发光二极管模组、背光模组和显示模组制造技术

发光二极管模组，包括：位于同一衬底上的多个台面结构，所述台面结构包括位于所述衬底上的第一导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上的有源层，以及位于所述有源层上的第二导电型半导体层；不同所述台面结构之间具有沟槽；每个所述台面结构上还具有电流扩展层，所述电流扩展层位于所述第二导电型半导体层上；第一保护层覆盖所述沟槽底面和侧面，所述第一保护层还覆盖所述电流扩展层；第一并联结构贯穿所述第一保护层与多个所述台面结构的所述第一导电型半导体层连接；第二并联结构贯穿所述第一保护层与多个所述台面结构的所述电流扩展层连接。所述LED模组能耗低，不易损坏，且实现多点发光。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管模组、背光模组和显示模组
本专利技术涉及半导体固体照明
，尤其涉及一种发光二极管(LED)模组、背光模组和显示模组。
技术介绍
随着LED芯片的发展，许多应用场合对LED芯片的要求也越来越高。单个LED芯片的尺寸的其中一个发展方向，是在往小尺寸发展。小尺寸LED芯片可以形成像高压发光二极管模组等结构，高压发光二极管模组多采用LED芯片串联结构。然而，高压发光二极管模组工作电压升高，危险性增大，能耗更高，同时LED芯片在高压下工作也更容易损坏。因此，有需要一种发光二极管模组，能够实现低电压工作情况下，仍然实现能够在同一衬底上多发光点的发光二极管模组。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种发光二极管模组、背光模组和显示模组，使得相关产品使用更加安全，能耗更低。为解决上述问题，本专利技术提供了一种发光二极管模组，包括：位于同一衬底上的多个台面结构，所述台面结构的边长为250μm以下，所述台面结构包括位于所述衬底上的第一导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上的有源层，以及位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管模组，其特征在于，包括：/n位于同一衬底上的多个台面结构，所述台面结构的边长为250μm以下，所述台面结构包括位于所述衬底上的第一导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上的有源层，以及位于所述有源层上的第二导电型半导体层；不同所述台面结构之间具有沟槽；/n第一保护层，所述第一保护层覆盖所述沟槽底面和侧面，所述第一保护层还覆盖所述台面结构；/n第一并联结构，所述第一并联结构贯穿所述第一保护层与多个所述台面结构的所述第一导电型半导体层电连接；/n第二并联结构，所述第二并联结构贯穿所述第一保护层与多个所述台面结构的所述第二导电型半导体层电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管模组，其特征在于，包括：
位于同一衬底上的多个台面结构，所述台面结构的边长为250μm以下，所述台面结构包括位于所述衬底上的第一导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上的有源层，以及位于所述有源层上的第二导电型半导体层；不同所述台面结构之间具有沟槽；
第一保护层，所述第一保护层覆盖所述沟槽底面和侧面，所述第一保护层还覆盖所述台面结构；
第一并联结构，所述第一并联结构贯穿所述第一保护层与多个所述台面结构的所述第一导电型半导体层电连接；
第二并联结构，所述第二并联结构贯穿所述第一保护层与多个所述台面结构的所述第二导电型半导体层电连接。


2.如权利要求1所述的发光二极管模组，其特征在于，每个所述台面结构还包括电流扩展层，所述电流扩展层位于所述台面结构的所述第二导电型半导体层上。


3.如权利要求2所述的发光二极管模组，其特征在于，所述第二并联结构的材料与所述电流扩展层的材料相同。


4.如权利要求3所述的发光二极管模组，其特征在于，还包括有顶部电极，所述顶部电极各自独立位于每个所述台面结构上的所述第二并联结构上。


5.如权利要求1、2或3所述的发光二极管模组，其特征在于，所述第二并联结构包括第二电极和连接在所述第二电极之间的第二级联电极，所述第二级联电极跨接于所述沟槽的侧壁和底部。


6.如权利要求1、2或3所述的发光二极管模组，其特征在于，所述沟槽中具有第二保护层，所述第二保护层填充满所述沟槽，所述第二并联结构包括第二电极和连接在所述第二电极之间的第二级联电极，所述第二级联电极跨接于所述第二保护层上。


7.如权利要求2或3或4所述的发光二极管模组，其特征在于，每个所述台面结构上还具有接触电极，所述接触电极位于所述电流扩展层上；所述第一保护层覆盖所述接触电极；所述第二并联结构贯穿所述第一保护层与所述接触电极连接，从而...

【专利技术属性】
技术研发人员：林素慧，王绘凝，何安和，彭康伟，黄禹杰，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35