闪存编程操作方法和操作电路技术

本申请设计存储器领域，具体涉及一种闪存编程操作方法和操作电路。其中。方法包括：向存储单元的位线提供脉冲序列信号，脉冲序列信号包括：在时域上依次交替的高电平期间和低电平期间；在编程许可信号的控制下，使得存储单元，在脉冲序列信号的一段高电平期间，根据编程输入数据进行编程操作；在脉冲序列信号的一段低电平期间，使得存储单元进行读检测操作；读检测操作包括：读出存储单元中存储的数据，比较在低电平期间读出的数据与编程输入数据是否一致；若一致，停止编程操作；否则，使得存储单元，在下一段高电平期间，再一次根据编程输入数据进行编程操作，并在随后的低电平期间进行读检测操作。其中，电路用于执行上述方法。

【技术实现步骤摘要】
闪存编程操作方法和操作电路
本申请设计存储器领域，具体涉及一种闪存编程操作方法和操作电路。
技术介绍
闪存(Flash)，是一种不挥发性内存，可以对区块(sector)进行擦除操作(Erase)和编程操作(Program)，在对区块进行擦除操作时，该区块所有的位(bit)被擦除为“1”状态，在对区块进行编程操作时，该区块的某些位(bit)从“1”状态改为“0”状态，且在进行编程操作之前需要进行擦除操作，将所有位(bit)擦除为“1”状态。在很多情况下，比如闪存运用在金融卡时，要求对一个区块进行擦除操作和编程操作的总时间小于1ms，为此，通常采用降低编程操作时间的手段，来降低擦除操作和编程操作的总时间。然而，相关技术通常采用增加一次编程操作的位数来降低降低擦除操作和编程操作的总时间，但是此种手段会增加闪存进行编程操作时的功耗。
技术实现思路
本申请提供了一种闪存编程操作方法和操作电路，可以解决相关技术中在降低擦除操作和编程操作的总时间时，编程功耗较大的问题。作为本申请的第一方面，提供一种闪存编程操作方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存编程操作方法，其特征在于，所述闪存编程操作方法包括：/n向存储单元的位线提供脉冲序列信号，所述脉冲序列信号包括：在时域上依次交替的高电平期间和低电平期间；/n在编程许可信号的控制下，使得所述存储单元，在所述脉冲序列信号的一段高电平期间，根据编程输入数据进行编程操作；/n在所述脉冲序列信号的一段低电平期间，使得所述存储单元进行读检测操作；所述读检测操作包括：读出所述存储单元中存储的数据，比较在所述低电平期间读出的数据与所述编程输入数据是否一致；/n若一致，停止编程操作；否则，使得所述存储单元，在下一段高电平期间，再一次根据编程输入数据进行编程操作，并在随后的低电平期间进行读检测操作，...

【技术特征摘要】
1.一种闪存编程操作方法，其特征在于，所述闪存编程操作方法包括：
向存储单元的位线提供脉冲序列信号，所述脉冲序列信号包括：在时域上依次交替的高电平期间和低电平期间；
在编程许可信号的控制下，使得所述存储单元，在所述脉冲序列信号的一段高电平期间，根据编程输入数据进行编程操作；
在所述脉冲序列信号的一段低电平期间，使得所述存储单元进行读检测操作；所述读检测操作包括：读出所述存储单元中存储的数据，比较在所述低电平期间读出的数据与所述编程输入数据是否一致；
若一致，停止编程操作；否则，使得所述存储单元，在下一段高电平期间，再一次根据编程输入数据进行编程操作，并在随后的低电平期间进行读检测操作，直至读出的数据与所述编程输入数据相同停止编程操作。


2.如权利要求1所述的闪存编程操作方法，其特征在于，还包括：
若存储单元，依次经历脉冲序列信号的特定段高电平期间后，仍未能够被正确读出，则停止编程操作，更换编程输入数据。


3.如权利要求1所述的闪存编程操作方法，其特征在于，在开始产生编程许可信号时，所述脉冲序列信号复位至低电平期间。


4.如权利要求1所述的闪存编程操作方法，其特征在于，电荷泵模块用于产生能够使得所述存储单元进行编程操作的高压信号；脉冲控制模块连接在所述电荷泵模块的输出端和所述存储单...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄明永，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31