一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，属于芯片加工领域，将PCM测试图形作为标准图形放置在MMIC电镀工艺的每层工艺中，然后对PCM测试图形进行测试，通过4个测试电极之间的电压来判断芯片的良率，所述芯片为砷化镓MMIC和氮化镓MMIC芯片，所述PCM测试图形为插指状测试图形，包括两种，一种为平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形，另一种为非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形，本发明专利技术能够充分表征复杂芯片制作过程中电镀工艺的生产良率。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法
本专利技术涉及一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，属于芯片加工领域。
技术介绍
单片微波集成电路（MMIC），有时也称射频集成电路(RFIC)，可以分成两大类：一类是基于硅晶体管的MMIC，另一类是基于砷化镓和氮化镓的化合物半导体高电子迁移率管（GaAsHEMT）的MMIC。砷化镓和氮化镓的化合物半导体HEMT类MMIC具有工作频率高、频率范围宽、动态范围大、噪声低的特点，但价格昂贵，主要应用在微波和毫米波领域，微波通信，5G基站，相控阵雷达等；而硅晶体管的MMIC主要应用在低频领域。微波集成电路是工作在微波波段和毫米波波段，由微波无源元件、有源器件、传输线和互连线集成在一个基片上，具有多功能的电路。可分为混合微波集成电路和单片微波集成电路。混合微波集成电路是采用薄膜或厚膜技术，将无源微波电路制作在适合传输微波信号的基片上的功能块。常用的混合微波集成电路有微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器、倍频器、相控阵单元等各种宽带微波电路。单片微波集成电路是采用平面技术，将元器件、传输线、互连线直接制做在半导体基片上的功能块。砷化镓和氮化镓是最常用的基片材料。单片微波集成电路包括多种功能电路，如低噪声放大器（LNA）、功率放大器、混频器、上变频器、检波器、调制器、压控振荡器（VCO）、移相器、开关、MMIC收发前端，甚至整个发射/接收（T/R）组件（收发系统）。由于MMIC的衬底材料（如GaAs、InP、GaN）的电子迁移率较高、禁带宽度宽、工作温度范围大、微波传输性能好，所以MMIC具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。金在MMIC芯片中主要起元件之间的导电连接作用，根据工作频率的不同，电流的趋肤深度也不同，一般的工艺中金的厚度都大于2微米。在MMIC芯片的加工工艺中制作金电极和连接线一般采用电镀的方法，电镀金镀层耐蚀性强，导电性好，易于焊接，耐高温，并具有良好电磁波的传导能力，广泛应用于精密仪器仪表、印刷板、微波集成电路、电子管壳、电接点等要求电参数性能长期稳定的零件电镀。特别是砷化镓和氮化镓MMIC制作工艺中，存在着由于电镀工艺中的腐蚀不干净和光刻工艺过程中存在缺陷而引起良率降低的问题，主要体现在电路中短路现象，造成芯片的可靠性降低，成本增加（金本身价格比较昂贵）。根据长时间的研究和测试，为解决电镀金的良率及可靠性问题，提出了利用与生产工艺相同的PCM测试图形来充分表征芯片的良率。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供一种砷化镓和氮化镓MMIC芯片生产中，利用PCM图形检测芯片生产工艺的良率，达到提高电镀金的良率及可靠性的作用。为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，将PCM测试图形作为标准图形放置在MMIC电镀工艺的每层工艺中，然后对PCM测试图形进行测试，通过4个测试电极之间的电压来充分表征复杂芯片的良率，所述芯片为砷化镓MMIC和氮化镓MMIC芯片，所述PCM测试图形为插指状测试图形，包括两种，一种为平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形，另一种为非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形。本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形为正方形，四个角处设置四个测试电极，分别为测试电极1、测试电极2、测试电极3和测试电极4，所述测试电极1和测试电极4为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左上角和右上角，测试电极1和测试电极4之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极1和测试电极4之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极1外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极4外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置；所述测试电极2和测试电极3为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左下角和右下角，测试电极2和测试电极3之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极2和测试电极3之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极3外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极2外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置。本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形为正方形，四个角处设置四个测试电极，分别为测试电极1、测试电极2、测试电极3和测试电极4，所述测试电极1和测试电极4为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左上角和右上角，测试电极1和测试电极4之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极1和测试电极4之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极1外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极4外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置；所述测试电极2和测试电极3为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左下角和右下角，测试电极2和测试电极3之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极2和测试电极3之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置测试电极3外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极2外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置，并且测试电极之间的镀金区PCM中线条上还均匀间隔设置有多条竖直的凹凸线。