具有轮廓互连的集成电路结构制造技术

本文公开了具有轮廓互连的集成电路(IC)结构，以及相关的方法和设备。例如，在一些实施例中，IC管芯的器件区包括具有圆化的顶表面的互连(例如，源极/漏极接触部)。

【技术实现步骤摘要】
具有轮廓互连的集成电路结构
技术介绍
晶体管通常包括源极/漏极(S/D)接触部和第二互连结构。这些互连结构可以被单独地电气控制以在晶体管中实现期望的操作状态。更一般地，互连结构可以用于形成集成电路(IC)器件中的电气路径。附图说明结合附图通过以下具体实施方式，将容易理解实施例。为了便于描述，相似的附图标记表示相似的结构元件。在附图的图中以示例而非限制的方式示出了实施例。图1是根据各种实施例的包括轮廓互连(contouredinterconnect)的集成电路(IC)结构的截面图。图2A-图2K示出了根据各种实施例的制造具有轮廓互连的IC结构的示例性过程中的阶段。图3是根据各种实施例的制造具有轮廓互连的IC结构的方法的流程图。图4是根据本文公开的任何实施例的可以包括具有轮廓接触部的IC结构的晶片和管芯的俯视图。图5是根据本文公开的任何实施例的可以包括具有轮廓互连的IC结构的IC器件的侧视截面图。图6是根据各种实施例的可以包括具有轮廓互连的IC结构的IC封装的侧视截面图。图7是根据本文公开的任何实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路(IC)结构，包括：/n第一接触部；/n第二接触部；以及/n第三接触部，其中，所述第三接触部在所述第一接触部与所述第二接触部之间，所述第一接触部和所述第二接触部具有圆化的顶表面，并且所述第二接触部是栅极接触部或源极/漏极(S/D)接触部。/n

【技术特征摘要】
20190524 US 16/421,9401.一种集成电路(IC)结构，包括：
第一接触部；
第二接触部；以及
第三接触部，其中，所述第三接触部在所述第一接触部与所述第二接触部之间，所述第一接触部和所述第二接触部具有圆化的顶表面，并且所述第二接触部是栅极接触部或源极/漏极(S/D)接触部。


2.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第一接触部包括第一金属和第一衬层材料，并且所述第一衬层材料被凹陷到所述第一接触部的所述圆化的顶表面下方。


3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述第一接触部的高度具有第一值，所述第一接触部的所述圆化的顶表面与所述第一衬层材料之间的距离具有第二值，并且所述第二值在所述第一值的10％与所述第一值的30％之间。


4.根据权利要求2所述的IC结构，其中，所述第一接触部的高度具有第一值，所述第一金属的宽度具有第二值，并且所述第二值在所述第一值的20％与所述第一值的30％之间。


5.根据权利要求2-4中任一项所述的IC结构，其中，所述第二接触部包括第二金属和第二衬层材料，并且所述第二衬层材料被凹陷到所述第二接触部的所述圆化的顶表面下方。


6.根据权利要求5所述的IC结构，其中，所述第二接触部的高度具有第三值，所述第二接触部的所述圆化的顶表面与所述第二衬层材料之间的距离具有第四值，并且所述第四值在所述第三值的10％与所述第三值的30％之间。


7.一种集成电路(IC)封装，包括：
封装衬底；以及
耦合到所述封装衬底的IC管芯，所述IC管芯包括：
第一互连，
第二互连，
第三互连，其中，所述第三互连在所述第一互连与所述第二互连之间，并且所述第一互连和所述第二互连具有顶表面；以及
基础结构，其中，所述第一互连在所述基础结构与所述第一互连的顶表面之间具有面向基础结构的表面，所述第二互连在所述基础结构与所述第二互连的顶表面之间具有面向基础结构的表面，并且接近...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·多甘，R·埃哈姆帕拉姆，J·康，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US