一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法技术

本发明专利技术公开了一种测量AlGaN/GaN?HEMT器件凹栅槽深度的方法，包括：测量AlGaN/GaN?HEMT器件的CV曲线；对CV曲线通过数学变形得到C-2同栅压之间的关系，作C-2-V图；对C-2-V求微分，利用公式获得N(W)-V的关系；利用公式获得W(V)-C的关系；由于C与V的对应关系可得N(W)-W(V)的关系图；在已知外延层结构的前提下，通过耗尽层同凹栅槽之间的关系，获得凹栅槽的深度。本发明专利技术采用CV的方法获得了器件的凹栅槽的深度的大小，利于实现对器件凹栅槽刻蚀工艺的有效监控，实现了对AlGaN/GaN?HEMT器件凹栅槽深度的测量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种测量ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ器件凹栅槽深度的方法，其特征在于，包括：步骤１：测量ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ器件的ＣＶ曲线；步骤２：对ＣＶ曲线通过数学变形得到Ｃ↑［－２］同栅压之间的关系，作Ｃ↑［－２］－Ｖ图；步骤３：对Ｃ↑［－２］－Ｖ求微分，利用公式Ｎ（Ｗ）＝２／（ｑε↓［ｓ］ε↓［０］Ａ↑［２］）［ｄ（Ｃ↑［－２］）／ｄＶ］↑［－１］获得Ｎ（Ｗ）－Ｖ的关系；步骤４：利用公式Ｗ（Ｖ）＝Ａε↓［ｓ］ε↓［０］／Ｃ（Ｖ）获得Ｗ（Ｖ）－Ｃ的关系；步骤５：由于Ｃ与Ｖ的对应关系可得Ｎ（Ｗ）－Ｗ（Ｖ）的关系图；步骤６：在已知外延层结构的前提下，通过耗尽层同凹栅槽之间的关系，获得凹栅槽的深度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵妙，王鑫华，刘新宇，欧阳思华，黄俊，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11