【技术实现步骤摘要】
一种只读存储器的数据读写方法和数据读取装置
本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种只读存储器的数据读写方法和数据读取装置。
技术介绍
ROM(ReadOnlyMemory，只读存储器)单元时用于存储信息的最小ROM器件，通常1个ROM单元只能存储1比特信息，即一个ROM单元只能表现为“0”和“1”这两种状态之一。目前多个ROM单元可以通过一条位线连接，并经由该位线读取ROM单元中存储的信息。由于ROM单元的源极经过ROM单元后与位线连接会导致ROM单元漏电，因此会使得位线上的电压被拉低，进而会导致不能准确的读取该位线存“1”的ROM单元。由此，如何降低只读存储器中的漏电流是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供一种只读存储器的数据读写方法和数据读取装置，以减小只读存储器的漏电流，从而提高数据读取的可靠性。第一方面，本专利技术实施例提供一种只读存储器的数据读写方法，所述方法包括：确定写入同一位线上的只读存储单元的待存储数据中第一值的数量和第二值的...
【技术保护点】
1.一种只读存储器的数据读写方法，其特征在于，所述方法包括：/n确定写入同一位线上的只读存储单元的待存储数据中第一值的数量和第二值的数量；/n响应于所述待存储数据中第一值的数量小于第二值的数量，将第一值转换为第二值写入对应的只读存储单元，将第二值转换为第一值写入对应的只读存储单元。/n
【技术特征摘要】
1.一种只读存储器的数据读写方法，其特征在于，所述方法包括：
确定写入同一位线上的只读存储单元的待存储数据中第一值的数量和第二值的数量；
响应于所述待存储数据中第一值的数量小于第二值的数量，将第一值转换为第二值写入对应的只读存储单元，将第二值转换为第一值写入对应的只读存储单元。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
响应于所述位线上的只读存储单元中的存储数据经过数值转换，控制使得所述位线上的只读存储单元的字线与对应的第一选择线连接，参考线与对应的第二选择线连接；
响应于所述位线上的只读存储单元中的存储数据未经过数值转换，控制使得所述位线上的只读存储单元的字线与对应的第二选择线连接，所述参考线与对应的第一选择线连接。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
响应于所述位线上的只读存储单元中的存储数据经过数值转换，控制第一状态开关导通，第二状态开关关断，以使得在读数据时将读取的数据经过数值转换后输出；
响应于所述位线上的只读存储单元中的存储数据未经过数值转换，控制第一状态开关关断，第二状态开关导通，以在读数据时将读取的数据输出。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
读取所述位线上的只读存储单元中存储的数据。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，读取所述位线上的只读存储单元中存储的数据包括：
根据所述位线上的只读存储单元的字线、参考线、第一选择线和第二选择线之间的连接方式确定开关控制信号；
根据所述开关控制信号控制第一输出电路或第二输出电路导通，以输出实际存储的数据；
其中，在所述第一输出电路受控导通时，将从对应的只读存储单元中读取的数据经过数值转换后输出，在所述第二输出电路受控导通时，将从对应的只读存储单元中读取的数据输出。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述开关控制信号包括第一控制信号和第二控制信号，根据所述位线上的只读存储单元的字线、参考线、第一选择线和第二选择线之间的连接方式确定开关控制信号包括：
在所述位线上的只读存储单元的字线与对应的第一选择线连接、所述参考线与对应的第二选择线连接时，使得所述第一控制信号有效，第二控制信号无效；
在所述位线上的只读存储单元的字线与对应的第二选择线连接、所述参考线与对应的第一选择线连接时，使得所述第一控制信号无效，第二控制信号有效。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述开关控制信号控制第一输出电路或第二输出电路导通包括：
响应于所述第一控制信号有效、第二控制信号无效，控制所述第一输出电路导通；
响应于所述第一控制信号无效，第二控制信号有效，控制所述第二输出电路导通。
8.一种只读存储器的数据读取装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：索超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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