非易失型闪存降低读电流的方法、电路、存储介质和终端技术

本发明专利技术公开了一种非易失型闪存降低读电流的方法、电路、存储介质和终端，接收NOR FLASH进行读操作的指令并判断NOR FLASH是否进入读操作状态，根据判断结果得出控制指令；根据所述控制指令控制是否关断SPI接口模块中与读操作不相关的模块的输入信号；通过对SPI接口模块进行有针对性的功能划分，将数据输出逻辑划分在一个子模块内，此模块的时钟和数据流正常工作；而其他子模块的电路由于并不参与读操作的过程，则将其输入信号做逻辑控制门处理，这些模块的输入信号将会被完全关断，这样就会完全消除了这几个模块的动态电流，也就降低了整个芯片在读操作状态下的总电流。

【技术实现步骤摘要】
非易失型闪存降低读电流的方法、电路、存储介质和终端
本专利技术涉及非易失型闪存
，尤其涉及的是一种非易失型闪存降低读电流的方法、电路、存储介质和终端。
技术介绍
NORFLASH作为一种非易失性闪存，在TWS（真无线蓝牙）等移动电池应用场景中对读功耗的要求越来越高。原有电路结构只是针对插电应用，并没有考虑到低功耗的问题。由于全局的时钟走线和数据走线到所有的逻辑模块（如图1所示），在读的时候会有不必要的翻转，这也就导致读功耗时整个芯片的总电流过大，满足不了客户新需求。因此，现有的技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种非易失型闪存降低读电流的方法、电路、存储介质和终端，旨在解决现有的NORFLASH原有电路结构只针对插电应用，没有考虑低功耗需要，在读操作时芯片的总电流过大的问题。本专利技术的技术方案如下：一种非易失型闪存降低读电流的方法，其中，具体包括以下步骤：接收NORFLASH进行读操作的指令并判断NORFLASH是否进入读操作状态，根据判断结果得出控制指令；...

【技术保护点】
1.一种非易失型闪存降低读电流的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：/n接收NOR FLASH进行读操作的指令并判断NOR FLASH是否进入读操作状态，根据判断结果得出控制指令；/n根据所述控制指令控制是否关断SPI接口模块中与读操作不相关的模块的输入信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种非易失型闪存降低读电流的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
接收NORFLASH进行读操作的指令并判断NORFLASH是否进入读操作状态，根据判断结果得出控制指令；
根据所述控制指令控制是否关断SPI接口模块中与读操作不相关的模块的输入信号。


2.根据权利要求1所述的非易失型闪存降低读电流的方法，其特征在于，所述与读操作不相关的模块的输入信号，包括与读操作不相关的模块的数据输入信号和时钟输入信号。


3.根据权利要求1所述的非易失型闪存降低读电流的方法，其特征在于，通过对SPI接口模块中与读操作不相关的模块的输入信号做逻辑门控制处理，以关断SPI接口模块中与读操作不相关的模块的输入信号。


4.一种非易失型闪存降低读电流的电路，其特征在于，包括：
SPI接口模块，包括与读操作相关的模块和与读操作不相关的模块，接收NORFLASH进行读操作的指令并判断NORFLASH是否进入读操作状态，根据判断结果得出控制指令；
关断模块，根据所述控制指令控制是否关断SPI接口模块中与读操作不相关的模块的输入信号。


5.根据权利要求4所述的非易失型闪存降低读电流的电路，其特征在于，所述关断模块采用与门，通过与门关断SPI接口模块中与读操作不相关的模块的输入信号。


6.根据权利要求4所述的非...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯鹏亮，陈维荣，陈慧，王文静，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44