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本发明公开了一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，属于芯片加工领域，将PCM测试图形作为标准图形放置在MMIC电镀工艺的每层工艺中，然后对PCM测试图形进行测试，通过4个测试电极之间的电压来判断芯片的良率，所述芯片为砷化镓MMIC和氮...
该专利属于中电科工程建设有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电科工程建设有限公司授权不得商用。

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