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本申请提供半导体装置。一基底位于一第一互连结构之上。一无源元件位于基底内。一第二互连结构位于基底之上。第一凸块与第二凸块位于第一互连结构的下方。每一第一硅通孔的第一端是经由第二互连结构而耦接于无源元件的第一端，而每一第一硅通孔的第二端是经由...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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