【技术实现步骤摘要】
用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法
本专利技术涉及一种用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法。
技术介绍
现有的图像传感器主要包括像素阵列、时序控制、模拟信号处理以及模数转换等模块，其中像素阵列是实现光电转换功能的核心部分。像素阵列是由一定数量的像素单元组成，像素单元包括且不仅限于感光区和信号读取的外围电路，这些外围电路是由实现不同功能的有源区（例如MOS管，包括且不仅限于传输晶体管，行选择晶体管，复位晶体管以及源跟随晶体管的有源区）构成。随着器件尺寸的不断减小，有源区之间的间距也越来越近，不同有源区之间的隔离显得十分重要。图1为现有技术中通过反型掺杂进行有源区隔离方法的示意图。其中，1为复位晶体管，2为行选择晶体管，3为信号放大器（源跟随晶体管），4为电荷读取区域（浮置扩散区），6为光电信号转换器件（光电二极管），7为控制开关晶体管（传输晶体管），8为信号读出区域，9为工作电压接入区域，10为后续引入的掺杂区域，12为相对于10的反型掺杂区域，该反型掺杂区域12在电荷读取区域4和信号读出区域8之间形成反向背...
【技术保护点】
1.一种用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，/n在图像传感器像素单元中需隔离的有源区之间设置有栅极结构以实现开关功能，从而实现所述有源区的电学隔离。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，
在图像传感器像素单元中需隔离的有源区之间设置有栅极结构以实现开关功能，从而实现所述有源区的电学隔离。
2.如权利要求1所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，在所述栅极结构上施加偏置电压以实现开关功能，从而实现所述有源区的电学隔离。
3.如权利要求2所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，用于隔离N型有源区的栅极结构的偏置电压和用于隔离P型有源区的栅极结构的偏置电压不同。
4.如权利要求3所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，对于N型有源区隔离，阈值电压为0V到10V之间，所述偏置电压小于阈值电压时，所述栅极结构为关闭状态；所述偏置电压大于阈值电压时，所述栅极结构为开启状态。
5.如权利要求3所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，对于P型有源区隔离，阈值电压为-10V到0V之间，所述偏置电压大于阈值电压时，所述栅极结构为关闭状态；所述偏置电压小于阈值电压时，所述栅极结构为开启状态。
6.如权利要求4或5所述的用于图像传感器像素单元中有源区隔离的方法，其特征在于，栅极结构材料的掺杂类型与浓度不同，用于隔离有源区的栅极结构的偏置电压不同。...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵立新，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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