本申请提供了一种存储器的测试电路和测试方法。存储器包括至少一个存储单元,存储单元包括第一端和第二端,该测试电路包括:电流施加单元,电流施加单元的两端分别与第一端和第二端电连接,电流施加单元用于向存储单元提供恒定电流;电压读取单元,电压读取单元的两端分别与第一端和第二端电连接,电压读取单元用于读取存储单元在恒定电流时的电压。该测试电路的电流施加单元向存储单元提供恒定的电流,使得存储单元在恒定的电流下工作,电压读取单元读取存储单元在恒定电流时的电压,这样利用恒定电流和读取得到的电压就可以计算得到存储单元的电阻,该电阻仅为存储单元的电阻,不包括串联的其他寄生电阻。
【技术实现步骤摘要】
存储器的测试电路和测试方法
本申请涉及存储器领域,具体而言,涉及一种存储器的测试电路和测试方法。
技术介绍
传统的MRAM阵列和芯片级嵌入式MRAM阵列的测试电路都是在源极线(SourceLine,简称SL)端和位线(BitLine,简称BL)端之间施加读取电压,进行电流读取,并根据电压和电流计算电阻,具体可以参见图1。这种方法缺点在于BL端和SL端实际上通过铜线连接到阵列内部的铜线,并且,一般经过decoder/MUX寻址电路中的若干MOS管02后才可到达MTJ位元01,检测电路上串联了极大的寄生电阻03,尤其在线宽越来越小,阵列密度越来越大的情况下,大大的降低了有效磁性隧道磁阻(TMR),读出放大器的精度变差。在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解,因此,
技术介绍
中可能包含某些信息,这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种存储器的测试电路和测试方法,以解决现有技术中的存储器的存储单元的电阻的检测精度不高的问题。为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种存储器的测试电路,所述存储器包括至少一个存储单元,所述存储单元包括第一端和第二端,该测试电路包括:电流施加单元,所述电流施加单元的两端分别与所述第一端和所述第二端电连接,电流施加单元用于向所述存储单元提供恒定电流;电压读取单元,所述电压读取单元的两端分别与所述第一端和所述第二端电连接,所述电压读取单元用于读取所述存储单元在恒定电流时的电压。进一步地,所述电流施加单元包括电流源,所述电流源的两端分别与所述第一端和所述第二端电连接,所述电压读取单元包括电压表,所述电压表的两端分别与所述第一端和所述第二端电连接。进一步地,所述存储器包括多个以阵列方式分布的所述存储单元,所述电流施加单元还包括:第一选择器,包括两个第一输出端和两个第一输入端,两个所述第一输出端分别与预定的所述存储单元的所述第一端和所述第二端电连接,两个所述第一输入端分别与所述电流源的两端电连接;电压读取单元还包括:第二选择器,包括两个第二输出端和两个第二输入端,两个所述第二输入端分别与预定的所述存储单元的所述第一端和所述第二端电连接,两个所述第二输出端分别与所述电压表的两端电连接。进一步地,各所述存储单元包括驱动器和与所述驱动器电连接的存储电阻,所述第二选择器包括多个并联的开关,所述开关与所述驱动器一一对应串联。进一步地,所述电流施加单元还包括:第一译码器,与所述第一选择器电连接,所述第一译码器用于产生第一选择信号并传输至所述第一选择器,所述第一选择信号用于选择预定的所述存储单元;所述测试电路还包括:第二译码器,与所述存储器电连接,所述第二译码器用于产生第二选择信号并传输至所述存储器,所述第二选择信号用于控制预定的所述存储单元所在行的控制端;所述电压读取单元还包括:第三译码器,与所述第二选择器电连接,所述第三译码器用于产生第三选择信号并传输至所述第二选择器,所述第三选择信号用于选择预定的所述存储单元,且在读取预定的所述存储单元的电阻的过程中,所述第一译码器与所述第三译码器均选择预定的所述存储单元。进一步地,所述第三译码器包括读使能端,所述使能端的输入电压控制所述第二选择器的开启和关闭。进一步地,所述驱动器为MOS管,所述MOS管包括源极、栅极和漏极,所述存储器还包括多个间隔设置的源极线、多个间隔设置的字线和多个间隔设置的位线,所述源极线与所述源极一一对应地电连接,所述字线与一行所述MOS管的所述栅极均电连接,所述位线与所述存储电阻一一对应地电连接,所述源极线的任意一端为所述第一端,所述位线的任意一端为所述第二端,所述字线的任意一端为所述控制端。进一步地,所述第一选择器和/或所述第二选择器为源极线/位线选择器,所述源极线/位线选择器用于与预定的所述存储单元的所述源极线和所述位线电连接。根据本申请的另一方面,提供了一种存储器的测试方法,所述存储器包括至少一个存储单元,所述测试方法包括:向预定的存储单元输入恒定电流;读取预定的所述存储单元两端的电压;根据所述恒定电流和所述电压计算预定的所述存储单元的电阻。进一步地,所述存储器包括多个以阵列方式分布的所述存储单元,在向预定的所述存储单元输入恒定电流之前,所述测试方法还包括:选择出预定的所述存储单元;在读取预定的所述存储单元两端的电压之前,所述测试方法还包括:选择出预定的所述存储单元。