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本发明公开了一种测量AlGaN/GaN?HEMT器件凹栅槽深度的方法，包括：测量AlGaN/GaN?HEMT器件的CV曲线；对CV曲线通过数学变形得到C-2同栅压之间的关系，作C-2-V图；对C-2-V求微分，利用公式获得N(W)-V的关系...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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