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本实用新型提供了一种LED外延片，包括衬底、位于所述衬底表面的翘曲控制层、依次位于所述翘曲控制层表面的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述翘曲控制层是通过对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理形成的，所述氮化...
该专利属于江西乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西乾照光电有限公司授权不得商用。

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