一种晶圆电性测试方法及测试设备技术

本发明专利技术提供一种晶圆电性测试方法及测试设备，将各电性测试项的通过条件定义在初始测试参数中，而后对晶圆上的多个位置区域依次进行测试，在对一所述位置区域上一电性测试项进行测试时，判断所述位置区域上所述电性测试项的测试结果是否满足所述通过条件；若不满足，则即时重测所述电性测试项，若重测后满足所述通过条件或重测次数达到预设值，则开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试。即在晶圆某一位置区域的单项电性测试项测试NG后即时重测，如此，不仅有效解决了晶圆电性测试判定的滞后性，更大大缩短了电性测试NG晶圆重测的时间，另外，也可有效去除电性测试的异常跳点值，从而显著提升测试的稳定性及抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆电性测试方法及测试设备
本专利技术涉及半导体测试
，特别涉及一种晶圆电性测试方法及测试设备。
技术介绍
在晶圆制程的过程中可能由于各种原因（比如光刻不完整、腐蚀过度等）导致晶圆的电性特性异常。因此，在晶圆制程之后的电性测试是非常重要的一个环节，晶圆电性测试的功能主要有：筛选出电性性能不合格的晶圆，对晶圆器件的电性参数进行监控，从而来保持和改进制程工艺的水平。晶圆在测试设备上进行测试时，可能由于外部原因导致测试不良，比如第一遍测试时可能由于针卡尖端脏污(粘上尘埃、粘上晶圆焊盘上的镀层等)或者针卡压力过轻或者针卡位置偏移等导致将良品晶圆测试成了不良品晶圆。现有的晶圆电性测试方法的测试流程包括：完成整批晶圆的电性测试之后，将电性测试结果上传至判定系统，通过判定系统判定是否存在电性测试NG项，若存在，则对NG项所在晶圆进行重测。利用现有的晶圆电性测试方法进行测试时，存在数据判定滞后以及重测耗时等问题，因此，改进晶圆电性测试方法、提升晶圆电性测试效率、优化晶圆电性测试流程具有十分突出的现实意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆电性测试方法及测试设备，以解决现有技术中一个或多个问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶圆电性测试方法，包括：定义初始测试参数，所述初始测试参数包括各电性测试项的通过条件；对晶圆上的多个位置区域依次进行测试，在对一所述位置区域上一电性测试项进行测试时，判断所述位置区域上所述电性测试项的测试结果是否满足所述通过条件；若不满足，则即时重测所述电性测试项，若重测后满足所述通过条件或重测次数达到预设值，则开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试；若满足，则开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试。可选的，在所述的晶圆电性测试方法中，所述通过条件为上限阈值和下限阈值所限定的数值范围；在判断测试结果是否满足所述通过条件时，若测试值在所述数值范围内时，则判断为测试通过。可选的，在所述的晶圆电性测试方法中，根据晶圆合规标准定义各所述电性测试项的所述数值范围，定义的各所述电性测试项的所述数值范围与所述晶圆合规标准的取值范围相同。可选的，在所述的晶圆电性测试方法中，根据电性测试项稳定标准定义各所述电性测试项的所述数值范围，定义的各所述电性测试项的所述数值范围在晶圆合规标准的取值范围内。可选的，在所述的晶圆电性测试方法中，在完成所有所述位置区域的测试后，所述晶圆电性测试方法还包括：将所述晶圆的各所述位置区域的各所述电性测试项的最后一次测试结果上传至判定系统，以使所述判定系统判定所述晶圆是否合规。可选的，在所述的晶圆电性测试方法中，所述晶圆电性测试方法还包括：当同一位置区域上所有所述电性测试项测试完成之后再开启下一位置区域的测试。本专利技术还提供一种测试设备，所述测试设备包括处理器和存储器，所述存储器上存储有电性测试算法和初始测试参数，所述初始测试参数包括各电性测试项的通过条件，所述电性测试算法被所述处理器执行时，实现如下步骤：对晶圆上的多个位置区域依次进行测试，在对一所述位置区域上一电性测试项进行测试时，判断所述位置区域上所述电性测试项的测试结果是否满足所述通过条件；若不满足，则即时重测所述电性测试项，若重测后满足所述通过条件或重测次数达到预设值，则开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试；若满足，则开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试。可选的，在所述的测试设备中，各所述电性测试项的所述通过条件的数值范围与晶圆合规标准的取值范围相同。可选的，在所述的测试设备中，各所述电性测试项的所述通过条件的数值范围在晶圆合规标准的取值范围内。可选的，在所述的测试设备中，所述电性测试算法被所述处理器执行时，还实现如下步骤：将所述晶圆的各所述位置区域的各所述电性测试项的最后一次测试结果上传至判定系统，以使所述判定系统判定所述晶圆是否合规。