半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体晶片的评价方法，包括：制作表示评价对象的半导体晶片的厚度方向的截面轮廓的轮廓曲线；以及对上述轮廓曲线进行二次微分，评价对象的半导体晶片为在晶片外周边缘部形成有倒角面的半导体晶片，上述轮廓曲线包括曲线部分，该曲线部分表示X轴的值与水平方向位置坐标对应，Y轴的值与垂直方向位置坐标对应，且从评价对象的半导体晶片的一个表面侧的主面的外周边缘部侧部分到外周边缘部的所述主面侧部分的区域的截面轮廓，该半导体晶片的评价方法还包括基于根据由上述二次微分得到的二次微分曲线确定的指标，评价上述主面和与该主面相邻的倒角面的边界部的形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法
本专利技术涉及半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法。
技术介绍
近年来，对于半导体晶片，对晶片外周边缘部的形状进行评价(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-130738号公报专利技术要解决的技术问题半导体晶片一般对从锭切出的晶片实施各种加工来制造。从锭切出的晶片的外周边缘部由于在保持原状时具有角部，所以容易产生裂纹或缺口。因此，通常对半导体晶片的成为器件形成面侧的表面(正面)侧和与正面相反侧的表面(背面)侧中的至少一方的外周边缘部实施倒角加工来形成倒角面。关于该倒角面，在专利文献1中提出了如下方案：以由白色显示倒角面的方式获取图像，根据该图像的宽度尺寸来计算倒角面的宽度尺寸(参照专利文献1的段落0060～0062)。以下，只要没有特别记载，半导体晶片的“表面”是指上述正面和背面中的任意一方或两方。在半导体晶片的表面中，正面侧的主面是在其上形成器件的平面，其背侧的平面是背面侧的主面。形成于晶片外周边缘部的倒角面具有相对于相邻的主面倾斜的面形状。因此，如果观察半导体晶片的厚度方向的截面形状，则在主面和与该主面相邻的倒角面的边界部中，形状大幅度变化。该主面与倒角面的边界部的形状能够作为用于预测半导体器件的制造工序中的缺口、伤痕的产生容易度等的指标。例如，在半导体器件的制造工序中，热处理时与支承晶片的晶片支承件的形状配合，适当设定晶片表面(例如背面)与倒角面的边界部的形状，由此不易产生由接触引起的边界部的缺口或伤痕，因此能够降低以缺口或伤痕为原因的位错(滑移)或灰尘的发生率。但是，专利文献1记载的方法是求出倒角面的宽度尺寸的方法，在专利文献1记载的方法中，不能评价倒角面与主面的边界部的形状。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供用于评价半导体晶片的倒角面与主面的边界部的形状的新方法。本专利技术的一种方式涉及一种半导体晶片的评价方法(以下也仅记载为“评价方法”)，其包括：制作表示评价对象的半导体晶片的厚度方向的截面轮廓的轮廓曲线；以及对上述轮廓曲线进行二次微分；评价对象的半导体晶片是在晶片外周边缘部形成有倒角面的半导体晶片，上述轮廓曲线包括曲线部分，该曲线部分表示X轴的值与水平方向位置坐标对应，Y轴的值与垂直方向位置坐标对应，且从评价对象的半导体晶片的一个表面侧的主面的外周边缘部侧部分到外周边缘部的上述主面侧部分的区域的截面轮廓，上述半导体晶片的评价方法还包括：基于根据由上述二次微分得到的二次微分曲线确定的指标，评价上述主面和与该主面相邻的倒角面的边界部的形状。在一种方式中，上述评价方法可以包括：确定位于由上述二次微分得到的二次微分曲线的峰值区域的曲线上的Y轴的值相同的两点的X轴的值；在上述二次微分前的轮廓曲线的上述曲线部分中，将X轴的值为上述确定的值的两点间的区域确定为圆拟合区域；使圆与上述圆拟合区域的轮廓形状拟合来制作圆；以及将上述制作的圆的尺寸作为上述指标。本专利技术人反复进行了深入研究，其结果新发现：对于上述圆的尺寸，倒角面与主面的边界部的形状越平缓，圆的尺寸越大；倒角面与主面的边界部的形状越陡峭，圆的尺寸越小。因此，基于上述圆的尺寸，能够评价主面与倒角面的边界部的形状的平缓度/陡峭度。在一种方式中，上述评价方法可以包括在评价对象的半导体晶片的多个不同部位中分别求出上述圆的尺寸，可以将在上述多个不同部位中求出的多个圆的尺寸的代表值作为指标来评价上述边界部的形状。在一种方式中，上述代表值可以是上述多个圆的尺寸的平均值。在一种方式中，上述评价方法可以包括：确定位于由上述二次微分得到的二次微分曲线的峰值区域的曲线上的Y轴的值相同的两点的X轴的值，将该确定的两点间的X轴方向的距离作为上述指标。本专利技术人反复进行了深入研究，其结果新发现：倒角面与主面的边界部的形状越平缓，上述距离的值越大；倒角面与主面的边界部的形状越陡峭，上述距离的值越小。因此，基于上述距离的值，能够评价主面与倒角面的边界部的形状的平缓度/陡峭度。在一种方式中，确定上述两点的X轴的值的Y轴的值可以为：将Y轴的值为0的位置作为0％，将上述峰值区域的峰值深度或峰值高度作为100％，深度或高度为40～80％的位置的Y轴的值。在一种方式中，上述评价方法可以包括使用从上述一个表面侧的上方对评价对象的半导体晶片进行显微镜观察而获取的位置坐标信息来制作上述轮廓曲线。在一种方式中，上述评价方法可以包括通过激光显微镜进行上述显微镜观察。