硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，包括：腔体，所述腔体上开设有光学窗口；硅漂移探测器，设置于所述腔体内；准直器，设置于所述腔体内，将透过所述光学窗口的光线耦合至所述硅漂移探测器的光接收端；放大器，设置于所述腔体内，与所述硅漂移探测器电连接，用于放大所述硅漂移探测器的输出信号；制冷器件，具有冷端和热端，所述冷端靠近所述腔体设置，所述热端远离所述腔体设置。本实用新型专利技术采用半导体制冷器件，具有无需制冷剂、可连续工作、没有污染、结构简单、噪声小、寿命长、效率高、耗电低、易于控制操作等特点，既能制冷又能制热，可以让探测器在常温下工作，也可以在深空环境或者极端环境下工作。也可以在深空环境或者极端环境下工作。也可以在深空环境或者极端环境下工作。

【技术实现步骤摘要】
硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构


[0001]本技术属于封装结构领域，具体涉及一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构。

技术介绍

[0002]硅漂移探测器(SDD)因其能量分辨率高在高能物理与航天航空领域具有特殊的地位，比如用于大型加速装置的顶点探测器或者脉冲星导航的探测器系统。同时，由于其灵敏度高、计数率高，在工业、医疗和安全检测等领域也有广泛应用，比如光谱仪、无损检测、工业探伤等。然而现有商业探测器主要是小面积的，且阴极环基本上只分布在一面上，大大限制了其进一步发展。除此之外，在国内，尽管已有探测器器件的研发，其与级放大器的制冷封装技术鲜有报道。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，用于解决现有技术的缺陷。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，包括：
[0005]腔体，所述腔体上开设有光学窗口；
[0006]硅漂移探测器，设置于所述腔体内；
[0007]准直器，设置于所述腔体内，将透过所述光学窗口的光线耦合至所述硅漂移探测器的光接收端；
[0008]放大器，设置于所述腔体内，与所述硅漂移探测器电连接，用于放大所述硅漂移探测器的输出信号；
[0009]制冷器件，具有冷端和热端，所述冷端靠近所述腔体设置，所述热端远离所述腔体设置。
[0010]可选地，所述硅漂移探测器至少包括一探测器芯片，所述放大器包括场效应晶体管，所述探测器芯片与所述场效应晶体管集成于同一衬底上。
[0011]可选地，所述探测器芯片为双面螺旋型芯片或单面螺旋型芯片。
[0012]可选地，所述硅漂移探测器的面积为20mm2～3000mm2。
[0013]可选地，所述硅漂移探测器的厚度为100um～1mm。
[0014]可选地，所述制冷器件为半导体制冷器件。
[0015]可选地，所述光学窗口处设置有一用于滤光的滤光片。
[0016]可选地，所述滤光片由铍制成。
[0017]可选地，还包括壳体，所述腔体与所述制冷器件设置于所述壳体内。
[0018]可选地，还包括散热器，所述热端产生的热量通过所述散热器进行散热。
[0019]如上所述，本技术的一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，具有以下
有益效果：
[0020]本技术采用半导体制冷器件，具有无需制冷剂、可连续工作、没有污染、结构简单、噪声小、寿命长、效率高、耗电低、易于控制操作等特点，既能制冷又能制热，可以让探测器在常温下工作，也可以在深空环境或者极端环境下工作。
附图说明
[0021]图1为一实施例提供的一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构的示意图。
具体实施方式
[0022]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0023]需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0024]如图1所示，一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，包括：
[0025]腔体4，所述腔体上开设有光学窗口1；
