基于漂浮电极的硅像素探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于漂浮电极的硅像素探测器，所述硅像素探测器包括长方体状的硅基体，硅基体顶面中间设有收集阴极，收集阴极外侧的硅基体顶面设有第一漂浮电极环和第二漂浮电极环，收集阴极顶面设有金属铝，收集阴极外侧的硅基体顶面、第一漂浮电极环顶面和第二漂浮电极环顶面均设有二氧化硅层，硅基体底面依次设有阳极层和金属铝；所述硅像素探测器内部的电势分布均匀，死区面积小，电荷收集效率和探测效率较高，收集阴极的表面积较小，硅像素探测器的输入电容降低、噪声减小，分辨率较高。

【技术实现步骤摘要】
基于漂浮电极的硅像素探测器
本技术属于光电探测器
，涉及一种基于漂浮电极的硅像素探测器。
技术介绍
目前半导体探测器主要用于高能核物理、航空航天、军事、医药、脉冲星导航等
，传统硅像素探测器的单元体积较大，有效电极面积与像素单元的上表面积一致，而有效电极面积较大会相应增大探测单元的输入电容，进而增大探测单元的有效串联噪声、降低信噪比，降低硅像素探测器的能量分辨率，同时探测单元体积较大的传统硅像素探测器不易设计成阵列，位置分辨率较低，响应时间较长。
技术实现思路
为了达到上述目的，本技术提供一种基于漂浮电极的硅像素探测器，本技术的收集阴极面积较小，漏电流、电容较低，信噪比较高，电荷收集效率、能量分辨率和位置分辨率提高，响应时间缩短。本技术所采用的技术方案是，基于漂浮电极的硅像素探测器，包括长方体状的硅基体，硅基体顶面中间设有正方形的收集阴极，收集阴极周围的硅基体顶面设有第一漂浮电极环和第二漂浮电极环，收集阴极、第一漂浮电极环和第二漂浮电极环的中心相同，收集阴极顶面设有金属铝，金属铝周围的硅基体顶面、第一漂浮电极环顶面、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于漂浮电极的硅像素探测器，其特征在于，包括长方体状的硅基体(5)，硅基体(5)顶面中间设有正方形的收集阴极(1)，收集阴极(1)周围的硅基体(5)顶面设有第一漂浮电极环(2)和第二漂浮电极环(3)，收集阴极(1)、第一漂浮电极环(2)和第二漂浮电极环(3)的中心相同，收集阴极(1)顶面设有金属铝(7)，金属铝(7)周围的硅基体(5)顶面、第一漂浮电极环(2)顶面、第二漂浮电极环(3)顶面均设有二氧化硅层(4)，硅基体(5)底面依次设有阳极层(6)和金属铝(7)；/n所述第一漂浮电极环(2)和第二漂浮电极环(3)的宽度相同，所述收集阴极(1)与第一漂浮电极环(2)之间、第一漂浮电极环(2)...

【技术特征摘要】
1.基于漂浮电极的硅像素探测器，其特征在于，包括长方体状的硅基体(5)，硅基体(5)顶面中间设有正方形的收集阴极(1)，收集阴极(1)周围的硅基体(5)顶面设有第一漂浮电极环(2)和第二漂浮电极环(3)，收集阴极(1)、第一漂浮电极环(2)和第二漂浮电极环(3)的中心相同，收集阴极(1)顶面设有金属铝(7)，金属铝(7)周围的硅基体(5)顶面、第一漂浮电极环(2)顶面、第二漂浮电极环(3)顶面均设有二氧化硅层(4)，硅基体(5)底面依次设有阳极层(6)和金属铝(7)；
所述第一漂浮电极环(2)和第二漂浮电极环(3)的宽度相同，所述收集阴极(1)与第一漂浮电极环(2)之间、第一漂浮电极环(2)和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍朝晟，李正，肖永光，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：新型
国别省市：湖南;43