半导体装置制造方法及图纸

本申请提供半导体装置。一基底位于一第一互连结构之上。一无源元件位于基底内。一第二互连结构位于基底之上。第一凸块与第二凸块位于第一互连结构的下方。每一第一硅通孔的第一端是经由第二互连结构而耦接于无源元件的第一端，而每一第一硅通孔的第二端是经由第一互连结构而耦接于第一凸块。每一第二硅通孔的第一端是经由第二互连结构而耦接于无源元件的第二端，而第二硅通孔的第二端是经由第一互连结构而耦接于第二凸块。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本公开涉及一种半导体装置，特别涉及一种集成无源元件。
技术介绍
由于小尺寸电子产品的需求成长，电子产业制造商持续寻求其集成电路尺寸的缩小方法，比如开发使用三维集成电路封装技术。在三维集成电路封装结构中，随着内部的集成电路(例如高功率处理器、行动芯片(mobilechip))的操作频率与复杂度增加，需要独立的大型无源元件，例如具有高电感值的电感器、具有高电容值的电容器及/或是具有高电阻值的电阻器来提高集成电路的效能。通常，大型无源元件是由集成无源元件(integratedpassivedevice，IPD)所提供。
技术实现思路
本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括一第一互连结构、一基底、一无源元件、一第二互连结构、一第一微凸块与一第二微凸块、一第一凸块与一第二凸块以及贯穿基底的多个第一硅通孔与多个第二硅通孔。基底位于第一互连结构之上。无源元件位于基底内。第二互连结构位于基底之上。第一凸块与第二凸块位于第一互连结构的下方。每一第一硅通孔的第一端是经由第二互连结构而耦接于无源元件的第一端，而每一第一硅通孔的第二端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n一第一互连结构；/n一基底，位于上述第一互连结构之上；/n一无源元件，位于上述基底内；/n一第二互连结构，位于上述基底之上；/n一第一凸块与一第二凸块，位于上述第一互连结构的下方；/n多个第一硅通孔，贯穿上述基底，其中每一上述第一硅通孔的第一端是经由上述第二互连结构而耦接于上述无源元件的第一端，而每一上述第一硅通孔的第二端是经由上述第一互连结构而耦接于上述第一凸块；以及/n多个第二硅通孔，贯穿上述基底，其中每一上述第二硅通孔的第一端是经由上述第二互连结构而耦接于上述无源元件的第二端，而每一上述第二硅通孔的第二端是经由上述第一互连结构而耦接于上述第二凸块...

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一第一互连结构；
一基底，位于上述第一互连结构之上；
一无源元件，位于上述基底内；
一第二互连结构，位于上述基底之上；
一第一凸块与一第二凸块，位于上述第一互连结构的下方；
多个第一硅通孔，贯穿上述基底，其中每一上述第一硅通孔的第一端是经由上述第二互连结构而耦接于上述无源元件的第一端，而每一上述第一硅通孔的第二端是经由上述第一互连结构而耦接于上述第一凸块；以及
多个第二硅通孔，贯穿上述基底，其中每一上述第二硅通孔的第一端是经由上述第二互连结构而耦接于上述无源元件的第二端，而每一上述第二硅通孔的第二端是经由上述第一互连结构而耦接于上述第二凸块。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
一第一微凸块与一第二微凸块，位于上述第二互连结构的上方，
其中上述第一微凸块是经由上述第二互连结构而耦接于每一上述第一硅通孔的第一端，以及上述第二微凸块是经由上述第二互连结构而耦接于每一上述第二硅通孔的第一端。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述第一硅通孔之一者是经由上述第二互连结构的一第一连接路径而耦接于上述第一微凸块，以及其他的上述第一硅通孔是经由上述第二互连结构的一第二连接路径而耦接于上述第一微凸块，其中在上述第二互连结构内，上述第一连接路径或是上述第二连接路径是经由一第三连接路径而耦接于上述无源元件的第一端。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述第二硅通孔之一者是经由上述第二互连结构的一第四连接路径而耦接于上述第二微凸块，以及其他的上述第二硅通孔是经由上述第二互连结构的一第五连接路径而耦接于上述第二微凸块，其中在上述第二互连结构内，上述第四连接路径或是上述第五连接路径是经由一第六连接路径而耦接于上述无源元件的第二端。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每一上述第一硅通孔是经由上述第一互连结构的个别的一第七连接路径而耦接于上述第一凸块，以及每一上述第二硅通孔是经由上述第一互连结构的个别的一第八连接路径而耦接于上...

【专利技术属性】
技术研发人员：王敏哲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71