【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法
本公开总体上涉及一种电子装置,更具体地,涉及一种存储装置及其操作方法。
技术介绍
存储装置是被配置成在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置包括被配置成在诸如硬盘驱动器(HDD)的磁盘上存储数据的装置,以及被配置成在诸如固态驱动器(SSD)或存储器卡的半导体存储器(即非易失性存储器)中存储数据的装置。存储装置可以包括被配置成存储数据的存储器装置,以及被配置成控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置可以分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。非易失性存储器装置可以是只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)等。
技术实现思路
各种实施方式提供一种用于将读取操作与编程操作一起执行的存储装置及该存储装置的操作方法。根据本公开的一个实施方式的是一种存储装置,其包 ...
【技术保护点】
1.一种存储装置,该存储装置包括用于存储数据的存储器装置和用于控制所述存储器装置的存储器控制器,/n其中,所述存储器装置包括:/n允许位设置寄存器,该允许位设置寄存器被配置成存储允许位,所述允许位与在读取操作中被读取的读取数据中所包括的失败位进行比较;以及/n读取操作控制器,该读取操作控制器被配置成控制所述存储器装置在编程操作之后立即执行所述读取操作,并且/n其中,所述存储器控制器包括:/n命令生成器,该命令生成器被配置成生成指示所述存储器装置执行操作的命令;/n坏块处理器,该坏块处理器被配置成基于由所述存储器装置执行的所述读取操作的结果设置坏块;以及/n失败信息控制器,该 ...
【技术特征摘要】
20190528 KR 10-2019-00627151.一种存储装置,该存储装置包括用于存储数据的存储器装置和用于控制所述存储器装置的存储器控制器,
其中,所述存储器装置包括:
允许位设置寄存器,该允许位设置寄存器被配置成存储允许位,所述允许位与在读取操作中被读取的读取数据中所包括的失败位进行比较;以及
读取操作控制器,该读取操作控制器被配置成控制所述存储器装置在编程操作之后立即执行所述读取操作,并且
其中,所述存储器控制器包括:
命令生成器,该命令生成器被配置成生成指示所述存储器装置执行操作的命令;
坏块处理器,该坏块处理器被配置成基于由所述存储器装置执行的所述读取操作的结果设置坏块;以及
失败信息控制器,该失败信息控制器被配置成基于由所述存储器装置执行的所述读取操作的结果来设置下一读取操作的操作模式。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述命令生成器生成编程直接读取命令,所述编程直接读取命令指示所述存储器装置在所述存储器装置执行所述编程操作之后编程验证操作通过时,通过读取在所述存储装置中的被编程的数据来确定所述编程操作的通过或失败。
3.根据权利要求2所述的存储装置,其中,在所述存储器装置执行对应于所述编程直接读取命令的操作的情况下所述编程验证操作通过时,所述读取操作控制器控制所述存储器装置读取所述被编程的数据。
4.根据权利要求2所述的存储装置,其中,所述存储器装置将被包括在通过读取所述被编程的数据而获得的所述读取数据中的失败位的数量与所述允许位的数量进行比较,并且基于比较结果输出编程通过信息或编程失败信息。
5.根据权利要求4所述的存储装置,其中,所述存储器装置:
在所述失败位的数量超过所述允许位的数量时输出所述编程失败信息;并且
在所述失败位的数量未超过所述允许位的数量时输出所述编程通过信息。
6.根据权利要求4所述的存储装置,其中,所述坏块处理器基于所述编程失败信息将包括执行了所述编程操作的存储器单元的存储块作为坏块处理。
7.根据权利要求6所述的存储装置,其中,所述坏块处理器生成关于被作为坏块处理的所述存储块的坏块信息。
8.根据权利要求7所述的存储装置,其中,所述命令生成器生成重新编程命令,以用于允许对与被作为坏块处理的所述存储块不同的存储块重新执行编程操作。
9.根据权利要求4所述的存储装置,其中,所述失败信息控制器包括:
失败信息计数器,该失败信息计数器被配置成通过对接收到所述编程失败信息的次数进行计数来生成计数值;
允许位设置组件,该允许位设置组件被配置成基于所述计数值输出允许位设置命令,以用于改变存储在所述允许位设置寄存器中的允许位;
感测电路选择器,该感测电路选择器被配置成基于所述计数值输出感测电路选择信息,以用于选择执行感测操作的电路;以及
读取操作设置组件,该读取操作设置组件被配置成基于所述计数值输出读...
【专利技术属性】
技术研发人员:金秋锡,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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