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本申请涉及存储器技术领域，具体涉及一种闪存编程检查电路，包括：存储单元，存储单元上引出位线，通过向位线施加电压幅值逐渐增大的脉冲序列信号，使得在脉冲序列信号的高电平期间存储单元进行编程操作，在脉冲序列信号的低电平期间，存储单元进行读检测操作...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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