本专利技术的另一方式涉及一种半导体晶片的制造方法，其包括：制造作为产品出厂的备选的半导体晶片；通过上述评价方法评价上述备选的半导体晶片；以及将评价的结果判定为合格品的半导体晶片交付用于作为产品半导体晶片出厂的准备。本专利技术的另一方式涉及一种半导体晶片的制造方法，其包括：制造包括多个半导体晶片的半导体晶片批次；从上述半导体晶片批次中抽出至少一个半导体晶片；通过上述评价方法评价上述抽出的半导体晶片；以及将与上述评价的结果判定为合格品的半导体晶片相同的半导体晶片批次的半导体晶片交付用于作为产品半导体晶片出厂的准备。本专利技术的另一方式涉及一种半导体晶片的制造方法，其包括：在测试制造条件下制造评价用半导体晶片；通过上述评价方法评价上述制造的评价用半导体晶片；基于上述评价的结果，将对上述测试制造条件施加了变更的制造条件确定为实际制造条件、或将上述测试制造条件确定为实际制造条件；以及在上述确定的实际制造条件下制造半导体晶片。在一种方式中，施加上述变更的制造条件为半导体晶片表面的研磨处理条件和倒角加工条件中的至少一个。专利技术的效果根据本专利技术的一种方式，能够提供用于评价半导体晶片的倒角面与主面的边界部的形状的新方法。附图说明图1是包括表示从半导体晶片的正面侧的主面的外周边缘部侧部分到外周边缘部的上述主面侧部分的区域的截面轮廓的曲线部分的轮廓曲线的一例。图2是对图1所示的轮廓曲线进行二次微分而制作的二次微分曲线。图3是确定圆拟合区域的步骤的说明图。图4是确定圆拟合区域的步骤的说明图。图5示出在图1所示的轮廓曲线上制作的圆的一例。图6示出将在实施例中对各种半导体晶片得到的圆的直径(算术平均)相对于参照值绘制的曲线图。图7是将在实施例中对各种半导体晶片得到的圆的半径相对于位于二次微分曲线的峰值区域的曲线上的Y轴的值相同的两点间的X轴方向的距离的值而绘制的曲线图。图8示出通过用于得到参照值的评价方法而得到的二值化处理完成图像(仅在晶片厚度方向上放大10倍后进行二值化处理而得到的图像)。图9示出用于得到参照值的评价方法的评价结果的一例。具体实施方式[半导体晶片的评价方法]本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片的评价方法，其特征在于，包括：/n制作表示评价对象的半导体晶片的厚度方向的截面轮廓的轮廓曲线；以及/n对所述轮廓曲线进行二次微分；/n评价对象的半导体晶片是在晶片外周边缘部形成有倒角面的半导体晶片，/n所述轮廓曲线包括曲线部分，该曲线部分表示：X轴的值与水平方向位置坐标对应，Y轴的值与垂直方向位置坐标对应，且从评价对象的半导体晶片的一个表面侧的主面的外周边缘部侧部分到外周边缘部的所述主面侧部分的区域的截面轮廓；/n所述半导体晶片的评价方法还包括基于根据由所述二次微分得到的二次微分曲线确定的指标，评价所述主面和与该主面相邻的倒角面的边界部的形状。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180413 JP 2018-0773701.一种半导体晶片的评价方法，其特征在于，包括：
制作表示评价对象的半导体晶片的厚度方向的截面轮廓的轮廓曲线；以及
对所述轮廓曲线进行二次微分；
评价对象的半导体晶片是在晶片外周边缘部形成有倒角面的半导体晶片，
所述轮廓曲线包括曲线部分，该曲线部分表示：X轴的值与水平方向位置坐标对应，Y轴的值与垂直方向位置坐标对应，且从评价对象的半导体晶片的一个表面侧的主面的外周边缘部侧部分到外周边缘部的所述主面侧部分的区域的截面轮廓；
所述半导体晶片的评价方法还包括基于根据由所述二次微分得到的二次微分曲线确定的指标，评价所述主面和与该主面相邻的倒角面的边界部的形状。


2.根据权利要求1所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，包括：
确定位于由所述二次微分得到的二次微分曲线的峰值区域的曲线上的Y轴的值相同的两点的X轴的值；
在所述二次微分前的轮廓曲线的所述曲线部分中，将X轴的值为所述确定的值的两点间的区域确定为圆拟合区域；
使圆与所述圆拟合区域的轮廓形状拟合来制作圆；以及
将所述制作的圆的尺寸作为所述指标。


3.根据权利要求2所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，
包括在评价对象的半导体晶片的多个不同部位中分别求出所述圆的尺寸，
将在所述多个不同部位中求出的多个圆的尺寸的代表值作为指标，评价所述主面和与该主面相邻的倒角面的边界部的形状。


4.根据权利要求3所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，所述代表值为所述多个圆的尺寸的平均值。


5.根据权利要求1所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，
包括确定位于由所述二次微分得到的二次微分曲线的峰值区域的曲线上的Y轴的值相同的两点的X轴的值，将该确定的两点间的X轴方向的距离作为所述指标。


6.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上贤史，高梨启一，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP