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本发明提供了一种SOT‑MRAM的测试结构及其测试方法，该测试结构包括n个首尾依次串联连接的自旋轨道矩磁存储位元。每个自旋轨道矩磁存储位元包括自旋轨道矩提供线、设置在自旋轨道矩提供线上的磁性隧道结；相邻两个自旋轨道矩磁存储位元之间，其中一个...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

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