图案化磊晶基板及半导体结构制造技术

本发明专利技术提供一种图案化磊晶基板及半导体结构。图案化磊晶基板包括基材以及多个立体图案。基材具有第一区与环绕第一区的第二区。第一区与第二区以共中心方式配置。立体图案与基材一体成型且排列于基材上。立体图案包括多个第一立体图案以及多个第二立体图案。第一立体图案配置于第一区。第二立体图案配置于第二区。第一立体图案的尺寸规格不同于第二立体图案的尺寸规格。通过图案化磊晶基板的设计，可避免因加热制程而导致边缘翘曲的现象，可提升后续制程的良率。

【技术实现步骤摘要】
图案化磊晶基板及半导体结构
本专利技术是涉及一种基板结构与半导体结构，尤其涉及一种图案化磊晶基板与应用此图案化磊晶基板的半导体结构。
技术介绍
随着光电科技的进步，许多光电元件的体积逐渐往小型化发展。在制作微型发光二极管的制程中，需要在一种材料(如磊晶基板)上长出另一种不同的材料(如磊晶结构)，此时须考虑到两者材质的热膨胀系数与晶格原子间匹配程度。基板因加热制程时的热温差或热膨胀系数不同以及晶格不匹配(latticemismatch)造成应力不均，使磊晶基板边缘产生翘曲，导致后续制程良率降低。
技术实现思路
本专利技术是针对一种图案化磊晶基板，可避免因加热制程而导致边缘翘曲的现象，可提升后续制程的良率。本专利技术是针对一种半导体结构，其包括上述的图案化磊晶基板，具有良好的光电特性及可靠度。本专利技术是针对一种半导体结构，可用于调节全波段波长均匀性。根据本专利技术的实施例，图案化磊晶基板包括基材以及多个立体图案。基材具有第一区与环绕第一区的第二区。第一区与第二区以共中心方式配置。立体图案与基材一体成型且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图案化磊晶基板，其特征在于，包括：/n基材，具有第一区与环绕所述第一区的第二区，其中所述第一区与所述第二区以共中心方式配置；以及/n多个立体图案，与所述基材一体成型且排列于所述基材上，所述多个立体图案包括：/n多个第一立体图案，配置于所述第一区；以及/n多个第二立体图案，配置于所述第二区，其中所述多个第一立体图案的尺寸规格不同于所述多个第二立体图案的尺寸规格。/n

【技术特征摘要】
1.一种图案化磊晶基板，其特征在于，包括：
基材，具有第一区与环绕所述第一区的第二区，其中所述第一区与所述第二区以共中心方式配置；以及
多个立体图案，与所述基材一体成型且排列于所述基材上，所述多个立体图案包括：
多个第一立体图案，配置于所述第一区；以及
多个第二立体图案，配置于所述第二区，其中所述多个第一立体图案的尺寸规格不同于所述多个第二立体图案的尺寸规格。


2.根据权利要求1所述的图案化磊晶基板，其特征在于，所述多个立体图案的每一个的形状包括圆柱体、多边柱体、圆锥体或多边锥体。


3.根据权利要求1所述的图案化磊晶基板，其特征在于，所述多个第一立体图案的每一个于所述基材上具有第一正投影面积，所述多个第二立体图案的每一个于所述基材上具有第二正投影面积，且所述第一正投影面积大于所述第二正投影面积。


4.根据权利要求1所述的图案化磊晶基板，其特征在于，所述多个第一立体图案的每一个于所述基材上具有第一垂直高度，所述多个第二立体图案的每一个于所述基材上具有第二垂直高度，所述多个第一立体图案的每一个于所述基材上具有第一底宽，所述多个第二立体图案的每一个于所述基材上具有第二底宽，且所述第一垂直高度大于所述第二垂直高度，所述第一底宽大于所述第二底宽。


5.根据权利要求1所述的图案化磊晶基板，其特征在于，所述多个立体图案的每一个具有底宽与高度，而所述高度与所述底宽的比值介于0.2至0.9之间。


6.根据权利要求5所述的图案化磊晶基板，其特征在于，所述高度大于等于10纳米且小于等于1500纳米，所述底宽大于等于0.1微米且小于等于2微米。


7.根据权利要求1所述的图案化磊晶基板，其特征在于，任两相邻的所述多个第一立体图案之间具有第一间距，任两相邻的所述多个第二立体图案之间具有第二间距，且所述第一间距小于所述第二间距。


8.根据权利要求1所述的图案化磊晶基板，其特征在于，任两相邻的所述多个立体图案之间具有间距，且所述间距小于等于0.5微米。


9.根据权利要求1所述的图案化磊晶基板，其特征在于，所述第一区占所述基材的比值为0.4到0.8。


10.根据权利要求1所述的图案化磊晶基板，其特征在于，所述基材更具有环绕所述第二区的第三区，而所述第三区与所述第二区及所述第一区以共中心方式配置，且所述多个立体图案还包括多个第三立体图案，所述多个第三立体图案配置于所述第三区，且所述多个第三立体图案的尺寸规格不同于所述多个第二立体图案的尺寸规格及所述多个第一立体图案的尺寸规格。


11.根据权利要求10所述的图案化磊晶基板，其特征在于，所述第一区占所述基材的比值为0.4到0.8，而所述第二区占所述基材的比值为0.1到0.5。


12.根据权利要求10所述的图案化磊晶基板，其特征在于，所述多个第一立体图案的每一个于所述基材上具有第一正投影面积，所述多个第二立体图案的每一个于所述基材上具有第二正投影面积，所述多个第三立体图案的每一个于所述基材上具有第三正投影面积，由所述多个第一立体图案的每一个往所述多个第三立体图案的每一个的径向方向上，所述第一正投影面积、所述第二正投影面积及所述第三正投影面积呈渐进式变化。


13.根据权利要求10所述的图案化磊晶基板，其特征在于，所述多个第一立体图案的每一个于该基材上具有第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：许广元，严千智，赖彦霖，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71