一种低电压SRAM时间参数的片上测量电路及测量方法技术

本发明专利技术提供一种低电压SRAM时间参数的片上测量电路及测量方法，包括测量控制模块与时间测量模块，所述时间测量模块与测量控制模块连接，通过测量控制模块控制时间测量模块，所述测量控制模块基于存储器内建自测试模块，测量控制模块包含BIST控制逻辑、BIST测试向量生成逻辑以及时间测量控制模块，所述时间测量模块包含延迟单元，比较器和累加器。通过增添测量控制模块与时间测量模块，对大规模芯片内大批量SRAM测试，在进行MBIST测试的同时，也实现了对SRAM各个存储单元访问时间的测量，针对一个或者多个SRAM同时进行访问时间测量，实现“全速”自测量，测量结果准确，降低对ATE的依赖，有效降低测试成本。

An on-chip measurement circuit and method of SRAM time parameters with low voltage

【技术实现步骤摘要】
一种低电压SRAM时间参数的片上测量电路及测量方法
本专利技术涉及集成电路测试
，尤其涉及一种低电压SRAM时间参数的片上测量电路及测量方法。
技术介绍
在信息化大潮中，人工智能、物联网、大数据、区块链相互赋能，产业优化升级和经济快速发展。而数据在这些高新技术发展的过程中发挥着核心角色的作用，这也当然会对电子信息存储产品提出了更高的要求——高密度、高速度、低功耗、低成本等。FLASH、DRAM、SRAM存储是当前市场主流。DRAM密度高、使用电容储存结构相对简单，又具有低延迟、高效能和接近无限次存取的耐用度，功耗也比较低。SRAM由于其读写速度非常快，数据能够在最短的时间送入CPU进行处理并快速输出至外部，因此SRAM被广泛的应用于各种场合。芯片低功耗和高速度之间的矛盾，业界一直认为两者平衡是不回避这一矛盾最关键的解决方法。低功耗SRAM设计中，降低电源电压最为有效。在低电压设计中，追求更低的工作电压和功耗，势必会对SRAM的性能约束更为苛刻。SRAM的访问时间是性能主要时间参数之一，通常外部探测对高性能电路的不利影响，以及需要考本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低电压SRAM时间参数的片上测量电路，其特征在于：包括测量控制模块与时间测量模块，所述时间测量模块与测量控制模块连接，通过测量控制模块控制时间测量模块，所述测量控制模块基于存储器内建自测试模块，测量控制模块包含BIST控制逻辑、BIST测试向量生成逻辑以及时间测量控制模块，所述时间测量模块包含延迟单元，比较器和累加器。/n

【技术特征摘要】
1.一种低电压SRAM时间参数的片上测量电路，其特征在于：包括测量控制模块与时间测量模块，所述时间测量模块与测量控制模块连接，通过测量控制模块控制时间测量模块，所述测量控制模块基于存储器内建自测试模块，测量控制模块包含BIST控制逻辑、BIST测试向量生成逻辑以及时间测量控制模块，所述时间测量模块包含延迟单元，比较器和累加器。


2.如权利要求1所述的一种低电压SRAM时间参数的片上测量电路，其特征在于：所述时间测量控制模块为多路选择器，选择或屏蔽信号，该模块连接存储器内建自测试产生的输入待测SRAM测试向量和从待测SRAM输出的结果至时间测量模块。


3.如权利要求1所述的一种低电压SRAM时间参数的片上测量电路，其特征在于：所述时间测量模块共包含15级延迟单元D0-D14串联，系统时钟CLK接D0，信号CLK经D0-D14后产生信号CLK_1-CLK_15，其中延迟单元由两级反相器构成，第一级延迟单元D0的延迟为1ns，其他延迟单元D1-D14延迟均为20ps。


4.如权利要求3所述的一种低电压SRAM时间参数的片上测量电路，其特征在于：所述比较器C0-C15时钟端接待测SRAM输...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕凯，施明旻，王明，杨涵，王运波，王子轩，蔡志匡，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32