【技术实现步骤摘要】
改进存储器控制电压校准的系统和方法
本公开总体上涉及多级存储器操作，并且更具体地涉及在对诸如编程温度、编程模式和/或编程时间之类的工作参数的波动不太敏感的情况下动态地校准存储器控制电压的系统和方法。
技术介绍
通过电压(Vpass)和字线读取验证电压(Vwlrv)的动态校准是在诸如页面读取之类的某些存储器操作期间执行的，以解决例如分布随着老化存在的电荷损失。动态地校准此类电压的现有系统通常根据存储器子块中的平均串电流来执行校准。诸如此类方法的缺点可能包含对编程温度变化和/或时间要求的非期望的敏感性。例如，因为仅在期望的感测电流或感测Vt(阈值电压)(即，单元被感测为被擦除或编程时的电压)下进行温度补偿，所以并未处于感测Vt下的单元中的单元电流的温度引发的变化可能会导致电压计算和校准结果不准确。此外，如果在不同时间对不同的页面或子块进行编程，则由于来自未选择的子块的高电流，可能会发生动态通过电压或字线读取验证电压的不准确校准。这是因为在确定最终通过电压之前无法进行未选择的子块分割或关闭，这在比较器翻转以指示校准完成之后发生。<...
【技术保护点】
1.一种存储器控制方法，其包括：/n在存储器操作期间，在一系列阶跃中将字线从起始电压增大到终止电压；/n计算在所述阶跃中的每个阶跃下的总串电流；/n确定针对所述阶跃计算的所述总串电流随时间变化的斜率变化；/n将每个阶跃下所述确定的斜率变化与阈值进行比较；/n基于与所述确定的斜率变化达到所述阈值时的时刻相对应的字线电压来确定调整后存储器控制电压；以及/n动态地校准所述存储器控制电压，其中根据使用所述斜率变化确定所述调整后存储器控制电压，在对所述存储器相关联的一或多个工作参数的变化不太敏感的情况下校准所述存储器控制电压。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190528 US 16/424,4481.一种存储器控制方法，其包括：
在存储器操作期间，在一系列阶跃中将字线从起始电压增大到终止电压；
计算在所述阶跃中的每个阶跃下的总串电流；
确定针对所述阶跃计算的所述总串电流随时间变化的斜率变化；
将每个阶跃下所述确定的斜率变化与阈值进行比较；
基于与所述确定的斜率变化达到所述阈值时的时刻相对应的字线电压来确定调整后存储器控制电压；以及
动态地校准所述存储器控制电压，其中根据使用所述斜率变化确定所述调整后存储器控制电压，在对所述存储器相关联的一或多个工作参数的变化不太敏感的情况下校准所述存储器控制电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器操作包括存储器阵列的读或写操作。
3.根据权利要求1所述的方法，其中被校准的所述存储器控制电压由通过电压和字线读取验证电压中的至少一者组成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多个工作参数由编程温度、编程模式和编程时间中的至少一者组成。
5.根据权利要求1所述的方法，其中计算所述总串电流包括对存储器单元内的所有存储器子区块的串电流求和。
6.根据权利要求1所述的方法，其中计算所述总串电流包括仅对更靠近相关联的串驱动器的存储器子区块的串电流求和。
7.根据权利要求6所述的方法，其中计算所述总串电流包括仅对靠近所述串驱动器的前几个串内的存储器子区块的串电流求和。
8.根据权利要求6所述的方法，其中计算所述总串电流包括仅对靠近所述串驱动器的2,000个字节内的存储器子区块的串电流求和。
9.根据权利要求6所述的方法，其中计算所述总串电流包括仅对靠近所述串驱动器的所述串的25％内的存储器子区块的串电流求和。
10.根据权利要求6所述的方法，其中计算所述总串电流包括仅对靠近所述串驱动器的所述串的10％内的存储器子区块的串电流求和。
11.根据权利要求1所述的方法，其中经由闪速模数转换器确定所述总串电流的所述斜率变化。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器操作包括NAND存储器阵列的读或写操作。
13.一种系统，其包括：
包含多个存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元以行或单元组布置，每个行或单元组限定串电流；
耦合到与所述存储器单元连接的字线的控制电路，所述控制电路向所述字线提供存储器控制电压并且被配置为：
在存储器操作期间，在一系列电压阶跃中将所述字线上的电压从起始电压增大到终止电压；
计算在所述电压阶跃中的每个阶跃下的总串电流；
确定针对所述电压阶跃计算的所述总串电流随时间变化的斜率变化；
技术研发人员：K·卡瓦利普拉普，M·皮卡尔迪，郭晓江，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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