一种接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法技术

本申请公开了一种接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法。该检测方法用于检测出半导体结构上的开放不良的接触孔；所述半导体结构包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层；所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；所述检测方法包括：在所述晶圆上进行外延生长工艺，以便在所述接触孔内生成硅单晶体；通过光学检验设备检测所述半导体结构，将检测到的未生成有硅单晶体的接触孔确定为开放不良的接触孔。本公开实施例提供的开放不良的接触孔的检测方法，使用光学检验设备就能快速全面准确地检测出半导体结构是否存在接触孔开放不良问题。

【技术实现步骤摘要】
一种接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法
本公开涉及半导体
，具体涉及一种开放不良的接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法。
技术介绍
在进行半导体制造工艺时，为了将导线连接需要制作接触孔。半导体芯片缩小，接触孔也渐渐变小变深，要打造完美的接触孔也日渐困难。接触孔如果没做好，导线与导线无法连接的情况称为接触孔开放不良，虽然开放不良会以电子束检验设备来进行检查，但是有时会因为一些原因导致无法检测出不良问题。在半导体制造工艺发生的许多不良问题中，利用电子束检验设备来检验刻蚀接触孔时发生的接触孔开放不良的问题。电子束检验设备的低量测速度导致无法测量整个晶圆，刻蚀时，若接触件底部残留非常薄的绝缘膜，就无法检验出开放不良的问题。使用电子束检验设备检验接触孔开放不良时，如图1和图2所示，如果接触孔6残留绝缘膜3和4(其中绝缘膜3比绝缘膜4薄一些，绝缘膜可以为氧化物材料制成)，则接触孔6下方的电子无法穿越绝缘膜3和4到外部，因此从图2中所示的最右侧的接触孔6开口处看起来是暗的，导致电子束检验设备无法检出接触孔开放不良状况。如图3和图4所示，在大深度的接触孔6下方所发生的电子被氧化物层5吸收，到达外部的电子数量就非常少，电子束检验设备也无法检测出来，因此难以将该状况与开放不良状况进行区分。另外，电子束检验设备检测的速度相当慢,能检验的面积和时间相当受限。
技术实现思路
本公开的目的是提供一种接触孔的检测方法及半导体产品的处理方法。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。根据本公开实施例的一个方面，提供一种接触孔的检测方法，用于检测出半导体结构上的开放不良的接触孔；所述半导体结构包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层；所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；所述检测方法包括：在所述晶圆上进行外延生长工艺，以便在所述接触孔内生成硅单晶体；通过光学检验设备检测所述半导体结构，将检测到的未生成有硅单晶体的接触孔确定为开放不良的接触孔。根据本公开实施例的另一个方面，提供一种半导体产品的处理方法，包括：提供一半导体结构；所述半导体结构为包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层；所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；利用上述的检测方法检测出所述半导体结构上的开放不良的接触孔；进行平坦化操作，将所述硅单晶体的高于所述氧化物层顶面的部分去除。根据本公开实施例的另一个方面，提供一种电子设备，包括通过上述的处理方法处理得到的半导体产品。本公开实施例的其中一个方面提供的技术方案可以包括以下有益效果：本公开实施例提供的接触孔的检测方法，使用光学检验设备就能快速全面准确地检测出半导体结构是否存在接触孔开放不良问题。本公开的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者，部分特征和优点可以从说明书中推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本公开实施例了解。本公开的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了现有技术中接触孔内有绝缘膜导致接触孔开放不良、导致接触孔下方的电子无法穿越绝缘膜出来的示意图；其中，e代表电子，箭头方向代表电子的运动方向；图2示出了图1的顶视图；图3示出了现有技术的大深度的接触孔的示意图；图4示出了图3的顶视图；图5示出了本公开的一个实施例的接触孔的检测方法的流程图；图6示出了本公开的一个实施例的开设有接触孔的半导体结构的示意图；图7示出了本公开的一个实施例的外延生长后的结构示意图；图8示出了本公开的一个实施例的将硅单晶体的高于氧化物层顶面的部分去除后的结构示意图；图9示出了本公开的一个实施例的检测接触孔开放不良问题时得到的正对着接触孔的开口方向的图像。具体实施方式以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。本公开的第一个实施例提供了一种接触孔的检测方法，用于检测出半导体结构上的开放不良的接触孔；如图5-图8所示，半导体结构包括晶圆1以及位于晶圆1上的氧化物层5；氧化物层5上开设有若干贯穿氧化物层5的接触孔6；检测方法包括：S10、在晶圆1上进行外延生长工艺，以便在接触孔6内生成硅单晶体7。氧化物层5可以为氧化硅层。外延生长工艺可以采用气相外延工艺、液相外延工艺或分子束外延工艺。具体地，该步骤中的外延生长是指在晶圆1上沉积一层与晶圆1晶向相同的单晶层，犹如晶圆1向外延伸“生长”了一段。S20、通过光学检验设备检测半导体结构，将检测到的未生成有硅单晶体7的接触孔6确定为开放不良的接触孔。本实施例的方法能够通过光学检验设备将电子束检验设备无法检验出的接触孔开放不良状况迅速又准确地检验出来，检测速度快,能检验的面积和时间不受限。通过本实施例的方法,不必使用电子束检验设备,使用光学检验设备来检验接触孔是否存在开放不良问题,能快速全面准确地检测出半导体结构是否存在接触孔开放不良的问题。以便快速改善接触孔开放不良状况,提升良率。如图9所示为通过本实施例的方法获得的正对着接触孔的开口方向的图像，斑点8所示即为开放不良的接触孔的开口。本申请的第二个实施例提供了一种半导体产品的处理方法，包括：S1、提供一半导体结构。如图5-图8所示，该半导体结构为包括晶圆1以及位于晶圆1上的氧化物层5；氧化物层5上开设有若干贯穿氧化物层5的接触孔6。具体地，提供一半导体结构，包括：S101、提供一晶圆1。S102、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接触孔的检测方法，其特征在于，用于检测出半导体结构上的开放不良的接触孔；所述半导体结构包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层；所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；所述检测方法包括：/n在所述晶圆上进行外延生长工艺，以在所述接触孔内生成硅单晶体；/n通过光学检验设备检测所述半导体结构，将检测到的未生成有硅单晶体的接触孔确定为开放不良的接触孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种接触孔的检测方法，其特征在于，用于检测出半导体结构上的开放不良的接触孔；所述半导体结构包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层；所述氧化物层上开设有若干贯穿所述氧化物层的接触孔；所述检测方法包括：
在所述晶圆上进行外延生长工艺，以在所述接触孔内生成硅单晶体；
通过光学检验设备检测所述半导体结构，将检测到的未生成有硅单晶体的接触孔确定为开放不良的接触孔。


2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述外延生长工艺采用气相外延工艺、液相外延工艺或分子束外延工艺。


3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述氧化物层为氧化硅层。


4.一种半导体产品的处理方法，其特征在于，包括：
提供一半导体结构，所述半导体结构为包括晶圆以及位于所述晶圆上的氧化物层，所述氧化物层上开设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：金德容，吴容哲，曲扬，高建峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11