型外延层电阻率为1000至10000欧姆每微米。


3.图像传感器，其特征是，包括：多个如权利要求1所述的像素单元，多个像素单元组成像素阵列，所述像素阵列分别与列级读出电路、时序控制电路和偏置电路连接，所述列级读出电路与数据缓冲器和时序控制电路连接，所述数据缓冲器分别与地址译码器、接口配置单元、时钟产生电路、时序控制电路和偏置电路连接；所述地址译码器分别与时序控制电路、...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亮，王萌，董家宁，王安庆，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：新型
国别省市：山东;37