[0026]硅漂移探测器3，设置于所述腔体内；
[0027]准直器1、2，设置于所述腔体内，将透过所述光学窗口的光线耦合至所述硅漂移探测器的光接收端；
[0028]放大器，设置于所述腔体内，与所述硅漂移探测器电连接，用于放大所述硅漂移探测器的输出信号；
[0029]制冷器件5，具有冷端和热端，所述冷端靠近所述腔体设置，所述热端远离所述腔体设置。
[0030]本技术采用半导体制冷器件，具有无需制冷剂、可连续工作、没有污染、结构简单、噪声小、寿命长、效率高、耗电低、易于控制操作等特点，既能制冷又能制热，可以让探测器在常温下工作，也可以在深空环境或者极端环境下工作。
[0031]在一实施例中，所述硅漂移探测器至少包括一探测器芯片，所述放大器包括场效应晶体管，所述探测器芯片与所述场效应晶体管集成于同一衬底上。其中，场效应晶体管为结型场效应晶体管。
[0032]g为重置二极管的引脚；h为后续放大器的反馈信号引脚；i为结型场效应晶体管漏极引脚； j为结型场效应晶体管栅极引脚；k为结型场效应晶体管源极引脚；l与m为制冷片的温控二极管的两个引脚。
[0033]在一实施例中，所述探测器芯片为双面螺旋型芯片或单面螺旋型芯片。其中，所述硅漂移探测器的面积为20mm2～3000mm2。所述硅漂移探测器的厚度为100um～1mm。硅漂移探测器可以是面积从20mm2至3000mm2的双面或者单面阴极环设计，厚度可以从百微米至毫米
级别。以双面螺旋型芯片为例，图1中各字母分别代表不同的接口。a为引出SDD背面/接收面悬空保护环，用于施加电压；b为引出SDD背面/接收面阴极环第一环，用于施加偏置电压；c 为引出SDD背面/接收面阴极环最后一环，用于施加偏置电压；d为引出SDD正面/读出面阴极环最后一环，用于施加偏置电压；e为引出SDD正面/读出面阴极环第一环，用于施加偏置电压；f为引出SDD正面/读出面悬空保护，用于施加偏置电压；需要注意的是，SDD阴极环最外圈的保护环可以视情况接线施加偏置电压，通常情况下建议留下引脚，图1中并未示出。
[0034]在一实施例中，所述制冷器件为半导体制冷器件。半导体制冷器件的工作原理是基于帕尔帖原理，当n型半导体(Bi2Te3
‑
Bi2Se3)与p型半导体(Bi2Te3
‑
Sb2Te3)连结的热电偶中有电流通过时，两端会产生热量转移，从而形成温差冷热端。这种制冷片所利用的帕尔帖效应是可逆的，改变电流方向便可改变其放热与吸热接头。如图1所示，n与o为帕尔贴制冷片的两个端口，即n为冷端，o为热端。p端口接向散热器，所述热端产生的热量通过所述散热器进行散热。
[0035]在一实施例中，所述光学窗口处设置有一用于滤光的滤光片。具体地，所述滤光片由铍制成。Be(铍)可以阻挡硬X射线，而只允许软X射线通过。
[0036]上述实施例仅例示性说明本技术的原理及其功效，而非用于限制本技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属
中具有通常知识者在未脱离本技术所揭示的精神与技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，其特征在于，包括：腔体，所述腔体上开设有光学窗口；硅漂移探测器，设置于所述腔体内；准直器，设置于所述腔体内，将透过所述光学窗口的光线耦合至所述硅漂移探测器的光接收端；放大器，设置于所述腔体内，与所述硅漂移探测器电连接，用于放大所述硅漂移探测器的输出信号；制冷器件，具有冷端和热端，所述冷端靠近所述腔体设置，所述热端远离所述腔体设置。2.根据权利要求1所述的硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，其特征在于，所述硅漂移探测器至少包括一探测器芯片，所述放大器包括场效应晶体管，所述探测器芯片与所述场效应晶体管集成于同一衬底上。3.根据权利要求2所述的硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，其特征在于，所述探测器芯片为双面螺旋型芯片或单面螺旋型芯片。4.根据权利要求1、2或3所述的硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘曼文，李正，
申请(专利权)人：湖南正芯微电子探测器有限公司，
类型：新型
国别省市：