发光装置、发光装置的制造方法和投影仪制造方法及图纸

发光装置、发光装置的制造方法和投影仪。提供能够抑制相邻的柱状部接触的发光装置。发光装置具有：基板；以及层叠体，其设置于所述基板，所述层叠体具有多个柱状部，所述柱状部包含具有纤锌矿型的晶体构造的物质，在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察时，多个所述柱状部以正方格子或长方格子进行配置，穿过相邻的所述柱状部的中心的直线相对于位于相邻的所述柱状部的中心之间的所述柱状部的m面倾斜，相邻的所述柱状部的顶点未配置于所述直线上。

【技术实现步骤摘要】
发光装置、发光装置的制造方法和投影仪
本专利技术涉及发光装置、发光装置的制造方法和投影仪。
技术介绍
近年来，正在进行具有多个纳米柱(nanocolumn)作为光源的小型投影仪的开发。与现有的LED(LightEmittingDiode)光源相比，这种小型投影仪能够具有高效率、高亮度且长寿命的光源，作为环保节能的投影仪而受到关注。例如在专利文献1中记载了通过MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition：金属有机化学气相沉积)法或MBE(MolecularBeamEpitaxy：分子束外延)法等使纳米柱从半导体基板经由多个开口部朝向掩模图案的上方生长。专利文献1：日本特开2013-239718号公报但是，在柱状部的生长中，有时柱状部沿横向生长，相邻的柱状部接触。
技术实现思路
本专利技术的发光装置的一个方式具有：基板；以及层叠体，其设置于所述基板，所述层叠体具有多个柱状部，所述柱状部包含具有纤锌矿型的晶体构造的物质，在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察时，多个所述柱状部以正方格子或长方格子进行配置，穿过相邻的所述柱状部的中心的直线相对于位于相邻的所述柱状部的中心之间的所述柱状部的m面倾斜，相邻的所述柱状部的顶点未配置于所述直线上。在所述发光装置的一个方式中，也可以是，在从所述层叠方向观察的俯视观察时，所述直线相对于所述m面的垂线倾斜8度以上且22度以下。本专利技术的发光装置的一个方式具有：基板；以及层叠体，其设置于所述基板，所述层叠体具有多个柱状部，所述柱状部包含具有纤锌矿型的晶体构造的物质，在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察时，多个所述柱状部以正三角格子进行配置，穿过相邻的所述柱状部的中心的直线相对于位于相邻的所述柱状部的中心之间的所述柱状部的m面倾斜，相邻的所述柱状部的顶点未配置于所述直线上。在所述发光装置的一个方式中，也可以是，在从所述层叠方向观察的俯视观察时，所述直线相对于所述m面的垂线倾斜8度以上且22度以下。在所述发光装置的一个方式中，也可以是，在从所述层叠方向观察的俯视观察时，所述直线相对于在顺时针方向上与所述m面连接的m面的垂线倾斜38度以上且52度以下。本专利技术的发光装置的制造方法的一个方式具备在基板上形成具有多个柱状部的层叠体的工序，所述柱状部包含具有纤锌矿型的晶体构造的物质，在形成所述层叠体的工序中，在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察时，以正方格子或长方格子配置多个所述柱状部，使穿过相邻的所述柱状部的中心的直线相对于位于相邻的所述柱状部的中心之间的所述柱状部的m面倾斜，不使相邻的所述柱状部的顶点配置于所述直线上。在所述发光装置的制造方法的一个方式中，也可以是，在形成所述层叠体的工序中，在从所述层叠方向观察的俯视观察时，使所述直线相对于所述m面的垂线倾斜8度以上且22度以下。本专利技术的发光装置的制造方法的一个方式具备在基板上形成具有多个柱状部的层叠体的工序，所述柱状部包含具有纤锌矿型的晶体构造的物质，在形成所述层叠体的工序中，在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察时，以正三角格子配置多个所述柱状部，使穿过相邻的所述柱状部的中心的直线相对于位于相邻的所述柱状部的中心之间的所述柱状部的m面倾斜，不使相邻的所述柱状部的顶点配置于所述直线上。在所述发光装置的制造方法的一个方式中，也可以是，在形成所述层叠体的工序中，在从所述层叠方向观察的俯视观察时，使所述直线相对于所述m面的垂线倾斜8度以上且22度以下。在所述发光装置的制造方法的一个方式中，也可以是，在形成所述层叠体的工序中，在从所述层叠方向观察的俯视观察时，使所述直线相对于在顺时针方向上与所述m面连接的m面的垂线倾斜38度以上且52度以下。本专利技术的投影仪的一个方式具有所述发光装置的一个方式。附图说明图1是示意地示出第1实施方式的发光装置的剖视图。图2是示意地示出第1实施方式的发光装置的俯视图。图3是示意地示出第1实施方式的发光装置的俯视图。图4是示意地示出以正方格子配置的柱状部的俯视图。图5是示意地示出以正方格子配置的柱状部的俯视图。图6是用于说明第1实施方式的发光装置的制造方法的流程图。图7是示意地示出第1实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。图8是示意地示出第1实施方式的发光装置的俯视图。图9是示意地示出第2实施方式的发光装置的俯视图。图10是示意地示出第2实施方式的发光装置的俯视图。图11是示意地示出以正三角格子配置的柱状部的俯视图。图12是示意地示出以正三角格子配置的柱状部的俯视图。图13是示意地示出第2实施方式的变形例的发光装置的俯视图。图14是示意地示出第2实施方式的变形例的发光装置的俯视图。图15是示意地示出第3实施方式的投影仪的图。图16是实施例1的SEM像。图17是实施例2的SEM像。图18是实施例3的SEM像。图19是比较例1的SEM像。图20是比较例2的SEM像。图21是比较例3的SEM像。标号说明10：基板；12：层叠体；20：缓冲层；22：掩模层；23：开口部；30、30a、30b、30c、30d：柱状部；31a、31b、32a、32c、33a：m面；34：第1半导体层；36：发光层；38：第2半导体层；40：光传播层；50：第1电极；52：第2电极；100：发光装置；100R：红色光源；100G：绿色光源；100B：蓝色光源；200、210：发光装置；900：投影仪；902R：第1透镜阵列；902G：第2透镜阵列；902B：第3透镜阵列；904R：第1光调制装置；904G：第2光调制装置；904B：第3光调制装置；906：十字分色棱镜；908：投射装置。具体实施方式下面，使用附图对本专利技术的优选实施方式进行详细说明。另外，以下说明的实施方式并非不当地限定权利要求书所记载的本专利技术的内容。此外，以下说明的结构并非全部是本专利技术的必要技术特征。1.第1实施方式1.1.发光装置1.1.1.结构首先，参照附图对第1实施方式的发光装置进行说明。图1是示意地示出第1实施方式的发光装置100的剖视图。图2是示意地示出第1实施方式的发光装置100的俯视图。另外，图1是图2的I-I线剖视图。如图1所示，发光装置100例如具有基板10、设置于基板10的层叠体12、第1电极50和第2电极52。层叠体12具有缓冲层20、掩模层22、柱状部30和光传播层40。另外，为了简便，在图2中省略了柱状部30以外的部件的图示。基板10例如是蓝宝石基板、GaN基板、Si基板等。缓冲层20设置于基板10上。缓冲层20例如是掺杂了Si的n型的GaN层等。另外，“上”是指在层叠体12的层叠方向(以下简称为“层叠方向”)上从发光层36观察远离基板10的方向，“下”是指在层叠方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其具有：/n基板；以及/n层叠体，其设置于所述基板，/n所述层叠体具有多个柱状部，/n所述柱状部包含具有纤锌矿型的晶体构造的物质，/n在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察时，/n多个所述柱状部以正方格子或长方格子进行配置，/n穿过相邻的所述柱状部的中心的直线相对于位于相邻的所述柱状部的中心之间的所述柱状部的m面倾斜，所述m面是所述柱状部的侧面，/n相邻的所述柱状部的顶点未配置于所述直线上。/n

