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本实用新型公开了生长在Si衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在Si衬底上的AlN缓冲层、第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层和GaN薄膜；第一GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第一沟槽；第二GaN缓冲层的下部沉积在第一沟槽内，第二GaN缓冲层的...
该专利属于宜兴曲荣光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宜兴曲荣光电科技有限公司授权不得商用。

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