一种SOT-MRAM的测试结构及其测试方法技术

本发明专利技术提供了一种SOT‑MRAM的测试结构及其测试方法，该测试结构包括n个首尾依次串联连接的自旋轨道矩磁存储位元。每个自旋轨道矩磁存储位元包括自旋轨道矩提供线、设置在自旋轨道矩提供线上的磁性隧道结；相邻两个自旋轨道矩磁存储位元之间，其中一个中的磁性隧道结与另一个中的自旋轨道矩提供线连接。还包括用于激励n个磁性隧道结的激励电路、及两个第一测试电极，两个第一测试电极分别与n个自旋轨道矩磁存储位元中位于首尾两端的两个自旋轨道矩磁存储位元连接。通过设置n个自旋轨道矩磁存储位元首尾依次串联连接、第一测试电极、及激励电路，简化测试结构，减小测试器件的总面积。同时对大量器件进行测试，提高测试效率。

【技术实现步骤摘要】
一种SOT-MRAM的测试结构及其测试方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种SOT-MRAM的测试结构及其测试方法。
技术介绍
近年来发展迅速的磁性随机存储器SOT(SpinOrbitTorque，自旋轨道转矩)MRAM(MagneticRandomAccessMemory，一种非易失性的磁性随机存储器)具有优异的特性。其克服了SRAM(StaticRandom-AccessMemory，静态随机存取存储器)面积大、尺寸微缩后漏电大的缺点；其还克服了DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)需要一直进行数据刷新，功耗大的缺点。磁性随机存储器SOTMRAM相对Flashmemory(闪存)，其读写时间和可读写次数优越几个数量级。当前MRAM存储器的核心存储单元普遍采用具有垂直磁化特性的磁性隧道结，其层数多，厚度小，制备工艺十分复杂。需要对多种电性参数进行测试与监控。在研发以及量产阶段为了监控器件Rp(Resistanceparallel，平行态电阻)、Rap(Resistanceanti-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SOT-MRAM的测试结构，其特征在于，包括：/nn个首尾依次串联连接的自旋轨道矩磁存储位元，每个自旋轨道矩磁存储位元包括自旋轨道矩提供线、以及设置在所述自旋轨道矩提供线上的磁性隧道结；相邻的两个自旋轨道矩磁存储位元之间，其中一个自旋轨道矩磁存储位元中的磁性隧道结与另一个自旋轨道矩磁存储位元中的自旋轨道矩提供线连接；/n用于激励所述n个磁性隧道结的激励电路；/n用于测试所述n个磁性隧道结的电阻值的两个第一测试电极，所述两个第一测试电极分别与所述n个自旋轨道矩磁存储位元中位于首尾两端的两个自旋轨道矩磁存储位元连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种SOT-MRAM的测试结构，其特征在于，包括：
n个首尾依次串联连接的自旋轨道矩磁存储位元，每个自旋轨道矩磁存储位元包括自旋轨道矩提供线、以及设置在所述自旋轨道矩提供线上的磁性隧道结；相邻的两个自旋轨道矩磁存储位元之间，其中一个自旋轨道矩磁存储位元中的磁性隧道结与另一个自旋轨道矩磁存储位元中的自旋轨道矩提供线连接；
用于激励所述n个磁性隧道结的激励电路；
用于测试所述n个磁性隧道结的电阻值的两个第一测试电极，所述两个第一测试电极分别与所述n个自旋轨道矩磁存储位元中位于首尾两端的两个自旋轨道矩磁存储位元连接。


2.如权利要求1所述的SOT-MRAM的测试结构，其特征在于，所述激励电路包括：
两个第二测试电极；每个自旋轨道矩提供线的两端分别与所述两个第二测试电极串联连接，且任意两个自旋轨道矩提供线之间并联连接；
串联在每个自旋轨道矩提供线两端且用于控制所述两个第二测试电极与每个自旋轨道矩提供线之间开路还是闭路的两个控制开关。


3.如权利要求2所述的SOT-MRAM的测试结构，其特征在于，每个控制开关具有两个接线端、以及控制所述两个接线端开路或闭路的控制端；每个控制开关上的两个接线端中的一个接线端与对应的自旋轨道矩提供线连接，另一个接线端与对应的第二测试电极连接；且同一自旋轨道矩提供线上的两个控制开关的控制端串联连接；
所述测试结构还包括：m个第三测试电极，其中，m为大于0且小于或等于n的整数；每个第三测试电极至少与一个自旋轨道矩提供线上的两个控制开关的控制端连接，以控制所述控制开关开路或闭路；且每个自旋轨道矩提供线上的两个控制开关的控制端仅与一个第三测试电极连接。


4.如权利要求1所述的SOT-MRAM的测试结构，其特征在于，任意相邻的两个自旋轨道矩磁存储位元之间，其中一个自旋轨道矩磁存储位元中的自旋轨道矩提供线与另一个自旋轨道矩磁存储位元中的自旋轨道矩提供线串联连接；
所述两个第一测试电极还分别与所述n个自旋轨道矩提供线中位于首尾两端的两个自旋轨道...

【专利技术属性】
技术研发人员：哀立波，王明，王璐，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33