一种LED外延片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种LED外延片，包括衬底、位于所述衬底表面的翘曲控制层、依次位于所述翘曲控制层表面的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述翘曲控制层是通过对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理形成的，所述氮化气体至少包括氨气。对衬底进行加热，并采用氮化气体对衬底进行氮化处理，可以使得氨气与衬底表面的一些化学键结合，形成晶格常数介于衬底和半导体层中间的物质即翘曲控制层，从而可以通过翘曲控制层减少衬底和半导体层之间因晶格失配产生的压应力或张应力，进而减小和改变LED外延片的翘曲，提高LED外延片的波长均匀性，提高LED外延片的良率，节约后续形成的LED芯片的分选成本。

【技术实现步骤摘要】
一种LED外延片
本技术涉及半导体制造
，更具体地说，涉及一种LED外延片。
技术介绍
LED外延片是指在蓝宝石、硅等衬底基片上生长出的外延结构。LED外延片处于LED产业链中的上游环节，是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。近年来，下游应用市场的繁荣带动LED产业迅猛发展，也给LED外延片市场迎来发展良机。为了节约生产成本，现有的LED外延片的尺寸由2英寸扩大到4英寸，甚至6英寸、8英寸，但是，随着LED外延片尺寸的增加，LED外延片的生长也面临着很多困难，如由于晶格失配导致的LED外延片翘曲过大等，严重影响着LED外延片的性能。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种LED外延片，以解决LED外延片面对的翘曲过大的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种LED外延片，包括衬底、位于所述衬底表面的翘曲控制层、依次位于所述翘曲控制层表面的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。可选地，所述衬底为PSS镀AlN衬底或蓝宝石衬底。<br>可选地，还包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED外延片，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底表面的翘曲控制层、依次位于所述翘曲控制层表面的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED外延片，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底表面的翘曲控制层、依次位于所述翘曲控制层表面的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。


2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述衬底为PSS镀Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕龙，霍丽艳，吴洪浩，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36