半导体器件和形成半导体器件方法技术

在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明专利技术的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和形成半导体器件方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
技术介绍
由于各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的连续减小，这允许更多的组件集成到给定的区域。随着对电子器件缩小的需求不断增长，对半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求也已经出现。这种封装系统的实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上以提供高集成度和组件密度。PoP技术一般能够在印刷电路板(PCB)上产生具有增强的功能和较小的覆盖区的半导体器件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：集成电路管芯；密封剂，至少部分地围绕所述集成电路管芯，所述密封剂包括具有平均直径的填充剂；通孔，延伸穿过所述密封剂，所述通孔的下部具有恒定的宽度，并且所述通孔的上部具有连续减小的宽度，所述上部的厚度大于所述填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：介电层，位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n集成电路管芯；/n密封剂，至少部分地围绕所述集成电路管芯，所述密封剂包括具有平均直径的填充剂；/n通孔，延伸穿过所述密封剂，所述通孔的下部具有恒定的宽度，并且所述通孔的上部具有连续减小的宽度，所述上部的厚度大于所述填充剂的平均直径；以及/n再分布结构，包括：/n介电层，位于所述通孔、所述密封剂和所述集成电路管芯上；以及/n金属化图案，具有延伸穿过所述介电层的通孔部分和沿着所述介电层延伸的线部分，所述金属化图案电连接至所述通孔和所述集成电路管芯。/n

【技术特征摘要】
20190531 US 16/427,5691.一种半导体器件，包括：
集成电路管芯；
密封剂，至少部分地围绕所述集成电路管芯，所述密封剂包括具有平均直径的填充剂；
通孔，延伸穿过所述密封剂，所述通孔的下部具有恒定的宽度，并且所述通孔的上部具有连续减小的宽度，所述上部的厚度大于所述填充剂的平均直径；以及
再分布结构，包括：
介电层，位于所述通孔、所述密封剂和所述集成电路管芯上；以及
金属化图案，具有延伸穿过所述介电层的通孔部分和沿着所述介电层延伸的线部分，所述金属化图案电连接至所述通孔和所述集成电路管芯。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔的上部在从所述通孔的下部朝向所述通孔的上部延伸的方向上具有非线性锥度。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔的上部的厚度在8μm至10μm的范围内。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔的上部具有带有第一圆形轮廓的第一角部区域和带有第二圆形轮廓的第二角部区域，并且所述第二圆形轮廓与所述第一圆形轮廓不同。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述填充剂的一部分设置在所述通孔的第一距离内，所述第一距离在2μm至25μm的范围内。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封剂还包括具有平均直径的促进剂，所述促进剂的平均直径小于所述填充剂的平均直径。


7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述填充剂是二氧化硅，并且所述促进剂是有机膦。


8.一种形成半导体器件的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄子松，曾明鸿，林彦良，蔡豪益，蔡及铭，刘重希，林志伟，何明哲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71