综上所述，在本专利技术提供的晶圆电性测试方法及测试设备中，将各电性测试项的通过条件定义在初始测试参数中，而后，对晶圆上的多个位置区域依次进行测试，在对一所述位置区域上一电性测试项进行测试时，判断所述位置区域上所述电性测试项的测试结果是否满足所述通过条件；若不满足，则即时重测所述电性测试项，若重测后满足所述通过条件或重测次数达到预设值，则开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试。即，在晶圆某一位置区域的单项电性测试项测试NG后即时重测，如此，不仅有效解决了晶圆电性测试判定的滞后性，更大大缩短了电性测试NG晶圆重测的时间，另外，也通过测试过程当下NG项的二次测试，可有效去除电性测试的异常跳点值，从而显著提升测试的稳定性及抗干扰能力。附图说明图1为本专利技术实施例一所提供的晶圆电性测试方法的流程图；图2为采用现有技术进行晶圆电容测试的结果统计图；图3为采用本专利技术实施例所提供的晶圆电性测试方法进行晶圆电容测试的结果统计图；图4为本专利技术实施例二中通过缩小数值范围以去除异常跳点值的示意图；图5为本专利技术实施例二所提供的一种晶圆测试方法的流程图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的晶圆电性测试方法及测试设备作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。【实施例一】如图1所示，本实施例提供一种晶圆电性测试方法，所述晶圆电性测试方法包括如下步骤：S11，定义初始测试参数，所述初始测试参数包括各电性测试项的通过条件；S12，对晶圆上的多个位置区域依次进行测试，在对一所述位置区域上一电性测试项进行测试时，判断所述位置区域上所述电性测试项的测试结果是否满足所述通过条件，若不满足，则执行步骤S13，若满足，则执行步骤S14；S13，即时重测所述电性测试项，若重测后满足所述通过条件或重测次数达到预设值，则执行步骤S14；S14，开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试。本实施例提供的所述晶圆电性测试方法，将电性测试项的通过条件定义在初始测试参数中，对测试数据即时进行判断，在晶圆某一位置区域的单项电性测试项测试NG后即时重测，可解决晶圆电性测试数据判定的滞后性；在进行重测时，只需重测晶圆测试NG位置的NG项，可大大缩短电性测试NG晶圆重测的时间，另外，也通过测试过程当下NG项的二次测试，可有效去除电性测试的异常跳点值，从而显著提升测试的稳定性及抗干扰能力。以下，对上述各步骤进行详细描述。首先，在晶圆测试开始之前，执行步骤S11，定义初始测试参数，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆电性测试方法，其特征在于，包括：/n定义初始测试参数，所述初始测试参数包括各电性测试项的通过条件；/n对晶圆上的多个位置区域依次进行测试，在对一所述位置区域上一电性测试项进行测试时，判断所述位置区域上所述电性测试项的测试结果是否满足所述通过条件；/n若不满足，则即时重测所述电性测试项，若重测后满足所述通过条件或重测次数达到预设值，则开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试；/n若满足，则开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆电性测试方法，其特征在于，包括：
定义初始测试参数，所述初始测试参数包括各电性测试项的通过条件；
对晶圆上的多个位置区域依次进行测试，在对一所述位置区域上一电性测试项进行测试时，判断所述位置区域上所述电性测试项的测试结果是否满足所述通过条件；
若不满足，则即时重测所述电性测试项，若重测后满足所述通过条件或重测次数达到预设值，则开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试；
若满足，则开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试。


2.如权利要求1所述的晶圆电性测试方法，其特征在于，所述通过条件为上限阈值和下限阈值所限定的数值范围；在判断测试结果是否满足所述通过条件时，若测试值在所述数值范围内时，则判断为测试通过。


3.如权利要求2所述的晶圆电性测试方法，其特征在于，根据晶圆合规标准定义各所述电性测试项的所述数值范围，定义的各所述电性测试项的所述数值范围与所述晶圆合规标准的取值范围相同。


4.如权利要求2所述的晶圆电性测试方法，其特征在于，根据电性测试项稳定标准定义各所述电性测试项的所述数值范围，定义的各所述电性测试项的所述数值范围在晶圆合规标准的取值范围内。


5.如权利要求4所述的晶圆电性测试方法，其特征在于，在完成所有所述位置区域的测试后，所述晶圆电性测试方法还包括：将所述晶圆的各所述位置区域的各所述电性测试项的最后一次测试结果上传至判定系统，以使所述判...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨锃，梁君丽，王柏翔，李芃葳，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11