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本申请设计存储器领域，具体涉及一种闪存编程操作方法和操作电路。其中。方法包括：向存储单元的位线提供脉冲序列信号，脉冲序列信号包括：在时域上依次交替的高电平期间和低电平期间；在编程许可信号的控制下，使得存储单元，在脉冲序列信号的一段高电平期间...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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