应用本申请的技术方案,上述的测试电路中,电流施加单元向存储单元提供恒定的电流,使得存储单元在恒定的电流下工作,电压读取单元读取存储单元在恒定电流时的电压,这样利用恒定电流和读取得到的电压就可以计算得到存储单元的电阻,该电阻仅为存储单元的电阻,不包括串联的其他寄生电阻,所以该测试电路对存储单元的电阻的检测结果较准确。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:图1示出了现有技术中的一种存储单元以及对应的电阻测试电路;图2示出了本申请的一种实施例提供的存储单元以及对应的电阻测试电路;图3示出了本申请的另一种实施例提供的存储单元以及对应的电阻测试电路。其中,上述附图包括以下附图标记:01、MTJ位元;02、MOS管;03、寄生电阻;10、存储单元;11、驱动器;12、存储电阻;13、字线;14、位线;15、源极线;16、寄生电阻;20、第一选择器;30、第二选择器;40、第一译码器;50、第二译码器;60、第三译码器;70、电流源;80、电压表;61、读使能端。具体实施方式应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。应该理解的是,当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时,该元件可直接在该另一元件上,或者也可存在中间元件。而且,在说明书以及权利要求书中,当描述有元件“连接”至另一元件时,该元件可“直接连接”至该另一元件,或者通过第三元件“连接”至该另一元件。正如
技术介绍
所介绍的,现有技术中的存储器的存储单元的电阻的检测精度不高,为了解决如上的问题,本申请提出了一种存储器的测试电路和测试方法。本申请的一种典型的实施方式中,提供了一种存储器的测试电路,上述存储器包括至少一个存储单元,上述存储单元包括第一端和第二端,其中,该测试电路包括电流施加单元和电压读本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器的测试电路,所述存储器包括至少一个存储单元(10),所述存储单元(10)包括第一端和第二端,其特征在于,所述测试电路包括:/n电流施加单元,所述电流施加单元的两端分别与所述第一端和所述第二端电连接,电流施加单元用于向所述存储单元(10)提供恒定电流;/n电压读取单元,所述电压读取单元的两端分别与所述第一端和所述第二端电连接,所述电压读取单元用于读取所述存储单元(10)在恒定电流时的电压。/n
【技术特征摘要】
1.一种存储器的测试电路,所述存储器包括至少一个存储单元(10),所述存储单元(10)包括第一端和第二端,其特征在于,所述测试电路包括:
电流施加单元,所述电流施加单元的两端分别与所述第一端和所述第二端电连接,电流施加单元用于向所述存储单元(10)提供恒定电流;
电压读取单元,所述电压读取单元的两端分别与所述第一端和所述第二端电连接,所述电压读取单元用于读取所述存储单元(10)在恒定电流时的电压。
2.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述电流施加单元包括电流源(70),所述电流源(70)的两端分别与所述第一端和所述第二端电连接,所述电压读取单元包括电压表(80),所述电压表(80)的两端分别与所述第一端和所述第二端电连接。
3.根据权利要求2所述的测试电路,其特征在于,所述存储器包括多个以阵列方式分布的所述存储单元(10),
所述电流施加单元还包括:
第一选择器(20),包括两个第一输出端和两个第一输入端,两个所述第一输出端分别与预定的所述存储单元(10)的所述第一端和所述第二端电连接,两个所述第一输入端分别与所述电流源(70)的两端电连接;
电压读取单元还包括:
第二选择器(30),包括两个第二输出端和两个第二输入端,两个所述第二输入端分别与预定的所述存储单元(10)的所述第一端和所述第二端电连接,两个所述第二输出端分别与所述电压表(80)的两端电连接。
4.根据权利要求3所述的测试电路,其特征在于,各所述存储单元(10)包括驱动器(11)和与所述驱动器(11)电连接的存储电阻(12),所述第二选择器(30)包括多个并联的开关,所述开关与所述驱动器(11)一一对应串联。
5.根据权利要求4所述的测试电路,其特征在于,
所述电流施加单元还包括:第一译码器(40),与所述第一选择器(20)电连接,所述第一译码器(40)用于产生第一选择信号并传输至所述第一选择器(20),所述第一选择信号用于选择预定的所述存储单元(10);
所述测试电路还包括:第二译码器(50),与所述存储器电连接,所述第二译码器(50)用于产生第二选择信号并传输至所述存储器,所述第二选择信号用于控制预...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘少鹏,熊宝玉,
申请(专利权)人:中电海康集团有限公司,浙江驰拓科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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