图像传感器封装件的电互连制造技术

本公开涉及图像传感器封装件的电互连。半导体封装件的具体实施可包括：半导体管芯，该半导体管芯具有第一侧和第二侧；以及有源区域，该有源区域位于该管芯的该第二侧上。该半导体封装件还可包括两个或更多个凸块，该两个或更多个凸块耦接至该管芯的该第二侧上的两个或更多个管芯焊盘。该半导体封装件可包括光学透射封盖，该光学透射封盖通过粘合剂、两个或更多个凸块以及第一重新分布层(RDL)耦接至该半导体管芯。该半导体封装件可包括与该半导体管芯的该第二侧上的该第一RDL耦接的第二重新分布层(RDL)。该第二RDL可延伸至该半导体管芯的该第一侧。该第一RDL可延伸至该半导体管芯的边缘。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器封装件的电互连
本文档的各方面整体涉及半导体封装件，诸如用于相机、移动电话和类似设备中的图像传感器封装件。更具体的具体实施涉及图像传感器芯片尺寸封装件。
技术介绍
半导体封装件有时具有穿硅通孔(TSV)，以在图像传感器封装件的前侧金属焊盘与背侧外部端子之间提供电互连。TSV的形成包括硅和电介质蚀刻、隔离平版印刷以及加工步骤期间的温度变化。
技术实现思路
半导体封装件的具体实施可包括：半导体管芯，该半导体管芯具有第一侧和第二侧；以及有源区域，该有源区域位于管芯的第二侧上。该半导体封装件还可包括两个或更多个凸块，该两个或更多个凸块耦接至管芯的第二侧上的两个或更多个管芯焊盘。半导体封装件可包括光学透射封盖，该光学透射封盖通过粘合剂、两个或更多个凸块以及第一重新分布层(RDL)耦接至半导体管芯。半导体封装件可包括与半导体管芯的第二侧上的第一RDL耦接的第二重新分布层(RDL)。第二RDL可延伸至半导体管芯的第一侧。第一RDL可延伸至半导体管芯的边缘。半导体封装件的具体实施可包括以下中的一项、全部或任一项：两个或更多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n半导体管芯，所述半导体管芯包括第一侧和第二侧；/n有源区域，所述有源区域包括在所述管芯的所述第二侧上；/n两个或更多个凸块，所述两个或更多个凸块耦接至所述管芯的第二侧上的两个或更多个管芯焊盘；/n光学透射封盖，所述光学透射封盖通过粘合剂、所述两个或更多个凸块以及第一重新分布层RDL耦接至所述半导体管芯；以及/n第二重新分布层RDL，所述第二重新分布层RDL与所述半导体管芯的所述第二侧上的第一RDL耦接并延伸至所述半导体管芯的所述第一侧；/n其中所述第一RDL延伸至所述半导体管芯的边缘。/n

【技术特征摘要】
20190627 US 16/455,6761.一种半导体封装件，包括：
半导体管芯，所述半导体管芯包括第一侧和第二侧；
有源区域，所述有源区域包括在所述管芯的所述第二侧上；
两个或更多个凸块，所述两个或更多个凸块耦接至所述管芯的第二侧上的两个或更多个管芯焊盘；
光学透射封盖，所述光学透射封盖通过粘合剂、所述两个或更多个凸块以及第一重新分布层RDL耦接至所述半导体管芯；以及
第二重新分布层RDL，所述第二重新分布层RDL与所述半导体管芯的所述第二侧上的第一RDL耦接并延伸至所述半导体管芯的所述第一侧；
其中所述第一RDL延伸至所述半导体管芯的边缘。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述半导体管芯的一个或多个侧壁与由所述半导体管芯的所述第一侧形成的平面成介于85度和60度之间的角度。


3.一种半导体封装件，包括：
半导体管芯，所述半导体管芯包括第一侧和第二侧；
有源区域，所述有源区域包括在所述管芯的所述第二侧上；
两个或更多个凸块，所述两个或更多个凸块在所述有源区域的任一侧上耦接至所述管芯的第二侧；
第一重新分布层RDL，所述第一重新分布层RDL耦接至所述两个或更多个凸块中的每一个凸块并延伸至所述半导体管芯的边缘；
光学透射封盖，所述光学透射封盖通过所述两个或更多个凸块和第一RDL耦接至所述半导体管芯；
第二重新分布层RDL，所述第二重新分布层RDL与所述半导体管芯的所述第二侧上的所述第一RDL耦接，所述第二RDL延伸至所述半导体管芯的所述第一侧。


4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中所述半导体管芯的一个或多个侧壁与由所述半导体管芯的所述第一侧形成的平面成介于85度和60度之间的角度。

【专利技术属性】
技术研发人员：徐守谦，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US