一种矩阵式射线成像板制备方法技术

本发明专利技术一种矩阵式射线成像板制备方法；其包括纳米射线探测材料、反光层、吸收剂、树脂粘结剂、保护层；其特征在于将粘结剂与吸收剂、射线探测材料按比例进行密炼、造粒，然后将造粒后的混合物置于模具内，在模具底部加入反光薄膜，利用热压方式将材料热压制备成板材，然后利用丝网印刷、喷涂、刮涂方式在表面制备出保护层，同时在成像板表面制备出矩阵列就得到所需的射线成像板，将矩阵成像板与TFT成像器件配合使用可以实现射线成像。

【技术实现步骤摘要】
一种矩阵式射线成像板制备方法
本专利技术属医疗、工业、安检中射线成像

技术介绍
现有X光成像已经广泛用于医疗诊断的实时影像、大型安检成像等，现有成像传感器技术产品的结构主要是由：射线荧光板、无机半导体光传感元件、控制配套电路等组成，其中半导体光传感元件主要是非晶硅、非晶硒、CMOS、CCD等，这些的固态半导体器件形成复杂的矩阵感光像素平板，将荧光图像转为电信号，从而形成数字影像生成与存储。现有技术不足是上述无机半导体器件形成阵列具有复杂的工艺结构，不可弯曲，成像面积受到限制、像素较大、成本昂贵，器件体积较大等。中国专利：201016215901、2012103939402、2006100644606、2014103057586，美国专利US9735194、US5093576揭示了现有技术制备原理与工艺。本专利技术一种矩阵式射线成像板制备方法；其包括纳米射线探测材料、反光层、吸收剂、树脂粘结剂、保护层；其特征在于将粘结剂与吸收剂、射线探测材料按比例进行密炼、造粒，然后将造粒后的混合物置于模具内，在模具底部加入反光薄膜，利用热压方式将材料热压制备成板材，然后利用丝网印刷、喷涂、刮涂方式在表面制备出保护层，同时在成像板表面制备出矩阵列就得到所需的射线成像板，将矩阵成像板与TFT成像器件配合使用可以实现射线成像。本专利技术可以用于医疗、工业、安检中X光成像
，也可以用于便携式三维立体X光成像，中子成像、质子成像等。
技术实现思路
本专利技术一种矩阵式射线成像板制备方法；其包括纳米射线探测材料、反光层、吸收剂、树脂粘结剂、保护层；其特征在于将粘结剂与吸收剂、射线探测材料按比例进行密炼、造粒，然后将造粒后的混合物置于模具内，在模具底部加入反光薄膜，利用热压方式将材料热压制备成板材，然后利用丝网印刷、喷涂、刮涂方式在表面制备出保护层，同时在成像板表面制备出矩阵列就得到所需的射线成像板，将矩阵成像板与TFT成像器件配合使用可以实现射线成像。本专利技术中纳米射线探测材料为ZnS；Ag、BaFCl；Eu、BaCl2、GOS；Tb、GOS；Pr、中的一种或多种；其颗粒尺寸分布范围为100-300nm。本专利技术中的反光层由PET基板和扩散剂组成的背光反射膜，扩散剂为PMMA微球、PC微球、PS微球、PET微球中的一种或多种，其粒度分布为100-300nm；置于成像板的背面，降低光的闪射，提高成像效率。本专利技术的吸收剂为6LiF、6LiCl、6Li2CO3、152Gd2O3、152GdF3中的一种或多种；通过在射线探测材料中添加吸收剂可以将射线吸收转化，提高安全性；树脂粘结剂为环氧树脂、聚苯胺、尼龙、纤维素、TPU、PVDF中的一种或多种；保护层为UV油墨、聚丙烯酰胺油墨、氟硅树脂油墨中的一种或多种，在成像板表面起到防潮、抗刮的作用。一种矩阵式射线成像板制备方法；其特征在于将吸收剂以重量比10%-30%加入纳米射线探测材料中，然后进行球磨混料2-8小时，混合均匀后将树脂粘结剂按重量百分比3%-5%加入其中，置于密炼机中进行混合，混合均匀后在双螺杆造粒机中将材料通过挤出切粒制备成直径为1-3mm的母粒。将造粒后的材料放入热压模具中，同时在模具底部加入反光层，热压温度为150度-400度，压力为30-100MPa，热压时间10-30min，热压结束后在表面通过丝网印刷制备出保护层，然后经过表面清洗、抛光、雕刻工艺在成像板表面制备出矩阵阵列就得到所需的射线成像板，成像板厚度在0.1-5mm范围内可调；将矩阵成像板与TFT成像器件配合使用可以实现射线成像，在医疗成像、海关安检、核工业检测领域有较好的应用前景。附图说明图1一种矩阵式射线成像板的结构截面图图2一种矩阵式射线成像板的结构平面图图中结构为：1反光层，2射线成像层，3保护层，4纳米射线探测，5吸收剂，6射线矩阵阵列，7TFT矩阵。具体实施方式本专利技术一种矩阵式射线成像板制备方法；其包括纳米射线探测材料、反光层、吸收剂、树脂粘结剂、保护层；其特征在于将粘结剂与吸收剂、射线探测材料按比例进行密炼、造粒，然后将造粒后的混合物置于模具内，在模具底部加入反光薄膜，利用热压方式将材料热压制备成板材，然后利用丝网印刷、喷涂、刮涂方式在表面制备出保护层，同时在成像板表面制备出矩阵列就得到所需的射线成像板，将矩阵成像板与TFT成像器件配合使用可以实现射线成像。本专利技术中纳米射线探测材料为ZnS；Ag、BaFCl；Eu、BaCl2、GOS；Tb、GOS；Pr、中的一种或多种；其颗粒尺寸分布范围为100-300nm。本专利技术中纳米射线探测材料GOS；Tb的合成工艺：将Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Sr2O3按重量比1：0.05:0.001：0.0005称量后置于烧杯中，然后加入硝酸溶解完成后在电炉上加热挥发多余的硝酸，然后加入总重量500倍的去离子水稀释，冷却后加入100ml质量分数为10%-15%的EDTA溶液，置于微波反应釜中反应，反应完成后离心、水洗、干燥，然后再加入重量比3%-5%的高纯硫研磨均匀，置于气氛保护炉内反应，炉内通氮气保护，炉温设置200-500度；反应时间1-3小时，反应完成后水洗，干燥得到纳米射线探测材料，粒度分布100-200nm，发射波长520nm。本专利技术中纳米射线探测材料ZnS；Ag制备方式为：将Ag（NO3）溶解至5x10-4g/ml的溶液，将金属铊用硝酸溶解制备成5x10-5g/ml的溶液，将Al2（SO4）3制备成2x10-4g/ml的溶液，然后按重量比1：0.05：0.005：0.01依次取ZnS、Ag离子溶液、Tl离子溶液、Al离子溶液置于表面皿中，然后加入去离子水搅拌均匀后干燥得到前驱体，将干燥后的前驱体置于管式炉内，炉内通循环氩气，炉温设置500-800度，反应时间30-60min，反应结束将水洗干燥后所得到的材料进行表面硅化处理得到防潮性能优异的纳米射线探测材料，粒度分布150-300nm，发射波长430-480nm。本专利技术中纳米射线探测材料GOS；Pr制备方式为：将Gd2O3、Pr6O11、CeO2按重量比1：0.025:0.0001称量后置于烧杯中，然后加入硝酸溶解完成后在电炉上加热挥发多余的硝酸，然后加入总重量300倍的去离子水稀释，冷却后加入80ml质量分数为15%-30%的草酸溶液，置于微波反应釜中反应，反应完成后离心、水洗、干燥，然后再加入重量比3%-5%的高纯硫研磨均匀，置于气氛保护炉内反应，炉内通氮气保护，炉温设置300-600度；反应时间1-2小时，反应完成后水洗，干燥得到纳米射线探测材料，粒度分布200-300nm，发射波长530nm。本专利技术中纳米射线探测材料BaFCl；Eu制备方式为：将Eu2O3用硝酸溶解制备成0.5mol/L的溶液备用，将NH4F溶解制备成5x10-2g/ml的溶液，将BaCl2溶解制备成0.1g/ml的溶液，然后按体积比1：1：0.01依次取BaCl2溶液、NH4F溶液、Eu2O3溶液置于微波反应釜中，设置温度5本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种矩阵式射线成像板制备方法；其包括纳米射线探测材料、反光层、吸收剂、树脂粘结剂、保护层；其特征在于将粘结剂与吸收剂、射线探测材料按比例进行密炼、造粒，然后将造粒后的混合物置于模具内，在模具底部加入反光薄膜，利用热压方式将材料热压制备成板材，然后利用丝网印刷、喷涂、刮涂方式在表面制备出保护层，同时在成像板表面制备出矩阵列就得到所需的射线成像板，将矩阵成像板与TFT成像器件配合使用可以实现射线成像。/n

