一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法、装置、存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开的一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法、装置、存储介质和计算机设备，对数据处理流程进行了改进，使每个存储单元的模板状态、变化前、变化后的单元状态都能够获得，从而能够得到所有单元状态在相应编程状态下的阈值电压分布；另外，针对编程状态的阈值电压宽度非规则的情况和参考电压正向偏移扫过的阈值电压区间会发生重叠的情况，本发明专利技术将得到的第一阈值电压分布图中相邻单元状态之间的重叠区域进行移除，最终得到的第二阈值电压分布图能够更加清楚、详细地描述目标NAND闪存的阈值电压分布，还能够根据第一阈值电压分布图和第二阈值电压分布图分别对每个参考电压扫描过的对应状态的阈值电压宽度所需的最大偏移步长进行计算。

【技术实现步骤摘要】
一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法、装置、存储介质
本专利技术涉及固态存储
，尤其涉及一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法、装置、存储介质和计算机设备。
技术介绍
目前，NAND闪存会使用一个标定的阈值电压值表示理想情况下存储的数据，但因为受到多种噪声的干扰，NAND闪存的存储单元的阈值电压会产生偏移，得到的实际阈值电压在一定范围内呈现概率分布。为了读取闪存单元的存储信息，需要利用参考电压来判断存储单元的阈值电压所在的区间。现有技术中，NAND闪存中阈值电压的分布通过扫描参考电压的偏移来确定，若NAND闪存中的存储单元在参考电压的两个不同偏移下读取的数据不同，则其阈值电压就在两个参考电压偏移后的阈值电压值之间；但其得到的阈值电压分布信息为所有存储单元状态在编程状态的阈值电压分布叠加后的情况，其各个状态的阈值电压分布的重合区域是叠加在一起的，即无法分离出每个存储单元状态在编程状态的阈值电压区间分布情况；并且，对于编程状态的阈值电压宽度为非规则的情况，一般采用将受干扰较小的状态的阈值电压区间减小，将被压缩出的阈值电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法，其特征在于，包括：/n获取目标NAND闪存中的测试块，以及与所述测试块对应的多个参考电压，生成与所述测试块对应的模板数据，并将所述模板数据写入所述测试块中，确定所述测试块的各个存储单元写入所述模板数据时对应的编程状态；/n通过预设扫描步长对所述参考电压进行正向偏移，并利用偏移后的参考电压值对所述测试块进行扫描，确定所述测试块中不同编程状态的存储单元对应的单元状态和阈值电压区间，直到最大偏移步数，得到各个单元状态在相应编程状态下的第一阈值电压分布图；/n根据所述第一阈值电压分布图中相邻单元状态对应的阈值电压分布图，确定其中一个阈值电压分布图的重叠区域...

【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法，其特征在于，包括：
获取目标NAND闪存中的测试块，以及与所述测试块对应的多个参考电压，生成与所述测试块对应的模板数据，并将所述模板数据写入所述测试块中，确定所述测试块的各个存储单元写入所述模板数据时对应的编程状态；
通过预设扫描步长对所述参考电压进行正向偏移，并利用偏移后的参考电压值对所述测试块进行扫描，确定所述测试块中不同编程状态的存储单元对应的单元状态和阈值电压区间，直到最大偏移步数，得到各个单元状态在相应编程状态下的第一阈值电压分布图；
根据所述第一阈值电压分布图中相邻单元状态对应的阈值电压分布图，确定其中一个阈值电压分布图的重叠区域，并将所述重叠区域移除后得到第二阈值电压分布图，将所述第二阈值电压分布图作为所述目标NAND闪存的阈值电压分布。


2.根据权利要求1所述的一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法，其特征在于，将所述模板数据写入所述测试块中，确定所述测试块的各个存储单元写入所述模板数据时对应的编程状态的步骤之后，还包括：
初始化各个参考电压对应的参考电压值以及偏移步数，并将所述参考电压值设置为默认参考电压值，将所述偏移步数归零。


3.根据权利要求2所述的一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法，其特征在于，所述通过预设扫描步长对所述参考电压进行正向偏移的步骤之前，还包括：
利用当前的默认参考电压值对所述测试块进行扫描，读取所述测试块中各个存储单元的存储数据，并将所述存储数据转换为单元状态，对当前扫描得到的各个存储单元的单元状态进行暂存。


4.根据权利要求3所述的一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法，其特征在于，所述利用偏移后的参考电压值对所述测试块进行扫描，确定所述测试块中不同编程状态的存储单元对应的单元状态和阈值电压区间，直到最大偏移步数，得到各个单元状态在相应编程状态下的第一阈值电压分布图的步骤，包括：
获取偏移后的参考电压值，并利用所述参考电压值对所述测试块进行扫描，读取所述测试块中各个存储单元的单元状态；
根据当前的单元状态以及偏移前的参考电压值对应的单元状态，确定不同编程状态的存储单元所在的阈值电压区间，并计算所述阈值电压区间内的存储单元数量；
将当前参考电压值扫描得到的各个存储单元的单元状态进行暂存后，对所述参考电压值进行正向偏移，确定偏移后的阈值电压区间以及对应的存储单元数量，直到最大偏移步数，得到各个单元状态在相应编程状态下的第一阈值电压分布图。


5.根据权利要求4所述的一种NAND闪存中阈值电压分布的测量方法，其特征在于，所述将当前参考电压值扫描得到的各个存储单元的单元状态进行暂存后，对所述参考电压值进行正向偏移，确定偏移后的阈值电压区间以及对应的存储单元数量，直到最大偏移步数的步骤之后，还包括：
从左往右依次确定各个偏移步数下的阈值电压扫描结果，其中，所述阈...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩国军，黄三维，朱广平，方毅，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44