【技术特征摘要】
20190401 JP 2019-0699981.一种发光装置，其具有：
基板；以及
层叠体，其设置于所述基板，
所述层叠体具有多个柱状部，
所述柱状部包含具有纤锌矿型的晶体构造的物质，
在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察时，
多个所述柱状部以正方格子或长方格子进行配置，
穿过相邻的所述柱状部的中心的直线相对于位于相邻的所述柱状部的中心之间的所述柱状部的m面倾斜，所述m面是所述柱状部的侧面，
相邻的所述柱状部的顶点未配置于所述直线上。


2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
在从所述层叠方向观察的俯视观察时，
所述直线相对于所述m面的垂线倾斜8度以上且22度以下。


3.一种发光装置，其具有：
基板；以及
层叠体，其设置于所述基板，
所述层叠体具有多个柱状部，
所述柱状部包含具有纤锌矿型的晶体构造的物质，
在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察时，
多个所述柱状部以正三角格子进行配置，
穿过相邻的所述柱状部的中心的直线相对于位于相邻的所述柱状部的中心之间的所述柱状部的m面倾斜，
相邻的所述柱状部的顶点未配置于所述直线上。


4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，
在从所述层叠方向观察的俯视观察时，
所述直线相对于所述m面的垂线倾斜8度以上且22度以下。


5.根据权利要求3所述的发光装置，其中，
在从所述层叠方向观察的俯视观察时，
所述直线相对于在顺时针方向上与所述m面连接的m面的垂线倾斜38度以上且52度以下。


6.一种发光装置的制造方法，其中，
所述制造方法具备在基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井保贵，藤田徹司，赤坂康一郎，羽广英树，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP