一种生长在Si衬底上的GaN薄膜制造技术

本实用新型专利技术公开了生长在Si衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在Si衬底上的AlN缓冲层、第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层和GaN薄膜；第一GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第一沟槽；第二GaN缓冲层的下部沉积在第一沟槽内，第二GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽在垂直方向上不重叠；GaN薄膜的下部沉积在第二沟槽内。该生长在Si衬底上的GaN薄膜通过多次刻蚀，增加GaN的横向外延，有效抑制位错往上延伸，具有生长高晶体质量薄膜的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种生长在Si衬底上的GaN薄膜
本技术涉及GaN薄膜
，尤其涉及一种生长在Si衬底上的GaN薄膜。
技术介绍
发光二极管(LED)作为一种新型固体照明光源和绿色光源，具有体积小、耗电量低、环保、使用寿命长、高亮度、低热量以及多彩等突出特点，在室外照明、商业照明以及装饰工程等领域都具有广泛的应用。当前，在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下，节约能源、减少温室气体排放成为全球共同面对的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础的低碳经济，将成为经济发展的重要方向。在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势。但是现阶段LED的应用成本较高，发光效率较低，这些因素都会大大限制LED向高效节能环保的方向发展。III族氮化物GaN在电学、光学以及声学上具有极其优异的性质，近几年受到广泛关注。GaN是直接带隙材料，且声波传输速度快，化学和热稳定性好，热导率高，热膨胀系数低，击穿介电强度高，是制造高效的半导体器件，如LED器件的理想材料。目前，GaN基LED的发光效率现在已经达到28％本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其特征在于，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层，生长在所述AlN缓冲层上的第一GaN缓冲层，生长在所述第一GaN缓冲层上的第二GaN缓冲层，生长在所述第二GaN缓冲层上的GaN薄膜；/n所述第一GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第一沟槽；/n所述第二GaN缓冲层的下部沉积在所述第一沟槽内，所述第二GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第二沟槽；所述第一沟槽和所述第二沟槽在垂直方向上不重叠；/n所述GaN薄膜的下部沉积在所述第二沟槽内。/n

【技术特征摘要】
1.一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其特征在于，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层，生长在所述AlN缓冲层上的第一GaN缓冲层，生长在所述第一GaN缓冲层上的第二GaN缓冲层，生长在所述第二GaN缓冲层上的GaN薄膜；
所述第一GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第一沟槽；
所述第二GaN缓冲层的下部沉积在所述第一沟槽内，所述第二GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第二沟槽；所述第一沟槽和所述第二沟槽在垂直方向上不重叠；
所述GaN薄膜的下部沉积在所述第二沟槽内。


2.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的GaN薄膜，其特征在于，所述第一沟槽为顶部宽度大于底部宽度的第一梯形条纹沟槽，所述第一梯形条纹沟槽的深度为50～80nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm。


3.如权利要求1或2所述的生长在Si衬底上的GaN薄膜，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：高芳亮，
申请(专利权)人：宜兴曲荣光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32