闪存编程检查电路制造技术

本申请涉及存储器技术领域，具体涉及一种闪存编程检查电路，包括：存储单元，存储单元上引出位线，通过向位线施加电压幅值逐渐增大的脉冲序列信号，使得在脉冲序列信号的高电平期间存储单元进行编程操作，在脉冲序列信号的低电平期间，存储单元进行读检测操作；脉冲序列产生单元，用于产生电压幅值逐渐增大的脉冲序列信号给存储单元的位线；复位单元，用于在编程控制信号开始产生时，控制存储单元位线的电压降低。本申请提供的闪存编程检查电路，可以解决相关技术中因存储元未能完全地被编程操作，而导致读检测结果误差较大的问题。

【技术实现步骤摘要】
闪存编程检查电路
本申请涉及存储器领域，具体涉及一种闪存编程检查电路。
技术介绍
闪存(Flash)，是一种不挥发性内存，可以对区块(sector)进行擦除操作(Erase)和编程操作(Program)，在对区块进行擦除操作时，该区块所有的位(bit)被擦除为“1”状态，在对区块进行编程操作时，该区块的某些位(bit)从“1”状态改为“0”状态，且在进行编程操作之前需要进行擦除操作，将所有位(bit)擦除为“1”状态。在很多情况下，比如闪存运用在金融卡时，要求对一个区块进行擦除操作和编程操作的总时间小于1ms，为此，通常采用降低编程操作时间的手段，来降低擦除操作和编程操作的总时间。然而，在存储单元中，存储二进制数的存储元，由于其各自性能存在差别，在对所有存储单元进行统一编程操作时，可能会出现部分存储元浮空栅的电荷量达到目标值所需时间不一的情况，即部分存储元中的电荷量能够较快达到目标值，而部分存储元中的电荷量达到目标值较慢，较快达到目标值的存储元为较容易进行编程操作的存储元，较慢达到目标值的存储元为较难进行编程操作的存储元。通过相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存编程检查电路，其特征在于，所述闪存编程检查电路包括：/n存储单元，所述存储单元上引出位线，通过向所述位线施加电压幅值逐渐增大的脉冲序列信号，使得在所述脉冲序列信号的高电平期间，所述存储单元进行编程操作，在所述脉冲序列信号的低电平期间，所述存储单元进行读检测操作；/n脉冲序列产生单元，用于产生所述脉冲序列信号给所述位线；/n复位单元，用于在编程控制信号开始产生时，控制所述位线的电压降低。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪存编程检查电路，其特征在于，所述闪存编程检查电路包括：
存储单元，所述存储单元上引出位线，通过向所述位线施加电压幅值逐渐增大的脉冲序列信号，使得在所述脉冲序列信号的高电平期间，所述存储单元进行编程操作，在所述脉冲序列信号的低电平期间，所述存储单元进行读检测操作；
脉冲序列产生单元，用于产生所述脉冲序列信号给所述位线；
复位单元，用于在编程控制信号开始产生时，控制所述位线的电压降低。


2.如权利要求1所述的闪存编程检查电路，其特征在于，所述脉冲序列产生单元包括：
电荷泵模块，用于输出电压逐渐升高的阶梯波；
检测控制模块，连接在所述电荷泵模块的输出端和所述存储单元的位线之间，用于根据检测控制信号的控制进行周期性关断，将输入的所述电压逐渐升高的阶梯波转化为所述电压幅值逐渐增大的脉冲序列信号，并输出所述电压幅值逐渐增大的脉冲序列信号给所述位线。


3.如权利要求2所述的闪存编程检查电路，其特征在于，所述电荷泵模块包括：
电荷泵，所述电荷泵包括使能端、输出端和时钟端；
比较器，所述比较器的反馈端连接所述电荷泵的输出端，所述比较器的参考端连接参考电压信号；
参考电压产生模块，用于产生电压逐渐升高的阶梯形参考电压信号，并输出给所述比较器的参考端。


4.如权利要求3所述的闪存编程检查电路，其特征在于，所述参考电压产生模块包括：
电阻串，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄明永，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31