本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述镀金区PCM中线条与非镀金区PCM中线条为等宽度的形式布置，宽度为2～10μm。本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述四个测试电极均为边长为80μm的正方形，每一个测试电极连接相同周期的PCM中线条，并且每个测试电极连接PCM中线条的周期为1-10。本专利技术技术方案的进一步改进在于：当每个测试电极连接PCM中线条的周期大于5时，测试电极1和测试电极4之间的PCM中线条与测试电极2和测试电极3之间的PCM中线条的宽度相同或不同。本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述PCM测试图形根据用户的需求放置在不影响芯片的任何位置。本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述MMIC电镀工艺的具体步骤如下：A1、利用光刻工艺制作出需要电镀加厚芯片的底部图形,同时PCM测试图形随生产工艺完成此步骤；A2、利用专用溅射台在生产的片子上溅射金属钛和金，钛的厚度100埃，金的厚度1000埃,同时PCM测试图形随生产工艺完成此步骤；A3、利用光刻工艺制作出需要电镀加厚芯片的图形，同时PCM测试图形随生产工艺完成此步骤；A4、把步骤A3的片子放置在电镀专用夹具上，然后把夹具放置在金电镀液中进行电镀，记录时间电镀至工艺所需要的厚度，同时PCM测试图形随生产工艺完成此步骤；A5、用专用去胶台去除步骤A3中光刻工艺形成的光刻胶；A6、利用碘和碘化钾缓冲溶液湿法腐蚀掉溅射产生的1000埃的金属金；A7、利用20%的双氧水湿法腐蚀金属钛；A8、利用专用去胶台去除步骤A1中光刻工艺形成的光刻胶，然后清洗完成整个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：将PCM测试图形作为标准图形放置在MMIC电镀工艺的每层工艺中，然后对PCM测试图形进行测试，通过4个测试电极之间的电压来充分表征复杂芯片的良率，所述芯片为砷化镓MMIC和氮化镓MMIC芯片，所述PCM测试图形为插指状测试图形，包括两种，一种为平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形，另一种为非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：将PCM测试图形作为标准图形放置在MMIC电镀工艺的每层工艺中，然后对PCM测试图形进行测试，通过4个测试电极之间的电压来充分表征复杂芯片的良率，所述芯片为砷化镓MMIC和氮化镓MMIC芯片，所述PCM测试图形为插指状测试图形，包括两种，一种为平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形，另一种为非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形。


2.根据权利要求1所述的一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：所述平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形为正方形，四个角处设置四个测试电极，分别为测试电极1、测试电极2、测试电极3和测试电极4，所述测试电极1和测试电极4为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左上角和右上角，测试电极1和测试电极4之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极1和测试电极4之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极1外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极4外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置；所述测试电极2和测试电极3为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左下角和右下角，测试电极2和测试电极3之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极2和测试电极3之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极3外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极2外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置。


3.根据权利要求1所述的一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：所述非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形为正方形，四个角处设置四个测试电极，分别为测试电极1、测试电极2、测试电极3和测试电极4，所述测试电极1和测试电极4为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左上角和右上角，测试电极1和测试电极4之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极1和测试电极4之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极1外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极4外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置；所述测试电极2和测试电极3为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左下角和右下角，测试电极2和测试电极3之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极2和测试电极3之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置测试电极3外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极2外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置，并且测试电极之间的镀金区PCM中线条上还均匀间隔设置有多条竖...

【专利技术属性】
技术研发人员：王振军，于静，王静辉，侯光斌，刘建华，张默，苟松杰，袁萌，邢姣姣，李昭仪，
申请(专利权)人：中电科工程建设有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13