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本实用新型公开了一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器，梳状硅像素探测器为采用梳状硅像素探测单元组成的梳状硅像素探测单元阵列。梳状硅像素探测单元包括硅基体，硅基体顶面生成有二氧化硅层，二氧化硅层内刻蚀有P+阴极，硅基体的底面刻蚀有n+阳极...
该专利属于湖南正芯微电子探测器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南正芯微电子探测器有限公司授权不得商用。

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