【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光谱
中涉及的一种iv型凹面全息光栅的制作工艺 流程。二
技术介绍
在真空紫外、特别是软X射线波段,所有物质对光辐射都有强烈的吸 收,而传统的平面光栅光谱仪由于引入了准直镜和聚光镜,所以存在由准 直镜和聚光镜造成的附加损失,这对于提高整个光谱仪系统的集光效率是 不理想的。而凹面光栅则较为优越,由于凹面光栅具有自聚焦特性,在成 像时不需要准直光学系统和聚焦光学系统即能形成谱线。按照像差校正的 种类和程度的不同,凹面全息光栅已从I型发展到iv型采用两束平行光作光源,在平面或凹面光栅基坯上记录两平面波前的 干涉条纹,可以得到与平面或凹面等栅距刻划光栅相当的全息光栅。这种 凹面全息光栅称为i型凹面全息光栅,和刻划凹面等栅距光栅一样,具有 较大的残余象差。制作ii型凹面全息光栅可用两相干球面波来记录,两球面波中心即记录点都在罗兰圆上,n型凹面全息光栅通常被用作制造罗兰圆摄谱仪。ni型凹面全息光栅通常也被称作平像场光栅,用于制作平像场光谱仪, 此类光谱仪所成的像在一个平面上,这样有利于使用ccd阵列接收。在设计拍摄iv型凹面全息光栅的光路时,要考虑到使用 ...
【技术保护点】
Ⅳ型凹面全息光栅的制作工艺流程,其特征在于:包括基底处理(1)、涂胶(2)、前烘(3)、全息曝光(4)、显影(5)、后烘(6)、热熔(7)、离子束刻蚀(8)、清洁处理(9)、镀膜(10);详细内容如下,基底处理(1):光栅基底应采用无气泡、无划痕、抛光好的凹面K9光学玻璃,用碳酸钙清洗凹面K9玻璃基底;涂胶(2):在清洗好的光栅基底上涂敷光刻胶,采用旋转法涂胶,即将光刻胶滴在光栅基底上,通过离心旋转获得均匀一致的光刻胶薄膜;光刻胶采用Shiply1805正性光刻胶,涂胶时的旋转速度控制在1700~5000转/分为好,其甩胶时间不少于30秒,涂敷厚度为300~700nm;前烘 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李文昊,齐向东,巴音贺希格,
申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,
类型:发明
国别省市:82[中国|长春]
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