【技术特征摘要】
1.一种矩阵式射线成像板制备方法；其包括纳米射线探测材料、反光层、吸收剂、树脂粘结剂、保护层；其特征在于将粘结剂与吸收剂、射线探测材料按比例进行密炼、造粒，然后将造粒后的混合物置于模具内，在模具底部加入反光薄膜，利用热压方式将材料热压制备成板材，然后利用丝网印刷、喷涂、刮涂方式在表面制备出保护层，同时在成像板表面制备出矩阵列就得到所需的射线成像板，将矩阵成像板与TFT成像器件配合使用可以实现射线成像。


2.如权利要求1所述的一种矩阵式射线成像板制备方法；其特征在于所述的纳米射线探测材料为ZnS；Ag、BaFCl；Eu、BaCl2、GOS；Tb、GOS；Pr、中的一种或多种；其颗粒尺寸分布范围为100-300nm。


3.如权利要求1所述的一种矩阵式射线成像板制备方法；其特征在于所述的反光层由PET基板和扩散剂组成的背光反射膜，扩散剂为PMMA微球、PC微球、PS微球、PET微球中的一种或多种，其粒度分布为100-300nm；置于成像板的背面，降低光的闪射，提高成像效率。


4.如权利要求1所述的一种矩阵式射线成像板制备方法；其特征在于所述的吸收剂为6LiF、6LiCl、6Li2CO3、152Gd2O3、152GdF3中的一种或多种；通过在射线探测材料中添加吸收剂可以将射线吸收转化，提高安全性...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭素文，郑岩，张瑞君，全丽华，蔡震涛，陈磊，
申请(专利权)人：上海洞舟实业有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31