本实用新型属于弧形铝板领域，具体的说是一种新型装配式屋面弧形铝板泛水结构，包括屋面墙；所述屋面墙的顶部固定连接有立柱，所述屋面墙的顶部设置有砂浆层，所述砂浆层的顶部设置有保温层，所述保温层的顶部固定连接有弧形铝板本体，所述弧形铝板本体的...

本实用新型公开了一种建筑墙壁垂直检测装置，涉及墙壁垂直度检测技术领域。一种建筑墙壁垂直检测装置，包括底座、固定台和支撑架，所述底座顶端一侧固定有固定台，所述底座顶端一侧固定有多个支撑架，所述固定台一侧顶部一体成型有多个滑台，所述滑台活动...

本发明涉及泛水板技术领域，且公开了一种安装效果好密封性高的弧形泛水铝板，包括板体，所述板体包括第一安装板、第一螺孔、第二安装板、第二螺孔、主板和粘结层，所述第一安装板的内部开设有第一螺孔，所述第一安装板的右侧固定连接有主板，所述主板的右...

本实用新型公开了一种方便拼接的建筑工程用警示围挡，属于建筑工程领域，包括底座、外螺纹杆、卡口、折叠挡板和挂耳，所述底座的下方左右两侧安装有内螺纹杆，内螺纹杆的下方安装有外螺纹杆，底座的前后两侧上均设置有导轨；所述底座的上方左右两侧安装有...

本实用新型公开了一种用于电子洁净厂房的防微振平台，属于电子洁净厂房设施领域。所述的防微振平台包括两个碳结钢板平台以及位于两个碳结钢板之间的起支撑和调节作用的液压装置，本实用新型提供了一种简易的高度和水平度可调节的防微振装置,采用被动隔振...

本发明公开了一种电子工业洁净厂房回风除尘装置，属于电子工业洁净厂房相关技术领域，包括底座、回风静压箱、第一回风除尘装置、第二除尘滤芯和第二百叶，所述底座的上方安装有箱体，箱体的内部下方设置为回风静压箱，箱体的内部上方设置为送风静压箱；所...

本实用新型公开了一种环保高效建筑工程用废水处理装置，属于建筑工程领域，包括主体、丝杆、筛选箱、电磁板、控制器和导向槽，所述主体的内部安装有第一过滤网，主体内部的上方安装有丝杆，丝杆的右侧安装有第一电机，丝杆上安装有螺纹套；所述主体的左侧...

本实用新型公开了一种用于建筑施工的防护支撑架结构，属于建筑施工技术领域，包括底座、支撑杆和支撑台，底座的上方设有四根支撑杆，在支撑杆的底端均安装有移动轮，在支撑杆之间设有多根安装杆，支撑杆之间设有两个前后对称的支撑台；所述支撑杆的右侧安...

本实用新型公开了一种便于安拆的施工支撑架，属于施工支撑架领域，包括底座、工作台、防护板、限位块、螺纹孔和滑轮，所述底座的下方均布设置有四个垫块，底座的上方安装有剪式升降机构，剪式升降机构的上方安装有工作台；所述工作台前后左右四个侧面上均...

本发明公开了一种电子工业洁净厂房的空气净化系统，空气净化系统中包括了设置在洁净厂房顶部的送风静压箱和洁净厂房底部的回风静压箱，所述送风静压箱和回风静压箱的一侧通过回风通道联通且回风从回风静压箱进入送风静压箱，所述送风静压箱的另一侧设置有...

本发明公开了一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，属于芯片加工领域，将PCM测试图形作为标准图形放置在MMIC电镀工艺的每层工艺中，然后对PCM测试图形进行测试，通过4个测试电极之间的电压来判断芯片的良率，所述芯片为砷化镓MMIC...

本发明涉及5G通讯用GaN功率器件的Γ栅制作方法，包括以下步骤：一、在GaN基片上利用PECVD生长工艺淀积氮化硅介质一层；二、利用光刻工艺在氮化硅介质一层制作光刻图形；三、利用RIE刻蚀工艺进行刻蚀；四、再次利用PECVD生长工艺淀积...

本发明公开了一种用于化合物半导体器件的T型栅制作方法，属于半导体芯片制造技术领域，包括淀积氮化硅介质层，一次光刻制作光刻图形，对光刻图形进行腐蚀，淀积二氧化硅介质层，腐蚀二氧化硅介质层，去胶清洗形成图形，二次光刻形成源漏图形并腐蚀二氧化...

本发明公开了一种可调节亮度的照明薄膜，为一种用于建筑工程中的透光性可以改变的照明膜，属于建筑工程中装饰装修领域，其特征在于所述的照明薄膜由一层LED灯膜、两层聚氯乙烯膜、两层ACF导电膜，一层液晶膜组成。这种膜可以直接贴在建筑物的玻璃和...

本发明公开了一种利于碳化硅晶体生长的坩埚，属于新材料技术领域，包括石墨坩埚、设置在石墨坩埚上部的密封盖以及依次紧贴设置在石墨坩埚外的隔热层二、隔热层一、外部固定感应线圈的石英真空室；所述石墨坩埚外径的尺寸上下一致；石墨坩埚内径的尺寸上端...