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本申请涉及半导体存储器件技术领域，具体涉及一种多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路。该多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路包括：第一数据存储单元和第二数据存储单元；第一参考电流源和第二参考电流源；锁存比较器包括第一数据端和第二数据端...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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