多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路制造技术

本申请涉及半导体存储器件技术领域，具体涉及一种多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路。该多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路包括：第一数据存储单元和第二数据存储单元；第一参考电流源和第二参考电流源；锁存比较器包括第一数据端和第二数据端，第一数据端的数据和第二数据端的数据互为反码；第一控制单元用于根据控制信号控制第一数据存储单元的数据节点或第一参考电流源的输入端，与第一数据端导通；第二控制单元用于根据控制信号控制第二数据存储单元的数据节点或第二参考电流源的输入端，与第二数据端导通。本申请可以解决相关技术中难以测量双单元结构的多次可编程EEPROM单元结构中存储位元的电压裕度问题。

【技术实现步骤摘要】
多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路
本申请涉及半导体存储器件
，具体涉及一种多次可编程EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory，带电可擦除可编程只读存储器)单元的裕度测量电路。
技术介绍
半导体集成电路工业已经产生了多种器件以解决许多不同领域中的问题。这些器件中的一些，如半导体存储器，被配置用于存储运算所需的二进制数据。只读存储器(ROM)是半导体存储器中的一种，只读存储器包括MTP(MultipleTimeProgrammable，多次可编程)存储器和OTP(OneTimeprogrammable，一次可编程)存储器，对于MTP存储器，EEPROM是其中的一种，可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程，适于制作需要修改其中数据的只读存储器。图1为相关技术中一种多次可编程EEPROM单元结构的原理图，参照图1，包括存储位元Cell，在进行读操作时，向存储位元Cell的字线WL施加裕度范围内的电压，使得在存储位元Cell中存储二进制数表征在存储位元Cell的位线B本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路，其特征在于，所述多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路包括：/n第一数据存储单元和第二数据存储单元；/n第一参考电流源和第二参考电流源；/n锁存比较器，所述锁存比较器包括第一数据端和第二数据端，所述第一数据端的数据和第二数据端的数据互为反码；/n第一控制单元，所述第一控制单元将所述第一数据存储单元的数据节点，和所述第一参考电流源的输入端，连接在所述第一数据端上，用于根据控制信号控制所述第一数据存储单元的数据节点或第一参考电流源的输入端，与所述第一数据端导通；/n第二控制单元，所述第二控制单元将所述第二数据存储单元的数据节点，和所述第二参考电流...

【技术特征摘要】
1.一种多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路，其特征在于，所述多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路包括：
第一数据存储单元和第二数据存储单元；
第一参考电流源和第二参考电流源；
锁存比较器，所述锁存比较器包括第一数据端和第二数据端，所述第一数据端的数据和第二数据端的数据互为反码；
第一控制单元，所述第一控制单元将所述第一数据存储单元的数据节点，和所述第一参考电流源的输入端，连接在所述第一数据端上，用于根据控制信号控制所述第一数据存储单元的数据节点或第一参考电流源的输入端，与所述第一数据端导通；
第二控制单元，所述第二控制单元将所述第二数据存储单元的数据节点，和所述第二参考电流源的输入端，连接在所述第二数据端上，用于根据控制信号控制所述第二数据存储单元的数据节点或第二参考电流源的输入端，与所述第二数据端导通。


2.如权利要求1所述的多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路，其特征在于，所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号，所述第一控制信号与所述第二控制信号互为反相。


3.如权利要求2所述的多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路，其特征在于，所述第一控制单元包括：第一晶体管和第二晶体管；
所述第一晶体管的漏极连接所述第一数据端，源极连接所述第一数据存储单元的数据节点，栅极连接所述第一控制信号；
所述第二晶体管的漏极连接所述第一数据端，源极连接所述第一参考电流源的输入端，栅极连接所述第二控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31