【技术实现步骤摘要】
一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法
本专利技术涉及一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，属于芯片加工领域。
技术介绍
单片微波集成电路（MMIC），有时也称射频集成电路(RFIC)，可以分成两大类：一类是基于硅晶体管的MMIC，另一类是基于砷化镓和氮化镓的化合物半导体高电子迁移率管（GaAsHEMT）的MMIC。砷化镓和氮化镓的化合物半导体HEMT类MMIC具有工作频率高、频率范围宽、动态范围大、噪声低的特点，但价格昂贵，主要应用在微波和毫米波领域，微波通信，5G基站，相控阵雷达等；而硅晶体管的MMIC主要应用在低频领域。微波集成电路是工作在微波波段和毫米波波段，由微波无源元件、有源器件、传输线和互连线集成在一个基片上，具有多功能的电路。可分为混合微波集成电路和单片微波集成电路。混合微波集成电路是采用薄膜或厚膜技术，将无源微波电路制作在适合传输微波信号的基片上的功能块。常用的混合微波集成电路有微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器、倍频器、相控阵单元等各种宽带微波电路。单片微波集成电路是采用平面技术，...
【技术保护点】
1.一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：将PCM测试图形作为标准图形放置在MMIC电镀工艺的每层工艺中，然后对PCM测试图形进行测试，通过4个测试电极之间的电压来充分表征复杂芯片的良率，所述芯片为砷化镓MMIC和氮化镓MMIC芯片，所述PCM测试图形为插指状测试图形，包括两种，一种为平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形，另一种为非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形。/n
【技术特征摘要】
1.一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：将PCM测试图形作为标准图形放置在MMIC电镀工艺的每层工艺中，然后对PCM测试图形进行测试，通过4个测试电极之间的电压来充分表征复杂芯片的良率，所述芯片为砷化镓MMIC和氮化镓MMIC芯片，所述PCM测试图形为插指状测试图形，包括两种，一种为平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形，另一种为非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形。
2.根据权利要求1所述的一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：所述平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形为正方形，四个角处设置四个测试电极，分别为测试电极1、测试电极2、测试电极3和测试电极4，所述测试电极1和测试电极4为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左上角和右上角，测试电极1和测试电极4之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极1和测试电极4之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极1外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极4外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置；所述测试电极2和测试电极3为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左下角和右下角，测试电极2和测试电极3之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极2和测试电极3之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极3外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极2外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置。
3.根据权利要求1所述的一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，其特征在于：所述非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形为正方形，四个角处设置四个测试电极，分别为测试电极1、测试电极2、测试电极3和测试电极4，所述测试电极1和测试电极4为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左上角和右上角，测试电极1和测试电极4之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极1和测试电极4之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置，测试电极1外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极4外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置；所述测试电极2和测试电极3为一组测试电极，分别位于PCM测试图形的左下角和右下角，测试电极2和测试电极3之间的镀金区PCM中线条呈插指状设置，测试电极2和测试电极3之间的非镀金区PCM中线条填充于镀金区PCM中线条之外的区域，呈连续弯折状设置测试电极3外侧的镀金区PCM中线条呈“F”型设置，测试电极2外侧的镀金区PCM中线条呈“倒L”型设置，并且测试电极之间的镀金区PCM中线条上还均匀间隔设置有多条竖...
【专利技术属性】
技术研发人员：王振军，于静，王静辉，侯光斌，刘建华，张默，苟松杰，袁萌，邢姣姣，李昭仪，
申请(专利权)人：中电科工程建设有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13
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