MOM结构及金属层间电介质击穿测试方法技术

本发明专利技术公开了一种MOM结构，其用于半导体可靠性测试，包括：n个焊垫和(n‑2)个MxMx结构；第一焊垫至第(n‑1)个焊垫每个焊垫对应连接一个MxMx结构,所有MxMx结构并联在第一焊垫和第n个焊垫之间，每个MxMx结构串联有一个单向导通器件，第一焊垫和第n个焊垫之间也设有一个单向导通器件；其中，第一焊垫(Pad1)是单向导通器件正向偏压方向的首个焊垫。本发明专利技术还公开了一种利用所述MOM结构的金属层间电介质击穿测试方法。利用本发明专利技术提供的MOM结构能快速准确确定被测器件金属层间电介质击穿器位置。

【技术实现步骤摘要】
MOM结构及金属层间电介质击穿测试方法
本专利技术涉及集成电路生产制造领域，特别是涉及一种用于金属层间电介质击穿测试的MOM结构。本专利技术还涉及一种利用所述MOM结构的金属层间电介质击穿测试方法。
技术介绍
由于技术飞速进步，新材料和新工艺不断被用于新研发的器件中，所以可靠性设计基本不可能按照已有的产品进行。为达到一定的经济指标，半导体产品总是大批量生产的；并且修理半导体产成品也是不实际的。所以半导体产品在设计阶段加入可靠性的概念和在生产阶段减少变量就成为十分必要的要求。半导体器件可靠性取决于装配，使用，环境状况。影响因素包括气体，灰尘，沾污，电压，电流密度，温度，湿度，应力，往复振动，剧烈震荡，压强和电磁场的强度。金属层间电介质(IMD)结构用于表征后段工艺过程(BEOL)中金属间电介质的薄弱环节，目前常用的金属层间电介质(IMD)击穿测试结构，主要可以分为MxMx、VxVx和MOM三种。MxMx结构为对称放置的梳状结构如图1所示，主要用于评估某一层金属层的薄弱程度。VxVx结构为两层对称放置的梳状结构如图2所示，两层金属层之间依靠本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOM结构，其用于半导体可靠性测试，其特征在于，包括：n个焊垫(Pad1～Padn)和(n-2)个MxMx结构；/n第一焊垫(Pad1)至第(n-1)个焊垫(Padn-1)每个焊垫对应连接一个MxMx结构,所有MxMx结构并联在第一焊垫(Pad1)和第n个焊垫(Padn)之间，每个MxMx结构串联有一个单向导通器件，第一焊垫(Pad1)和第n个焊垫(Padn)之间也设有一个单向导通器件；/n其中，第一焊垫(Pad1)是单向导通器件正向偏压方向的首个焊垫。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOM结构，其用于半导体可靠性测试，其特征在于，包括：n个焊垫(Pad1～Padn)和(n-2)个MxMx结构；
第一焊垫(Pad1)至第(n-1)个焊垫(Padn-1)每个焊垫对应连接一个MxMx结构,所有MxMx结构并联在第一焊垫(Pad1)和第n个焊垫(Padn)之间，每个MxMx结构串联有一个单向导通器件，第一焊垫(Pad1)和第n个焊垫(Padn)之间也设有一个单向导通器件；
其中，第一焊垫(Pad1)是单向导通器件正向偏压方向的首个焊垫。


2.如权利要求1所述的MOM结构，其特征在于：单向导通器件是二极管。


3.如权利要求1所述的MOM结构，其特征在于：单向导通器件是SCR。


4.如权利要求1所述的MOM结构，其特征在于：其能用于测试自第一金属层(M1)至顶层金属层(topmetal)。


5.如权利要求1所述的MOM结构，其特征在于：n＝12。


6.一种利用权利要求1所述MOM结构的金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋怡萱，吴奇伟，尹彬锋，周柯，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31